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  • 值得討論的一個(gè)知識(shí)點(diǎn)分享:HiperLCS的死區(qū)時(shí)間設(shè)置

值得討論的一個(gè)知識(shí)點(diǎn)分享:HiperLCS的死區(qū)時(shí)間設(shè)置

Hiper控制器內(nèi)部有上下2顆MOS,如果同時(shí)導(dǎo)通相當(dāng)于原邊對(duì)地直接短路,所以必須設(shè)置合理的死區(qū)時(shí)間,避免2個(gè)管子直通。

絕大部分使用HiperLCS的設(shè)計(jì),無論其功率與工作頻率多大,都能以介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間非常穩(wěn)定地工作。

死區(qū)時(shí)間的設(shè)置一般考慮2種條件:

1)低壓/滿載(低頻率)工作具有最優(yōu)的短死區(qū)時(shí)間;

2)最小負(fù)載/高壓(高頻率)工作具有最優(yōu)的長死區(qū)時(shí)間。

上面兩種條件需要折中考慮:

如果設(shè)置的死區(qū)時(shí)間 > 低壓/滿載工作的最優(yōu)的短死區(qū)時(shí)間,會(huì)產(chǎn)生一些ZVS損耗,如果在穩(wěn)態(tài)工作期間不出現(xiàn)低壓/滿載工作條件(即只在瞬態(tài)條件下出現(xiàn),如維持時(shí)間時(shí)出現(xiàn)),這一設(shè)置也是可以接受的。所以在穩(wěn)態(tài)工作期間產(chǎn)生ZVS損耗的工作方式會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部功耗和溫升,應(yīng)予以避免。

如果設(shè)置的死區(qū)時(shí)間 < 高壓/最小負(fù)載工作的最優(yōu)的長死區(qū)時(shí)間,容易造成反饋信號(hào)反向,強(qiáng)制HiperLCS進(jìn)入脈沖串模式。如果所導(dǎo)致的脈沖串模式工作是可以接受的,這一設(shè)置也是可以接受的(也就是脈沖串的重復(fù)頻率不會(huì)產(chǎn)生音頻噪聲。而在強(qiáng)信號(hào)瞬變時(shí),HiperLCS允許進(jìn)入和退出脈沖串模式,且此類情況可以接受)。

關(guān)于脈沖串的工作原理后面會(huì)有講解。

注意,如果前端采用PFC預(yù)穩(wěn),負(fù)載突降,如從滿載卸載進(jìn)去輕載,會(huì)使得輸入電壓呈現(xiàn)短暫的瞬態(tài)overshoot。

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tabing_dt
LV.10
2
2022-01-15 12:47

HiperLCS最高工作頻率為1 MHz,可以大幅的降低磁芯尺寸,內(nèi)部集成了高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)。

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2022-01-15 13:00
@tabing_dt
HiperLCS最高工作頻率為1MHz,可以大幅的降低磁芯尺寸,內(nèi)部集成了高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)。

諧振頻率也不能太高吧,主要考慮到開關(guān)管和整流管的開關(guān)損耗,100K以上開關(guān)損耗會(huì)巨增。

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不可說
LV.5
4
2022-01-22 10:31

樓主的帖子讓我想到發(fā)帖寫啥了,下個(gè)貼說說LLC中死區(qū)時(shí)間咋估算的。

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2022-01-22 14:31

死區(qū)設(shè)置,參考書冊(cè)中一般都給的有把,樣機(jī)上對(duì)應(yīng)實(shí)測(cè)。

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lkings
LV.6
6
2022-01-22 14:33

死區(qū)時(shí)間設(shè)置是個(gè)學(xué)問,大了干擾會(huì)大,小了會(huì)共通

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2022-01-22 15:07

死區(qū)時(shí)間是否允許有共通區(qū)域?有共通一般多少合適?

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2022-01-22 15:09

脈沖串模式,是一種保護(hù)嚒?類似電源打嗝一樣?

