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LNK563設(shè)計的開關(guān)電源

LNK563是PI小功率的AC/DC芯片，內(nèi)部集成了調(diào)整器、高壓MOSFET、過溫保護 、自動重啟輸出短路和開環(huán)保護等多種功能。利用次級繞組電壓在偏置繞組上的反射電壓來穩(wěn)定輸出電壓和電流，不再需要光耦器。在CV狀態(tài)通過跳過MOSFET開關(guān)周期來實現(xiàn)穩(wěn)壓。當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點后，MOSFET開關(guān)周期不再被跳過，而是內(nèi)部振蕩頻率隨FEEDBACK(FB)腳的電壓成比例地降低。

LNK563設(shè)計的電源，電源輸入范圍是90~265 VAC，輸出電壓5V，電流為300mA,整機效率比較高，空載功耗小，為了降低成本可以采用低成本的的磁芯繞制變壓器。

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gxg1122
LV.10
2
2021-03-03 12:35
使用LNK563設(shè)計輸出功率低于2.5 W的電源時無需使用初級箝位電路.。
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gxg1122
LV.10
3
2021-03-03 12:35
@gxg1122
使用LNK563設(shè)計輸出功率低于2.5W的電源時無需使用初級箝位電路.。
無箝位電路的應(yīng)用往往受到EMI問題的限制，而不是受峰值漏極電壓的限制。
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gxg1122
LV.10
4
2021-03-03 12:36
@gxg1122
無箝位電路的應(yīng)用往往受到EMI問題的限制，而不是受峰值漏極電壓的限制。
LNK563由變壓器偏置繞組提供反饋時，具有近似的CV/CC輸出特性曲線。
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2021-03-03 17:09
利用次級繞組電壓在偏置繞組上的反射電壓來穩(wěn)定輸出電壓和電流，不再需要光耦器。
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2021-03-03 17:09
@塵埃中的一粒沙
利用次級繞組電壓在偏置繞組上的反射電壓來穩(wěn)定輸出電壓和電流，不再需要光耦器。
當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點后，MOSFET開關(guān)周期不再被跳過，而是內(nèi)部振蕩頻率隨FB腳的電壓成比例地降低
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紫蝶
LV.9
7
2021-03-04 21:49
@gxg1122
無箝位電路的應(yīng)用往往受到EMI問題的限制，而不是受峰值漏極電壓的限制。
小功率電源的開發(fā)可以省掉鉗位電路元件，降低產(chǎn)品成本。
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紫蝶
LV.9
8
2021-03-04 21:49
@gxg1122
使用LNK563設(shè)計輸出功率低于2.5W的電源時無需使用初級箝位電路.。
應(yīng)用工況復(fù)雜的設(shè)計案例，還是加上鉗位電路元件，在異常的情況下保護電源不被損壞。
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紫蝶
LV.9
9
2021-03-04 21:50
@塵埃中的一粒沙
當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點后，MOSFET開關(guān)周期不再被跳過，而是內(nèi)部振蕩頻率隨FB腳的電壓成比例地降低
保護作用，避免產(chǎn)品重載下設(shè)備損壞，芯片的保護功能很強。
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2021-03-05 11:21
@紫蝶
小功率電源的開發(fā)可以省掉鉗位電路元件，降低產(chǎn)品成本。
LNK563具有在短路及開環(huán)故障情況，自動重啟動時降低輸出功率由>85 ％
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2021-03-05 11:37
@塵埃中的一粒沙
當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點后，MOSFET開關(guān)周期不再被跳過，而是內(nèi)部振蕩頻率隨FB腳的電壓成比例地降低
前沿消隱電路抑制電流限制比較很短的時間后，功率MOSFET導(dǎo)通。
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2021-03-05 11:39
@gxg1122
無箝位電路的應(yīng)用往往受到EMI問題的限制，而不是受峰值漏極電壓的限制。
為了抑制噪音的產(chǎn)生，應(yīng)將變壓器被設(shè)計成使得所述峰芯通量密度低于1500高斯（ 150 mT的）。
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紫蝶
LV.9
13
2021-03-06 09:27
@奮斗的青春
前沿消隱電路抑制電流限制比較很短的時間后，功率MOSFET導(dǎo)通。
通過調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比例，可以維持穩(wěn)壓，根據(jù)輸出負(fù)載情況減低開關(guān)損耗。
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2021-03-06 16:05
@紫蝶
通過調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比例，可以維持穩(wěn)壓，根據(jù)輸出負(fù)載情況減低開關(guān)損耗。
集成高壓 MOSFET在通用輸入交流應(yīng)用，提高可靠性并降低通過允許更大的變壓器輸出二極管電壓應(yīng)力匝數(shù)比。
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xxbw6868
LV.10
15
2021-03-07 11:40
@塵埃中的一粒沙
當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點后，MOSFET開關(guān)周期不再被跳過，而是內(nèi)部振蕩頻率隨FB腳的電壓成比例地降低
電路中如果需要進一步提高負(fù)載電流時，這個時候輸出電壓將會隨之下降。
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xxbw6868
LV.10
16
2021-03-07 11:41
@紫蝶
小功率電源的開發(fā)可以省掉鉗位電路元件，降低產(chǎn)品成本。
電路中省掉了鉗位電路元件電路成本降低不少，功率小了，元件選擇成本更低。
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2021-03-07 15:09
@xxbw6868
電路中省掉了鉗位電路元件電路成本降低不少，功率小了，元件選擇成本更低。
輸出功率跟封裝有很大的關(guān)系，散熱號的封裝輸出功率比較大。
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2021-03-07 20:19
@xxbw6868
電路中如果需要進一步提高負(fù)載電流時，這個時候輸出電壓將會隨之下降。
這個由電源的功率決定的，小功率高效率的設(shè)計方案。
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紫蝶
LV.9
19
2021-03-07 20:34
@xxbw6868
電路中省掉了鉗位電路元件電路成本降低不少，功率小了，元件選擇成本更低。
小功率電源設(shè)計方案初期物料選擇比較重要，需要核定成本。
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紫蝶
LV.9
20
2021-03-07 20:36
@奮斗的青春
這個由電源的功率決定的，小功率高效率的設(shè)計方案。
電源產(chǎn)品的質(zhì)量市場上差異比較大，實測會發(fā)現(xiàn)一些問題。
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紫蝶
LV.9
21
2021-03-07 20:38
@塵埃中的一粒沙
集成高壓MOSFET在通用輸入交流應(yīng)用，提高可靠性并降低通過允許更大的變壓器輸出二極管電壓應(yīng)力匝數(shù)比。
電源主控芯片的優(yōu)勢，簡單調(diào)試好調(diào)，用著也質(zhì)量有保證。
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gxg1122
LV.10
22
2021-03-09 12:26
@奮斗的青春
為了抑制噪音的產(chǎn)生，應(yīng)將變壓器被設(shè)計成使得所述峰芯通量密度低于1500高斯（150mT的）。
變壓器的磁通密度太高的話，電源容易飽和，變壓器設(shè)計的時候可以預(yù)留間隙。
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gxg1122
LV.10
23
2021-03-09 12:27
@xxbw6868
電路中如果需要進一步提高負(fù)載電流時，這個時候輸出電壓將會隨之下降。
電源的總功率是不變的，電流太大，看負(fù)載大小了，有時候電流也增大不上去。
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gxg1122
LV.10
24
2021-03-09 12:28
小功率的電源開發(fā)設(shè)計，成本比較敏感，主控芯片性能好，設(shè)計成本會低，質(zhì)量也好。
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cb_mmb
LV.8
25
2021-05-10 17:14

