【討論】看看如何改善降低MOS管的發(fā)熱量

這是小弟的電源,是按照top的一種應(yīng)對(duì)高壓的解決方案,但是做了樣板,發(fā)現(xiàn)畫紅線的齊納二極管電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于它的齊納電壓15V,造成mos管發(fā)燙,經(jīng)研究這個(gè)齊納管1N5245發(fā)現(xiàn),它的齊納擊穿電流較大,而方案中為了減少前級(jí)功率消耗,藍(lán)線所示,使用了5個(gè)1M的電阻串連,我的電壓輸入范圍是100VAC~420Vac,顯然縮小電阻加大電流會(huì)使功率消耗加大,大家對(duì)此有無(wú)好的解決方法或建議,請(qǐng)賜教,小弟先謝謝各位的幫助了,急,請(qǐng)直言!!!

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rainsun

LV.6

2005-03-16 08:36

各位兄弟我想出一招不知道可否,請(qǐng)各位兄弟幫小弟拿捏拿捏.原理圖見(jiàn)下帖!

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rainsun

LV.6

2005-03-16 08:49

@rainsun

各位兄弟我想出一招不知道可否,請(qǐng)各位兄弟幫小弟拿捏拿捏.原理圖見(jiàn)下帖!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110934187.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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rainsun

LV.6

2005-03-16 09:13

@rainsun

[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110934187.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

》條件:DC直流電壓輸入變化在100~600V范圍,輸出功率10W,D15齊納管齊納擊穿電流為8.5mA,此處正考慮使用rensas的HZ20-2,它的齊納擊穿電流為2mA.D12和D13是在TOP管關(guān)斷時(shí)起保護(hù)使用.
》分析:第一貼的圖中,如果按照在低壓保證能穩(wěn)到15V,則最小齊納擊穿電流要達(dá)到2mA左右(使用HZ20-2),則R1=100/2mA=50Kohms,那么高壓600V時(shí),流過(guò)R1的電流I=600/50K=12mA,則消耗在R1上的功率為P=12mA*12mA*50K=7.2W,顯然這是不合理的.R1的阻值不能過(guò)小.R1下降能保證Q2的驅(qū)動(dòng)電壓,但是使電源效率低下,R1上升,提高效率,但是齊納管沒(méi)被齊納擊穿,不能完全打開(kāi)Q2,使得Q2溫度過(guò)高.
》思路一:使用較大R1,并使用較小齊納擊穿電流的大電壓穩(wěn)壓二極管替代D15,例如1N5271(100V),但是在溫度上升,齊納擊穿點(diǎn)下降時(shí),造成Q2驅(qū)動(dòng)過(guò)大,極有可能超過(guò)20V.
》思路二:如上圖所示,使用C1并在D12,D13旁邊,這樣在TOP關(guān)斷時(shí),給C1充電,在打開(kāi),齊納二極管需要擊穿電流時(shí),提供擊穿電流2mA,C1在這里起到能量轉(zhuǎn)移作用,R2用來(lái)調(diào)整充放電周期.
》我的個(gè)人結(jié)論,思路二實(shí)現(xiàn)的話,更加可靠,效率更高,但是必須解決以下問(wèn)題:C1必須能提供2mA的電流,且承受1kv電壓,C1的充放電周期須大于開(kāi)關(guān)頻率132khz,但不宜超過(guò)1.5~2倍,否則使得MOS導(dǎo)通器件,驅(qū)動(dòng)不夠,歸結(jié)為C1和R2如何選取才能保證以上條件,請(qǐng)各位幫忙看看.

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rainsun

LV.6

2005-03-16 09:14

@rainsun

》條件:DC直流電壓輸入變化在100~600V范圍,輸出功率10W,D15齊納管齊納擊穿電流為8.5mA,此處正考慮使用rensas的HZ20-2,它的齊納擊穿電流為2mA.D12和D13是在TOP管關(guān)斷時(shí)起保護(hù)使用.》分析:第一貼的圖中,如果按照在低壓保證能穩(wěn)到15V,則最小齊納擊穿電流要達(dá)到2mA左右(使用HZ20-2),則R1=100/2mA=50Kohms,那么高壓600V時(shí),流過(guò)R1的電流I=600/50K=12mA,則消耗在R1上的功率為P=12mA*12mA*50K=7.2W,顯然這是不合理的.R1的阻值不能過(guò)小.R1下降能保證Q2的驅(qū)動(dòng)電壓,但是使電源效率低下,R1上升,提高效率,但是齊納管沒(méi)被齊納擊穿,不能完全打開(kāi)Q2,使得Q2溫度過(guò)高.》思路一:使用較大R1,并使用較小齊納擊穿電流的大電壓穩(wěn)壓二極管替代D15,例如1N5271(100V),但是在溫度上升,齊納擊穿點(diǎn)下降時(shí),造成Q2驅(qū)動(dòng)過(guò)大,極有可能超過(guò)20V.》思路二:如上圖所示,使用C1并在D12,D13旁邊,這樣在TOP關(guān)斷時(shí),給C1充電,在打開(kāi),齊納二極管需要擊穿電流時(shí),提供擊穿電流2mA,C1在這里起到能量轉(zhuǎn)移作用,R2用來(lái)調(diào)整充放電周期.》我的個(gè)人結(jié)論,思路二實(shí)現(xiàn)的話,更加可靠,效率更高,但是必須解決以下問(wèn)題:C1必須能提供2mA的電流,且承受1kv電壓,C1的充放電周期須大于開(kāi)關(guān)頻率132khz,但不宜超過(guò)1.5~2倍,否則使得MOS導(dǎo)通器件,驅(qū)動(dòng)不夠,歸結(jié)為C1和R2如何選取才能保證以上條件,請(qǐng)各位幫忙看看.

希望大家多幫幫忙,我壓力很大,急切需要解決這個(gè)問(wèn)題.

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wuly

LV.4

2005-03-16 09:34

@rainsun

穩(wěn)壓管的特性曲線如下圖,請(qǐng)確定你的穩(wěn)壓管的工作點(diǎn)

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110936800.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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rainsun

LV.6

2005-03-16 09:37

@wuly

穩(wěn)壓管的特性曲線如下圖,請(qǐng)確定你的穩(wěn)壓管的工作點(diǎn)[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110936800.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

這個(gè)我明白 HZ20-2的最小電流是2mA 1N5245的最小電流是8.5mA

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