輻射30M~50M之間超標(biāo)
我一款10W的開關(guān)電源測試在30M~60M之間超標(biāo),請各位DX看看有沒有解決的方法 1470861226059032.pdf 1470861226059087.pdf
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搞好EMI,最關(guān)鍵的是變壓器設(shè)計.
然后PCB布局也很重要. 跳動電流環(huán)路要小, 大電流地與小電流地區(qū)分, 電壓跳動點(diǎn)面積要小, 散熱片接地, EMI元件的位置......太多要注意的東西了;
從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...
你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感, 只有一個680P的Y電容, 除非變壓器設(shè)計得非常好, 否則共模傳導(dǎo)都難過.
至于輻射問題, 試試以下措施:
D5串聯(lián)磁珠;
TH203 7腳到6腳并聯(lián)100P/630V 電容;
變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V 電容;
DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感, 抑制10MHZ-200MHZ的那種, 5-7圈, 9*5*5mm左右的環(huán)型.
R16改為4.7-10歐姆之間.
然后PCB布局也很重要. 跳動電流環(huán)路要小, 大電流地與小電流地區(qū)分, 電壓跳動點(diǎn)面積要小, 散熱片接地, EMI元件的位置......太多要注意的東西了;
從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...
你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感, 只有一個680P的Y電容, 除非變壓器設(shè)計得非常好, 否則共模傳導(dǎo)都難過.
至于輻射問題, 試試以下措施:
D5串聯(lián)磁珠;
TH203 7腳到6腳并聯(lián)100P/630V 電容;
變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V 電容;
DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感, 抑制10MHZ-200MHZ的那種, 5-7圈, 9*5*5mm左右的環(huán)型.
R16改為4.7-10歐姆之間.
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@deep_thought
搞好EMI,最關(guān)鍵的是變壓器設(shè)計.然后PCB布局也很重要.跳動電流環(huán)路要小,大電流地與小電流地區(qū)分,電壓跳動點(diǎn)面積要小,散熱片接地,EMI元件的位置......太多要注意的東西了;從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感,只有一個680P的Y電容,除非變壓器設(shè)計得非常好,否則共模傳導(dǎo)都難過.至于輻射問題,試試以下措施:D5串聯(lián)磁珠;TH2037腳到6腳并聯(lián)100P/630V電容;變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V電容;DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感,抑制10MHZ-200MHZ的那種,5-7圈,9*5*5mm左右的環(huán)型.R16改為4.7-10歐姆之間.
開關(guān)電源的精髓,探討磁性材料的可靠性,平面變壓器的設(shè)計方法,單級PFC高級應(yīng)用.
48199984高級群,
48199984高級群,
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@deep_thought
搞好EMI,最關(guān)鍵的是變壓器設(shè)計.然后PCB布局也很重要.跳動電流環(huán)路要小,大電流地與小電流地區(qū)分,電壓跳動點(diǎn)面積要小,散熱片接地,EMI元件的位置......太多要注意的東西了;從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感,只有一個680P的Y電容,除非變壓器設(shè)計得非常好,否則共模傳導(dǎo)都難過.至于輻射問題,試試以下措施:D5串聯(lián)磁珠;TH2037腳到6腳并聯(lián)100P/630V電容;變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V電容;DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感,抑制10MHZ-200MHZ的那種,5-7圈,9*5*5mm左右的環(huán)型.R16改為4.7-10歐姆之間.
所說的辦法,有些對效率影響挺大的。
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@deep_thought
搞好EMI,最關(guān)鍵的是變壓器設(shè)計.然后PCB布局也很重要.跳動電流環(huán)路要小,大電流地與小電流地區(qū)分,電壓跳動點(diǎn)面積要小,散熱片接地,EMI元件的位置......太多要注意的東西了;從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感,只有一個680P的Y電容,除非變壓器設(shè)計得非常好,否則共模傳導(dǎo)都難過.至于輻射問題,試試以下措施:D5串聯(lián)磁珠;TH2037腳到6腳并聯(lián)100P/630V電容;變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V電容;DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感,抑制10MHZ-200MHZ的那種,5-7圈,9*5*5mm左右的環(huán)型.R16改為4.7-10歐姆之間.
不錯
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@deep_thought
搞好EMI,最關(guān)鍵的是變壓器設(shè)計.然后PCB布局也很重要.跳動電流環(huán)路要小,大電流地與小電流地區(qū)分,電壓跳動點(diǎn)面積要小,散熱片接地,EMI元件的位置......太多要注意的東西了;從原理圖看,初級地線區(qū)分不好...你的10W的機(jī)型沒有共模抑制電感,只有一個680P的Y電容,除非變壓器設(shè)計得非常好,否則共模傳導(dǎo)都難過.至于輻射問題,試試以下措施:D5串聯(lián)磁珠;TH2037腳到6腳并聯(lián)100P/630V電容;變壓器1腳到5腳并聯(lián)1000P/500V電容;DC輸出最靠近DC線的地方加共模高頻抑制電感,抑制10MHZ-200MHZ的那種,5-7圈,9*5*5mm左右的環(huán)型.R16改為4.7-10歐姆之間.
說的有道理,變壓器很關(guān)鍵
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