主控芯片集成了高壓開(kāi)關(guān)、同步整流和FluxLink反饋功能，適合恒壓/恒流離線反激式電源開(kāi)發(fā)、

適合對(duì)能耗、外形尺寸或熱約束提出嚴(yán)苛要求的電源，特別是那些必須符合強(qiáng)制性總能耗標(biāo)準(zhǔn)的電源。

芯片的封裝11.5 mm爬電距離和電氣間隙，使得可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更強(qiáng)。

PI的FluxLINK通信技術(shù)無(wú)需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進(jìn)行反饋控制.

這個(gè)系列芯片集成了同步整流功能，電源的開(kāi)發(fā)效率高，功耗很低。

芯片具有隔離式數(shù)字通信技術(shù)FluxLink，還具有同步整流、準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)以及精確的次級(jí)側(cè)反饋檢測(cè)和控制電路。

芯片的封裝保證了足夠的爬電距離及電氣間隙，保證大電流的輸出可靠。

該專利技術(shù)可提供非常大的通信帶寬，實(shí)現(xiàn)極快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。

創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù)，省掉了光耦元件，電源的開(kāi)發(fā)質(zhì)量提升不少。

簡(jiǎn)化反激式電源變換器的設(shè)計(jì)，使用貼片封裝沒(méi)有散熱器體積更小了。

這個(gè)技術(shù)是PI的專利技術(shù)，可以有效實(shí)現(xiàn)原次級(jí)的通信，同時(shí)滿足高壓隔離，且內(nèi)部集成。

貼片封裝的產(chǎn)品的確體積小，但導(dǎo)致同型號(hào)下支撐的輸出功率會(huì)小點(diǎn)。

芯片的封裝就能保證爬電距離的技術(shù)參數(shù)要求，這點(diǎn)不用去考慮的。

PI的集成高隔離電壓的功能模塊。同時(shí)又實(shí)現(xiàn)通信，封裝再內(nèi)部。

大功率的快充電源設(shè)計(jì)選擇器件都比較好，質(zhì)量要穩(wěn)定，并且發(fā)熱散熱處理好。

集成度更高，更加緊促，效率更好反而無(wú)需擔(dān)心熱處理；使得設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，功耗也很大幅度提升；

內(nèi)部功率限制功能會(huì)作為輸出過(guò)載的函數(shù)將輸出電壓調(diào)整到設(shè)定的穩(wěn)壓閾值以下

INN3279芯片將一次側(cè)、二次側(cè)和其他電路集成在單一表面芯片封裝中。GaN切換開(kāi)關(guān)取代了 IC 一次側(cè)的傳統(tǒng)硅高壓電晶體，這樣做減少了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)損耗，待機(jī)功耗小，效率高

IC 一次側(cè)的傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過(guò)時(shí)的導(dǎo)通損耗，減少能源浪費(fèi)！

GaN切換開(kāi)關(guān)取代了傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過(guò)時(shí)的導(dǎo)通損耗

非常不錯(cuò)的設(shè)計(jì)，為什么需要外接這么大的電容

集成度越高是不是意味著散熱越不容易

趨勢(shì)是這樣的，但是技術(shù)追求的就是不斷的集成。

用innoswitch可以大幅減小電路板面積 還能有很高的利用率

金屬氧化物壓敏電阻在不同輸入電壓瞬態(tài)期間進(jìn)行箝位，以便為輸入元件提供保護(hù)

USB的接口也能做到20V3A這么60W的輸出嗎？得改成TYPE-C方案才可以吧

如此緊湊的設(shè)計(jì)，怎么樣有效降低信號(hào)間的干擾

氮化鎵有很大的優(yōu)點(diǎn)，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。

在氮化鎵晶體管中，COSS的增加與RDS(ON)的減少之比要低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

InnoSwitch的IC采用了名為FluxLink的磁感耦合技術(shù)，可在省去不可靠的光耦器的前提下同時(shí)對(duì)初級(jí)和次級(jí)MOSFET進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。