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2022-01-22 16:44

絕大部分使用HiperLCS的設(shè)計(jì),無論其功率與工作頻率多大,都能以介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間非常穩(wěn)定地工作。

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小燕紙
LV.5
10
2022-01-22 23:00

介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間可以讓其穩(wěn)定地工作

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liunian0711
LV.1
11
2022-01-25 11:27

一般設(shè)置成多少比較合適

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2022-01-25 11:28
@tabing_dt
HiperLCS最高工作頻率為1MHz,可以大幅的降低磁芯尺寸,內(nèi)部集成了高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)。

頻率提高有利有弊,需要綜合考慮損壞和電感感值、尺寸

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2022-01-25 11:29
@不可說
樓主的帖子讓我想到發(fā)帖寫啥了,下個(gè)貼說說LLC中死區(qū)時(shí)間咋估算的。

好想法,期待你的帖子

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2022-01-25 11:29
@電源技能成長記
死區(qū)設(shè)置,參考書冊(cè)中一般都給的有把,樣機(jī)上對(duì)應(yīng)實(shí)測(cè)。

需要實(shí)測(cè)的

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2022-01-25 11:31
@lkings
死區(qū)時(shí)間設(shè)置是個(gè)學(xué)問,大了干擾會(huì)大,小了會(huì)共通

合理設(shè)置,在全橋看到過占空比過大,到49.5%時(shí),偶然造成偏磁和炸管

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2022-01-25 11:31
@小燕紙
介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間可以讓其穩(wěn)定地工作

是的

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2022-01-25 11:32
@打你不許哭
絕大部分使用HiperLCS的設(shè)計(jì),無論其功率與工作頻率多大,都能以介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間非常穩(wěn)定地工作。

是的,這個(gè)是推薦值

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2022-01-25 11:32
@liunian0711
一般設(shè)置成多少比較合適

文中有推薦值

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Marcia
LV.6
19
2022-01-25 14:45

不錯(cuò)的分享  支持了

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liweicheng
LV.7
20
2022-01-26 17:22

輸入電壓呈現(xiàn)短暫的瞬態(tài)overshoot

有什么措施進(jìn)行抑制?

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liweicheng
LV.7
21
2022-01-26 17:23

PFC預(yù)穩(wěn)是什么樣的模式?采用哪些反饋回路進(jìn)行穩(wěn)定的

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2022-01-27 08:56

如果采用數(shù)字電源,死區(qū)時(shí)間跟MCU時(shí)鐘有關(guān),對(duì)MCU的選擇有什么要求?

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cmdz002
LV.5
23
2022-02-20 10:30

大部分使用HiperLCS的設(shè)計(jì),都能以介于290~360ns之間的死區(qū)時(shí)間非常穩(wěn)定地工作

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魯珀特
LV.4
24
2022-02-21 16:39
@不可說
樓主的帖子讓我想到發(fā)帖寫啥了,下個(gè)貼說說LLC中死區(qū)時(shí)間咋估算的。

如果有估算方法最好不過,最后調(diào)試根據(jù)估算的微調(diào)就可以了。

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liweicheng
LV.7
25
2022-02-25 18:43

關(guān)于脈沖串的工作原理后面會(huì)有講解,上鏈接

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liweicheng
LV.7
26
2022-02-25 18:44

注意,如果前端采用PFC預(yù)穩(wěn),負(fù)載突降,如從滿載卸載進(jìn)去輕載,會(huì)使得輸入電壓呈現(xiàn)短暫的瞬態(tài)overshoot

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liweicheng
LV.7
27
2022-02-25 19:02

死區(qū)時(shí)間的設(shè)置一般考慮2種條件:

1)低壓/滿載(低頻率)工作具有最優(yōu)的短死區(qū)時(shí)間;

2)最小負(fù)載/高壓(高頻率)工作具有最優(yōu)的長死區(qū)時(shí)間

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聽聽1234
LV.5
28
2022-02-28 10:42

死區(qū)解決是一個(gè)比較大的問題。

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