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INN3977設(shè)計(jì)的800V汽車應(yīng)急電源外加MOS

汽車應(yīng)急電源的設(shè)計(jì)要求電壓比較高，InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列將初級(jí)和次級(jí)控制器以及符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋電路集成到了單個(gè)IC中，在30V至1200V的超寬輸入電壓范圍內(nèi)只需要極少的元件和簡單的配置就能提供精確而穩(wěn)定的輸出電壓。新款器件采用了多模式準(zhǔn)諧振(QR)/CCM/DCM反激控制器、900V開關(guān)和Power Integrations的高速FluxLink通信鏈路，可在薄型InSOP24封裝中實(shí)現(xiàn)高精度調(diào)整。

InnoSwitch3-AQ在800V母線應(yīng)用中的工作方式，設(shè)計(jì)均采用PI的StackFET技術(shù)，可以省略附加電路。但需要外加MOS，這個(gè)MOS的選擇需要注意哪些了？

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svs101
LV.8
2
2021-07-07 18:29

INN3977設(shè)計(jì)的應(yīng)急電源支持30v~925VDC的輸入，范圍很寬。

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svs101
LV.8
3
2021-07-07 18:30

這個(gè)MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

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svs101
LV.8
4
2021-07-07 18:32
@svs101
[圖片]這個(gè)MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

不過這個(gè)MOS選擇的時(shí)候注意耐壓，一般要求500V以上的。

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紫蝶
LV.9
5
2021-07-10 13:52
@svs101
[圖片]這個(gè)MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

這個(gè)MOS 是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

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紫蝶
LV.9
6
2021-07-10 13:53
@svs101
不過這個(gè)MOS選擇的時(shí)候注意耐壓，一般要求500V以上的。

耐高壓這個(gè)是需要的，畢竟用于800V的汽車應(yīng)急電源設(shè)計(jì)

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k6666
LV.9
7
2021-07-10 16:08
@紫蝶
這個(gè)MOS是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

無散熱器平臺(tái)式解決方案，保證回流焊之后把熱量導(dǎo)通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

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k6666
LV.9
8
2021-07-10 16:09
@紫蝶
這個(gè)MOS是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

現(xiàn)在很多采用PSR控制器 + 800V MOSFET + 疊加FET (Stack FET)，方案的缺點(diǎn)：輸出穩(wěn)壓精度差。

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k6666
LV.9
9
2021-07-10 16:10
@紫蝶
耐高壓這個(gè)是需要的，畢竟用于800V的汽車應(yīng)急電源設(shè)計(jì)

IN3997設(shè)計(jì)的電源，支持外加的StackFET，滿足 800V及以上母線電壓，F(xiàn)luxLink 反饋鏈路 ，無需光耦。

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fengxbj
LV.8
10
2021-07-10 16:47
@紫蝶
耐高壓這個(gè)是需要的，畢竟用于800V的汽車應(yīng)急電源設(shè)計(jì)

汽車級(jí)認(rèn)證的反激控制器，加上集成的MOSFET 及 StackFET的架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效的應(yīng)急電源設(shè)計(jì)。

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fengxbj
LV.8
11
2021-07-10 16:48
@k6666
現(xiàn)在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+疊加FET(StackFET)，方案的缺點(diǎn)：輸出穩(wěn)壓精度差。

快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性可以避免使用過大的輸出濾波電容，縮小產(chǎn)品體積。

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2021-07-10 17:04
@k6666
無散熱器平臺(tái)式解決方案，保證回流焊之后把熱量導(dǎo)通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

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2021-07-10 17:05
@fengxbj
汽車級(jí)認(rèn)證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效的應(yīng)急電源設(shè)計(jì)。

INN3977內(nèi)部集成了多種保護(hù) 功能，磁通信隔離技術(shù)，簡化了電源的開發(fā)設(shè)計(jì)。

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2021-07-10 17:09
@svs101
不過這個(gè)MOS選擇的時(shí)候注意耐壓，一般要求500V以上的。

MOSFET的耐壓,一般根據(jù)負(fù)載的類型來考慮余量。比如是純阻性負(fù)載,開關(guān)頻率很低,那么余量可以小一些。

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2021-07-11 16:47
@k6666
無散熱器平臺(tái)式解決方案，保證回流焊之后把熱量導(dǎo)通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

