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適用于高達(dá) 220 W 的 USB PD 3.1 適配器的新型高壓 GaN 解決方案

Power Integrations 宣布推出 InnoSwitch 4-CZ 系列高頻、零電壓開(kāi)關(guān)反激式控制器 IC 的擴(kuò)展產(chǎn)品。當(dāng)與 Power Integrations 的 ClampZeroTM 有源鉗位 IC 以及最近推出的 HiperPFS-5 基于氮化鎵的電源可選配時(shí),這些新 IC 可輕松滿(mǎn)足當(dāng)前高達(dá) 220 W 的適配器和充電器的 USB 供電 (PD) 3.1 規(guī)范。因子校正器(PFC)。

擴(kuò)大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍,使充電器/適配器設(shè)計(jì)人員能夠輕松超過(guò) 23 W/in。3用于單輸出或多輸出 USB PD 3.1 認(rèn)證設(shè)計(jì),最大限度地減少組件并為 130-W USB PD 提供 94% 的效率。

Power Integrations技術(shù)推廣總監(jiān) Andy Smith 在接受 Power Electronics News 采訪(fǎng)時(shí)指出,人們對(duì) USB PD 市場(chǎng)有著濃厚的興趣。USB PD是一種基于USB-C標(biāo)準(zhǔn)的快充技術(shù)。USB-C PD 可以提供比標(biāo)準(zhǔn)壁式充電器更大的電力,因此它對(duì)于快速將電力恢復(fù)到設(shè)備中特別有用??焖俪潆妼?duì)于筆記本電腦、平板電腦和便攜式充電器至關(guān)重要,但家用電器和其他此類(lèi)設(shè)備也開(kāi)始在其設(shè)備中使用越來(lái)越多的 USB 端口。

Power Integrations 長(zhǎng)期致力于 USB PD 領(lǐng)域,推出InnoSwitch解決方案以提高產(chǎn)品的功率密度,使其能夠高效運(yùn)行。GaN 隨后實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。目標(biāo)是支持 USB PD 市場(chǎng)的這種變化,除了高效率外,還需要小尺寸。“每個(gè)人都想要最小的適配器,這意味著最高的效率和最少的組件,所以我們非常努力地支持這個(gè)市場(chǎng),”史密斯說(shuō)。

USB PD技術(shù)

市場(chǎng)需要輕巧、緊湊且功能強(qiáng)大的適配器,能夠快速為其所有關(guān)鍵任務(wù)設(shè)備充電。USB PD 3.1 已將額定功率提高到 240 W,而上一代可以提供 100 W。Smith 強(qiáng)調(diào)了 240-W 市場(chǎng)如何仍在興起,因?yàn)樵诠こ虒用?,這是一個(gè)解決一些耗散挑戰(zhàn)的問(wèn)題,考慮到很小的尺寸。快速充電無(wú)疑是一個(gè)很大的機(jī)會(huì)。

“但我們還需要保持一些基本的行業(yè)特性,例如低功耗、空載消耗和待機(jī)時(shí)的良好效率,”Smith 說(shuō)。“一旦你獲得更高的權(quán)力,這并不容易實(shí)現(xiàn)。另一個(gè)重要的事情是,當(dāng)輸入功率大于 75 W 時(shí),我們顯然需要進(jìn)行功率因數(shù)校正。所以現(xiàn)在我們必須要有一個(gè) PFC 級(jí),還要消除或繼續(xù)消除散熱器。”

根據(jù) Smith 的說(shuō)法,反激式的挑戰(zhàn)之一是開(kāi)關(guān)頻率越高,功率損耗就越高。正如 Smith 解釋的那樣,由于電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)變壓器初級(jí)上的電壓尖峰(圖 1),反激電路需要初級(jí)鉗位,以防止變壓器換向時(shí)初級(jí)開(kāi)關(guān)兩端的電壓升高。傳統(tǒng)方法使用一個(gè)電容器和一個(gè)電阻器來(lái)釋放額外的能量,并在每次發(fā)生開(kāi)關(guān)周期時(shí)產(chǎn)生功率損耗。因此,要實(shí)現(xiàn)高效率,就必須限制開(kāi)關(guān)頻率。將開(kāi)關(guān)頻率限制在 75 kHz 或 80 kHz 會(huì)使電源變壓器變大一些。因此,您要做的是避免初級(jí)鉗位電路斷電。理想情況下,您可以通過(guò)切換功率晶體管來(lái)提高其效率。但您實(shí)際上需要消除鉗位損耗,以使設(shè)計(jì)人員能夠提高開(kāi)關(guān)頻率并獲得更小的變壓器。

圖 1:在傳統(tǒng)反激式中,初級(jí)鉗位電路消耗能量以保護(hù)初級(jí)開(kāi)關(guān)。

“去年,我們推出了帶有有源鉗位電路的 ClampZero,”Smith 說(shuō)。“基本上,鉗位能量存儲(chǔ)在鉗位電容器中,然后我們使用另一個(gè)開(kāi)關(guān)在開(kāi)關(guān)周期的適當(dāng)點(diǎn)將能量引導(dǎo)到輸出級(jí)。初級(jí)鉗位控制、初級(jí)開(kāi)關(guān)控制和同步整流晶體管控制必須非常小心地同步。所以在 InnoSwitch 中,這一切都是通過(guò)次級(jí)側(cè)的主控制器完成的。通過(guò)這種方式,我們用一個(gè)控制器驅(qū)動(dòng)所有三個(gè)開(kāi)關(guān),這有助于精確控制 [圖 2 和 3]。”

圖 2:InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero 通過(guò)消除初級(jí)鉗位和開(kāi)啟損耗在高頻下實(shí)現(xiàn)高效率。