振鈴信號一般頻率較高，會對周圍的器件產(chǎn)生EMI干擾，影響其他器件的正常工作，甚至燒毀器件。

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kckcll
LV.9
26
2021-05-10 17:16

一個合理有效的開關(guān)電源EMI濾波器應(yīng)該對電源線上差模和共模干擾都有較強的抑制作用。

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kckcll
LV.9
27
2021-05-10 17:16
@cb_mmb
振鈴信號一般頻率較高，會對周圍的器件產(chǎn)生EMI干擾，影響其他器件的正常工作，甚至燒毀器件。

因此，需要我們在設(shè)計電路的時候?qū)⒄疋徔刂圃谝粋€合理的范圍內(nèi)。

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dbg_ux
LV.9
28
2021-05-10 17:21
@kckcll
因此，需要我們在設(shè)計電路的時候?qū)⒄疋徔刂圃谝粋€合理的范圍內(nèi)。

這里需要注意區(qū)分的是“振鈴”還是“超調(diào)”，當(dāng)開關(guān)電源出現(xiàn)負(fù)載突變，通過反饋回路對輸出電壓進行動態(tài)調(diào)節(jié)，

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dianre888
LV.6
29
2021-05-10 17:28
@dbg_ux
這里需要注意區(qū)分的是“振鈴”還是“超調(diào)”，當(dāng)開關(guān)電源出現(xiàn)負(fù)載突變，通過反饋回路對輸出電壓進行動態(tài)調(diào)節(jié)，

此時可能會產(chǎn)生一些超調(diào)，但是該超調(diào)并不等同于回路上的振鈴。

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2021-07-20 20:54
@塵埃中的一粒沙
利用次級繞組電壓在偏置繞組上的反射電壓來穩(wěn)定輸出電壓和電流，不再需要光耦器。

初級側(cè)穩(wěn)壓反激式電源電路簡單特別適合小功率的開關(guān)電源。

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lx25hb
LV.8
31
2021-09-11 16:26
@奮斗的青春
為了抑制噪音的產(chǎn)生，應(yīng)將變壓器被設(shè)計成使得所述峰芯通量密度低于1500高斯（150mT的）。

在窗口中沒有其它繞組的磁勢可以和電感繞組的磁勢相平衡產(chǎn)生去磁效應(yīng)，因此電感磁芯窗口中的磁勢較大，磁場較強。

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