這種方案所需的元件數(shù)少無散熱片都是通過PCB面積來散熱的。

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2021-11-18 17:22
@fengxbj
汽車級(jí)認(rèn)證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效的應(yīng)急電源設(shè)計(jì)。

這類電源的IC是無光耦方案、精確的輸出電壓，穩(wěn)壓精度很高，可以達(dá)到+1/-3%。

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2021-11-18 17:23
@塵埃中的一粒沙
MOSFET的耐壓,一般根據(jù)負(fù)載的類型來考慮余量。比如是純阻性負(fù)載,開關(guān)頻率很低,那么余量可以小一些。

理論上，MOS管的耐壓越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等內(nèi)阻下，電壓越高，成本越高，柵極電容越大，速度也越慢。

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2021-11-18 22:36

800V母線需怎樣選擇MOS的耐壓呢，降額是多少呢

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熒火
LV.4
19
2021-12-02 11:14

集成度很高，就是不知道BOM成本是多少？

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cmdz002
LV.5
20
2022-02-21 08:43

需要外加MOS，這個(gè)MOS的選擇需要注意哪些了？

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cmdz002
LV.5
21
2022-04-23 10:30

InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列集成了初級(jí)和次級(jí)控制器以及符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋電路，設(shè)計(jì)更加簡便。

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opingss88
LV.10
22
2022-11-15 22:14
@fengxbj
汽車級(jí)認(rèn)證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效的應(yīng)急電源設(shè)計(jì)。

保持輸出二極管的導(dǎo)通時(shí)間和整個(gè)開關(guān)周期時(shí)間比例恒定，實(shí)現(xiàn)了輸出電流的恒定

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飛翔2004
LV.10
23
2022-11-19 11:17
@opingss88
保持輸出二極管的導(dǎo)通時(shí)間和整個(gè)開關(guān)周期時(shí)間比例恒定，實(shí)現(xiàn)了輸出電流的恒定

主要是通過電阻檢測(cè)原邊電流,控制原邊電流峰值恒定,同時(shí)控制開關(guān)占空比來實(shí)現(xiàn)恒流。

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飛翔2004
LV.10
24
2022-11-19 11:19
@塵埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

同步整流利用mos管的低阻抗，通常為幾十毫歐，同步變壓器的波形驅(qū)動(dòng)MOS管實(shí)現(xiàn)整流，整流效率高，損耗低，功率大。

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opingss88
LV.10
25
2022-11-19 22:39
@k6666
IN3997設(shè)計(jì)的電源，支持外加的StackFET，滿足800V及以上母線電壓，F(xiàn)luxLink反饋鏈路，無需光耦。

反向恢復(fù)時(shí)間長的二極管，反向電流過沖就大，反映到原邊，就是電壓過沖了

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黑夜公爵
LV.10
26
2023-06-06 20:38
@k6666
IN3997設(shè)計(jì)的電源，支持外加的StackFET，滿足800V及以上母線電壓，F(xiàn)luxLink反饋鏈路，無需光耦。

開關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，需要裝散熱片，從而使開關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容

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opingss88
LV.10
27
2023-09-17 21:40
@塵埃中的一粒沙
MOSFET的耐壓,一般根據(jù)負(fù)載的類型來考慮余量。比如是純阻性負(fù)載,開關(guān)頻率很低,那么余量可以小一些。

交流輸入電壓經(jīng)過橋式整流及大電容濾波產(chǎn)生一個(gè)高壓DC電壓

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ehi763
LV.6
28
2023-09-18 21:44
@k6666
現(xiàn)在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+疊加FET(StackFET)，方案的缺點(diǎn)：輸出穩(wěn)壓精度差。

控制方式同時(shí)支持連續(xù)和非連續(xù)導(dǎo)通工作模式，可極大地提高設(shè)計(jì)靈活性，并在所有工作條件下實(shí)現(xiàn)效率最大化。

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tmpeger
LV.10
29
2023-09-23 22:51
@塵埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

從偏置繞組電容連接一個(gè)電阻到旁路引腳，可以從外部向器件供電

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tanb006
LV.10
30
2023-09-25 08:21

900V的內(nèi)部開關(guān)是怎么承受1200V的前級(jí)電壓的？？？

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-10 10:24

為了阻止電源電壓的變化，可以使用穩(wěn)壓器或者電壓鉗位元件

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