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如果變壓器的磁芯掉了一塊，將導(dǎo)致磁通回路不完整，增加漏磁通，從而降低變壓器的效率、增加損耗，可能引發(fā)過(guò)熱和降低電流承載能力。

MOS晶體管是一種通用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而功率型MOSFET主要用于高功率應(yīng)用，具有較低的導(dǎo)通阻抗和快速開關(guān)特性；IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的優(yōu)良導(dǎo)通性能，適合高電壓和高電流的功率應(yīng)用。

  EAS，全稱為單次雪崩能量（SinglePulseAvalancheEnergy），是MOSFET器件手冊(cè)中一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，用于衡量器件在DS端過(guò)壓極端條件下的能量耐受能力。

MOSFET是一種通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件，其重要參數(shù)包括閾值電壓、漏極電流、導(dǎo)通阻抗等，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+K倍，其中K是該級(jí)放大電路電壓放大倍數(shù)。

InnoSwitch5-Pro內(nèi)部集成了750V或900V的PowiGaN初級(jí)開關(guān)、FluxLink隔離反饋和具備I²C接口的次級(jí)控制器，這種高集成度的設(shè)計(jì)，不僅讓電路更加簡(jiǎn)潔，還大大提升了性能和可靠性。

反激電源的EMI設(shè)計(jì)關(guān)鍵在于優(yōu)化布局、選擇合適的元件和設(shè)計(jì)有效的濾波器。通過(guò)確保短路徑布局并使用地平面，可以降低電流回路的電感，從而減少EMI。此外，使用低EMI的開關(guān)元件和高質(zhì)量的磁性元件能進(jìn)一步降低電磁干擾，而設(shè)計(jì)輸入和輸出的LC濾波器則可以有效抑制高頻噪聲。同時(shí)，加裝金屬屏蔽對(duì)敏感電路部分進(jìn)行保護(hù)也是降低EMI的重要措施。

PI強(qiáng)大的芯片設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成了GaN功率器件，750V耐壓值可以覆蓋很多場(chǎng)景使用，一般不會(huì)擊穿，可靠性高，空載損耗也很低，可小于70mW。

InnoMux開關(guān)振鈴的成因主要包括電源質(zhì)量不穩(wěn)定、開關(guān)速度與特性、PCB布局不合理、負(fù)載阻抗不匹配，以及外部環(huán)境干擾等因素。這些問(wèn)題可能導(dǎo)致信號(hào)反射和干擾，從而產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象。解決此問(wèn)題可以通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、配備適當(dāng)?shù)臑V波措施及負(fù)載匹配等方法來(lái)改善電路的整體性能。

輸出整流在LNK3209GQ的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，由于L1的作用，電流呈斜坡上升并同時(shí)輸送至負(fù)載。