SIC1182K是PI公司推出的eSOP-R16B封裝的單通道碳化硅（SiC）MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，其內(nèi)部采用固體絕緣FluxLink技術(shù)極大的加強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)器的絕緣性能，SIC1182K的驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)到±8A。

SIC1182K可以通過一個(gè)檢測(cè)引腳來提供短路保護(hù)以及過壓限制，如果所驅(qū)動(dòng)的SiC MOSFET提供電流檢測(cè)端子，SIC1182K還能提供可調(diào)的過流檢測(cè)，以代替短路保護(hù)。VCC引腳和SO引腳（開漏輸出引腳）間應(yīng)接一個(gè)1kΩ上拉電阻RSO，在故障情況下，該電阻能為SO引腳提供至少5mA的電流。次級(jí)側(cè)電源接在VISO引腳和COM引腳之間。VTOT=20V，則導(dǎo)通時(shí)GH引腳電壓VGH=15V（相對(duì)于VEE引腳），關(guān)斷時(shí)GL引腳的電壓VGL=﹣5V（相對(duì)于VEE引腳）。VEE和COM引腳之間、VISO和VEE引腳之間都要接一個(gè)不小于3μF的電容（CS1、CS2），在SiC MOSFET的門極充電時(shí)起緩沖作用。GH和VGXX引腳間要接一個(gè)10nF的電容。

為保證門極電壓的穩(wěn)定和短路期間對(duì)漏極電流的限制，SiC MOSFET的門極通過一個(gè)肖特基二極管DSTO與VISO引腳相連。為避免由系統(tǒng)上電引起的寄生導(dǎo)通，SiC MOSFET的門極通過一個(gè)22kΩ的電阻RDIS與COM引腳相連。

在SNS引腳和SiC MOSFET漏極之間連接一串TVS二極管，以實(shí)現(xiàn)高級(jí)有源鉗位功能。關(guān)斷時(shí)，若流入SNS引腳的電流達(dá)到ISNS，就會(huì)觸發(fā)高級(jí)有源鉗位，從而使GL的電流逐漸減小，通?？蓽p小至20mA，效果遠(yuǎn)強(qiáng)于單獨(dú)由TVS二極管提供的基礎(chǔ)有源鉗位。針對(duì)1200V的SiC MOSFET，由TVS提供的總電壓限制應(yīng)設(shè)為900V。