MOS的熱阻計(jì)算

LV.1

2020-11-23 18:30

坐等大佬講解。

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msz181818

LV.9

2020-11-24 13:00

@stephon

坐等大佬講解。

參數(shù)表中是給出了25度和100度時(shí)管子的內(nèi)阻,管子內(nèi)阻是隨著管芯溫度而變的

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LV.1

2020-11-24 13:28

@msz181818

參數(shù)表中是給出了25度和100度時(shí)管子的內(nèi)阻,管子內(nèi)阻是隨著管芯溫度而變的

下面帶星號(hào)是100°的嗎？

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msz181818

LV.9

2020-11-25 10:48

@stephon

下面帶星號(hào)是100°的嗎？

下面帶星號(hào)是150°的

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LV.6

2020-11-25 18:29

哪個(gè)壇友大牛小牛知道的幫忙回復(fù)下

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LV.1

2020-11-27 08:59

@msz181818

下面帶星號(hào)是150°的

請(qǐng)教一下，MOS的導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)電阻阻值有關(guān)系嗎?

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dy-JtakSHHY

LV.1

2020-11-27 21:24

@stephon

請(qǐng)教一下，MOS的導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)電阻阻值有關(guān)系嗎?

RG越大，開通關(guān)斷速度慢，損耗會(huì)大，

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LV.1

2020-11-28 10:07

@dy-JtakSHHY

RG越大，開通關(guān)斷速度慢，損耗會(huì)大，

我也是這么認(rèn)為的，我那個(gè)有經(jīng)驗(yàn)的同事老說(shuō)只跟datasheet里的Eon和Eoff有關(guān)。Ron越大米勒平臺(tái)時(shí)間越長(zhǎng)，損耗越大。再具體我就不知道了。

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LV.6

2020-11-30 09:51

@QWE4562009

哪個(gè)壇友大牛小牛知道的幫忙回復(fù)下

沒有一個(gè)會(huì)計(jì)算的都是淺嘗輒止

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Hgp0512

LV.1

2020-11-30 12:14

在沒有散熱器的情況下，mos管1w熱量會(huì)溫升91℃，即t溫升=Rja*P，當(dāng)散熱器散熱時(shí)，溫升=(Rjc+R1)*P，R1為散熱器內(nèi)阻

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LV.6

2020-11-30 14:01

@Hgp0512

在沒有散熱器的情況下，mos管1w熱量會(huì)溫升91℃，即t溫升=Rja*P，當(dāng)散熱器散熱時(shí)，溫升=(Rjc+R1)*P，R1為散熱器內(nèi)阻

怎么沒看到結(jié)溫和環(huán)境溫度的使用

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Hgp0512

LV.1

2020-11-30 21:45

注意，我計(jì)算的是溫升，溫升加上環(huán)境溫度就是實(shí)際結(jié)溫了

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Hgp0512

LV.1

2020-11-30 21:50

@Hgp0512

在沒有散熱器的情況下，mos管1w熱量會(huì)溫升91℃，即t溫升=Rja*P，當(dāng)散熱器散熱時(shí)，溫升=(Rjc+R1)*P，R1為散熱器內(nèi)阻

注意，我計(jì)算的是溫升，環(huán)境溫度加上溫升就是結(jié)溫了！

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LV.6

2020-12-01 11:32

@Hgp0512

注意，我計(jì)算的是溫升，溫升加上環(huán)境溫度就是實(shí)際結(jié)溫了

您好你這個(gè)熱阻用哪個(gè) RθJA 還是 RθJC

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LV.1

2020-12-02 10:30

@Hgp0512

注意，我計(jì)算的是溫升，溫升加上環(huán)境溫度就是實(shí)際結(jié)溫了

芯片溫度Tj=P*θJA+Ta，其中P是管子工作功率、θJA就是管子的熱阻表示的是junction To Ambient即芯片到環(huán)境的熱阻（spec上有這項(xiàng)參數(shù)）、Ta是管子工作時(shí)的環(huán)境溫度；

芯片溫度還可表示為Tj=P*θJC+Tc，θJC是junction To Case即芯片到管體的熱阻（spec上有這項(xiàng)參數(shù)）、Tc是管體的表面溫度可以用溫度計(jì)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試；

