調(diào)試附件電路，帶載1A的情況下，通過(guò)單片機(jī)的+48V_CTRL管腳控制MOS管開(kāi)關(guān)，高電平3S，低電平2S，發(fā)現(xiàn)當(dāng)+48V_CTRL管腳拉低時(shí)，會(huì)燒MOS管，嘗試了幾個(gè)型號(hào)的MOS都燒，另外也修改了R11電阻，都沒(méi)有效果，請(qǐng)教各位是什么原因？謝謝！
請(qǐng)教mos管控制電流關(guān)斷時(shí)燒MOS的問(wèn)題
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@11455355
關(guān)斷是由下拉電阻R15和Q3組成的倒向電路完成，這樣關(guān)斷速度可以保障。只是驅(qū)動(dòng)電壓太低，僅僅5V，MOS不能飽和導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)不足處于線性放大工作狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電壓改用12--18V。CTRL拉低，正是MOS導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)通燒管，正是驅(qū)動(dòng)不足的表現(xiàn)。
謝謝糾正。樓主說(shuō)當(dāng)+48V_CTRL管腳拉低時(shí)燒MOS管，說(shuō)明開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電壓不夠，且速度偏慢了。
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@11455355
關(guān)斷是由下拉電阻R15和Q3組成的倒向電路完成，這樣關(guān)斷速度可以保障。只是驅(qū)動(dòng)電壓太低，僅僅5V，MOS不能飽和導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)不足處于線性放大工作狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電壓改用12--18V。CTRL拉低，正是MOS導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)通燒管，正是驅(qū)動(dòng)不足的表現(xiàn)。
您好。這是燒壞時(shí)捕捉到的波形。驅(qū)動(dòng)電壓已經(jīng)改為15V，紅色是IDS，綠色是VGS，應(yīng)該是啟動(dòng)瞬間浪涌電流過(guò)大，將MOS燒壞。不知道可有好的方法能夠抑制這個(gè)浪涌電流？
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這就是電容ESR搗鬼導(dǎo)致的，使用ESR較大的電解電容時(shí)，ESR限制住了流經(jīng)電容的最大電流，所以沖擊電流并不會(huì)太大；而ESR非常小的MLCC，在電源接通的瞬間近乎直接斷路到地，所以會(huì)出現(xiàn)巨大的沖擊電流。我這次算是敗給了直覺(jué)，直覺(jué)認(rèn)為電容量決定了沖擊電流，而實(shí)際上ESR才主導(dǎo)沖擊電流的最大值，電容量更多的是決定充電的總能量（或者說(shuō)電流與時(shí)間的乘積）。元兇找到了，現(xiàn)在的問(wèn)題是如何整改，最簡(jiǎn)單的整改方法就是給MOS管加緩啟動(dòng)電路。緩啟動(dòng)電路以前也沒(méi)少用，不過(guò)這次設(shè)計(jì)偷懶，直覺(jué)又覺(jué)得不會(huì)出問(wèn)題，所以就沒(méi)加上去，結(jié)果翻車了。MOS管緩啟動(dòng)電路的思路非常簡(jiǎn)單，充分利用MOS管的線性區(qū)，不讓MOS管突然從截至跳到飽和就行了，也就是要給Vgs緩慢變化而不是突變，這樣MOS管在上電過(guò)程中相當(dāng)于一個(gè)可變的電阻，可以溫柔地給負(fù)載電容充電而不是一口氣吃一個(gè)胖子。電容兩端電壓不能突變，所以在MOS管的柵極和源極之間跨接一個(gè)電容，柵極通過(guò)電阻或者恒流源緩慢對(duì)電容放電而不是簡(jiǎn)單粗暴開(kāi)關(guān)接短接到地，這樣就能讓Vgs緩慢變化了。
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