沒有人能幫我嗎??

散熱片要接地呀

另外你的散熱片尺寸比較大,最好加兩個腳固定,不然生產(chǎn)時工藝會有點問題.

修改EMI的觀念有2, 1. 抑制.2導(dǎo)引.現(xiàn)建議你采用以方案修改:
1:你把兩個Y電容分開來接,一個地對地,另一個高壓對地;
2:用銅泊把X電容包起來,短路后用一導(dǎo)線接入初級地線中(生產(chǎn)時要注意加膠紙)

用銅泊把X電容包起來,短路后用一導(dǎo)線接入初級地線一般可以下降10dB左右

1   500khz肯定是開關(guān)頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅(qū)動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.
2   從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調(diào)整濾波器找出問題的原因.
3   EMC 2要素: 傳播方式/源頭
3.1 傳導(dǎo)傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數(shù)看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證. 濾波器諧振也能放大騷擾.
3.2 源頭高頻和低頻是有區(qū)別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關(guān)的倍頻.前者可以改小驅(qū)動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.
4   直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:
A x電容應(yīng)該最靠近端口,把fuse放到里面去.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
5   EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.

調(diào)一下共模電感的電感量看看

在調(diào)試過程中,有試過散熱片接地,效果不明顯.

好,值得試試,謝謝你的建議.

謝謝關(guān)注.
但是調(diào)前端電感,對低頻比較有效--個人看法.

首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC 有了更多的認識.

1、調(diào)整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;
2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區(qū)別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;
3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關(guān)的倍頻.前者可以改小驅(qū)動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "這個不了解,能否再說仔細一點.
4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?

、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關(guān)的倍頻.前者可以改小驅(qū)動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "
由于波形的上升下降很陡峭,時間很短,所以他的傅里葉分解后頻域就高,高頻分量就很多.開關(guān)頻率一般為幾十到幾百k所以為低頻.

B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
關(guān)于添加RCD會致高頻變差,應(yīng)該是由于D的Trr影響,在D兩端再并聯(lián)RC可解決.

如果說有最終結(jié)果請回復(fù)上來!此兩個方案我以前用的,效果很好,后一方案就是會增加點成本

我建議你把變壓器結(jié)構(gòu)調(diào)整還原為 NP一半,屏蔽,NS,屏蔽,NP另一半,VCC繞組.從你的傳導(dǎo)圖上來看根本上沒余量,你就是整過了500K那點,生產(chǎn)的時候也難以保障.還有你板畫的是不是合理?

還有你的MOS散熱片沒接地,嚴重的不行

初級電流檢測電阻放在大電容底下,這個有點不可取呀,會影響整機壽命.有時間的話,可以重新調(diào)整下LAYOUT.

能否講一下原理.

留個腳印,感覺PCB LAYOUT的不怎么好.初級VCC的地路這遠?

你的Y電容加起來有多大?整個中間頻率都有NG,這個只有兩個地方可以改下去:
1.把Y電容改大
  2.改變壓器的繞法,可以試著把腳位全部反過來.

請問,Y電容的高壓到地的高壓是指 一次側(cè)電解電容正端到二次側(cè)的地嗎???

多謝各位的關(guān)心,我也是剛做電源不久,對 PCB LAYOUT 技巧還不是很了解.
現(xiàn)在這個已經(jīng)沒時間再重新LAYOUT 了.
還有一個:散熱片接地,在認證里面有沒有這方面的要求?歐洲的.
今天其它的事?lián)`了,沒有調(diào)EMC ,明天再就各位的建議,做調(diào)試.
再次謝謝各位的幫忙.

Y電容是兩個472串起來的.
改過,有些效果,但是還是不夠,還要從別的方面再調(diào)整.
高頻變壓器的腳位全反過來是怎樣的反法,謝賜教.

您的意思是電阻發(fā)熱會影響電容吧?
下次會注意,這次恐怕是沒時間了...
謝謝!

你的PCB不重搞可以,但MOS散熱片始終要想辦法接地,哪怕是從螺絲那搞根線焊下來到地.否則輕則有異音,影響傳導(dǎo),重則環(huán)路不穩(wěn),炸機.

想法是對的.
但我還是建議你先把PCB搞好再說,你可以一邊調(diào)試,一邊晚上或什么時候抽空搞PCB.不然后面可能你花的時間會更多.希望我對PCB的判斷是錯的.

1.MOS散熱片要接地
2.變壓器用兩道屏蔽
估計改了就可以了

不知你初級大電容的溫度測試過沒?看到你的圖,共模干擾很嚴重,共模電感量大不一定好,最好多換幾個試試.一般設(shè)計變壓器都是將初級的起點設(shè)定在MOS管的D腳.將D5改成慢速的二極管,Y電容不要串聯(lián),用一顆222基本上夠用了.HS是必須要接地的,當然接地的位置也很重要,線要短,要接到大電容引腳地.再綜合以上各位朋友的建議修改,如果還不行的話還是考慮修改LAYOUT吧,像“斯文敗類”朋友說的那樣,現(xiàn)在有問題不搞好,到以后會花更多時間.

1.次級散熱片接地.
2.改改Y電容.

我的個人經(jīng)驗一般是
1MHZ以內(nèi)
以差模干擾為主,增大X電容就可解決
1MHZ---5MHZ
差模共?；旌?采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并解決;
5M---以上
以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.
對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減/
你可以試試,有什么問題在一起討論!