管體溫度Tc=P*θCA+Ta，

熱阻還可表示為θJA=θJC+θCA，θJC是junction到case即芯片到管體的熱阻、θCA是case到Ambient即管體到環(huán)境的熱阻；

以上4元方程組中，Tj、θJA、θJC、θCA是未知量，應(yīng)該都可以計(jì)算出來(lái)了

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LV.6

2020-12-02 10:43

@dy-MsZi3kWe

芯片溫度Tj=P*θJA+Ta，其中P是管子工作功率、θJA就是管子的熱阻表示的是junctionToAmbient即芯片到環(huán)境的熱阻（spec上有這項(xiàng)參數(shù)）、Ta是管子工作時(shí)的環(huán)境溫度；芯片溫度還可表示為Tj=P*θJC+Tc，θJC是junctionToCase即芯片到管體的熱阻（spec上有這項(xiàng)參數(shù)）、Tc是管體的表面溫度可以用溫度計(jì)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試；管體溫度Tc=P*θCA+Ta，熱阻還可表示為θJA=θJC+θCA，θJC是junction到case即芯片到管體的熱阻、θCA是case到Ambient即管體到環(huán)境的熱阻；以上4元方程組中，Tj、θJA、θJC、θCA是未知量，應(yīng)該都可以計(jì)算出來(lái)了

還沒看完就看出你是高手！我多看幾遍謝謝你

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LV.6

2020-12-02 10:45

@dy-MsZi3kWe

感覺比LDO溫升計(jì)算復(fù)雜多了你干脆列一個(gè)公式給我啊

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LV.1

2020-12-02 10:45

@dy-MsZi3kWe

另外，我們生產(chǎn)廠家，是可以提前知道某一工作功率下對(duì)應(yīng)的芯片溫度Tj是多少，因此計(jì)算熱阻只需要一個(gè)方程就搞定。

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LV.1

2020-12-02 10:52

@QWE4562009

感覺比LDO溫升計(jì)算復(fù)雜多了你干脆列一個(gè)公式給我啊

我重新簡(jiǎn)單整理下計(jì)算過(guò)程

Tj=P*θJA+Ta

Tj=P*θJC+Tc

Tc=P*θCA+Ta

θJA=θJC+θCA

1. Tj：芯片溫度，生產(chǎn)廠家在封裝芯片前就可以提前測(cè)出P和Tj的對(duì)應(yīng)曲線，但是封裝為成品后就沒法測(cè)出Tj了，因此要想在不知道P@Tj的曲線圖情況下求熱阻，只能通過(guò)上面4元方程組來(lái)算；

2. P：管子工作在穩(wěn)態(tài)時(shí)的功率，通過(guò)Rdson、Id、Vds等可以計(jì)算；

3. θJA：芯片（junction）到周圍環(huán)境（to Ambient）的熱阻

4. θJC：芯片到管殼（to Case）的熱阻

5. θCA：從管殼到環(huán)境的熱阻

6. Ta：工作時(shí)的環(huán)境溫度

7. Tc：工作在穩(wěn)態(tài)時(shí)的管體表面溫度，可以用儀器現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)；

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LV.6

2020-12-02 13:44

@dy-MsZi3kWe

另外，我們生產(chǎn)廠家，是可以提前知道某一工作功率下對(duì)應(yīng)的芯片溫度Tj是多少，因此計(jì)算熱阻只需要一個(gè)方程就搞定。

您好。我們最終的目的是要算出MOS的溫升是多少，熱阻不是已知的嗎？

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LV.1

2020-12-02 15:30

@QWE4562009

您好。我們最終的目的是要算出MOS的溫升是多少，熱阻不是已知的嗎？

我看你的圖片中有在問為什么熱阻有幾個(gè)，因此細(xì)說(shuō)了些，可能偏題了。

溫升可以從熱阻上直接讀出來(lái)，比如你這份SPEC中的θJA=91°C/W，意思是每增加1W的功耗，Tja就升高91°C，也即Tja=Tj-Ta=91°C，那么芯片的溫度Tj=91°C+Ta，

不知道有沒有答對(duì)，

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