史密斯補(bǔ)充說(shuō):“我們所做的是在打開(kāi)主開(kāi)關(guān)之前短暫打開(kāi)鉗位開(kāi)關(guān)。這使我們能夠?qū)χ麟娫瓷系碾娙葸M(jìn)行放電,并將鉗位能量傳輸?shù)捷敵龆?。這樣,我們使用鉗位能量來(lái)驅(qū)動(dòng)輸出,并通過(guò)初級(jí)開(kāi)關(guān)釋放少量電容,從而實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。”

傳統(tǒng)的互補(bǔ)鉗位工藝只是在反相中打開(kāi)兩個(gè)初級(jí)晶體管。但通過(guò)在電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通前短時(shí)間導(dǎo)通晶體管(非互補(bǔ)模式),可以將能量傳遞到輸出端,降低初級(jí)開(kāi)關(guān)電壓,從而實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。而且,由于兩個(gè)晶體管的動(dòng)作關(guān)系不是固定的,我們可以在連續(xù)和不連續(xù)模式下操作。“在處理 USB PD 時(shí),這一點(diǎn)非常重要,從 5 V/1 A 到可能的 24 V/5 A,輸出負(fù)載波動(dòng)很大,在這些條件下,能夠從不連續(xù)模式過(guò)渡到連續(xù)模式,”Smith 說(shuō)。“這使我們能夠在更廣泛的范圍內(nèi)操作設(shè)備,同時(shí)避免突發(fā)模式。FluxLink 通信機(jī)制允許非常容易地控制所有開(kāi)關(guān)。有必要確保開(kāi)關(guān)周期之間的時(shí)間較短。但當(dāng)然,您需要確保死區(qū)時(shí)間足以防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。”

圖 3:InnoSwitch4-CZ 芯片組與 HiperPFS-5 PFC IC 無(wú)縫運(yùn)行。)

圖 4:USB PD — 130-W 輸出

時(shí)機(jī)很關(guān)鍵;無(wú)論如何,這一切讓我們能夠做的就是提高開(kāi)關(guān)頻率。當(dāng)然,您必須密切關(guān)注 EMI 問(wèn)題。在高頻下切換,需要一個(gè)更大的 EMI 濾波器。根據(jù) Smith 的說(shuō)法,頻率限制在 140 kHz,使我們能夠減小變壓器的尺寸,而不會(huì)遇到太多 EMI 問(wèn)題。

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hellbaron
LV.6
2
2022-05-27 13:51

220W不帶散熱器,扛得住么?

 

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Marcia
LV.6
3
2022-05-27 15:54

w支持

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2022-05-28 10:49

GaNg能夠提高開(kāi)關(guān)頻率并獲得更小的變壓器

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2022-05-28 14:51

這個(gè)芯片散熱設(shè)計(jì)的是依靠PCB覆銅散熱的,如果覆銅散熱不夠的話(huà)還可以填充導(dǎo)熱膠進(jìn)行散熱

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米修兒
LV.4
6
2022-05-28 15:04

隨著COSS的大幅減小,氮化鎵本質(zhì)上比硅更高效,因此有可能提高基于氮化鎵的電源的開(kāi)關(guān)頻率。雖然開(kāi)關(guān)頻率提高會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗,但總損耗仍會(huì)顯著低于硅MOSFET的損耗。

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2022-05-28 15:08

傳統(tǒng)的互補(bǔ)鉗位工藝只是在反相中打開(kāi)兩個(gè)初級(jí)晶體管

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Marcia
LV.6
8
2022-05-28 15:14

可以提高開(kāi)關(guān)頻率試試看

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Marcia
LV.6
9
2022-05-28 15:19

這一切讓我們能夠做的就是提高開(kāi)關(guān)頻率

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tanb006
LV.10
10
2022-05-28 18:10

140K,也不是很高的頻率。如果不考慮EMC,頻率可以再翻一倍。

這還沒(méi)發(fā)揮到零件的性能的30%。

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tanb006
LV.10
11
2022-05-28 18:13
@hellbaron
220W不帶散熱器,扛得住么? 

扛得住。我手頭就有個(gè)用普通MOS做的,功率200瓦,滿(mǎn)功率一點(diǎn)不燙手。雖然沒(méi)精準(zhǔn)的去測(cè)試功率,因?yàn)槭须姷牟ㄐ翁?,用功率?jì)直接在市電測(cè)試的功耗并不準(zhǔn)確。但確實(shí)是可以不用散熱片的。

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天晴朗
LV.6
12
2022-05-28 21:29

反激式的挑戰(zhàn)之一是開(kāi)關(guān)頻率越高,功率損耗就越高

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k6666
LV.10
13
2022-06-02 09:31
@川理學(xué)子
這個(gè)芯片散熱設(shè)計(jì)的是依靠PCB覆銅散熱的,如果覆銅散熱不夠的話(huà)還可以填充導(dǎo)熱膠進(jìn)行散熱

你說(shuō)的這種覆銅、導(dǎo)熱膠都不能降低溫升還有其他措施嗎?功放管的尺寸小,散熱面小,但輸出功率可達(dá)100W,散熱面與散熱工藝的熱阻大,降不下來(lái)怎么整?

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tanb006
LV.10
14
2022-06-20 22:19

頻率越高,變壓器的工藝要求也越高。較少的匝數(shù)會(huì)帶來(lái)相對(duì)較大的漏感。

簡(jiǎn)單說(shuō),一旦匝數(shù)固定下來(lái),漏感也就固定了。接下來(lái)就是裝配磁芯來(lái)達(dá)到需要的初級(jí)電感量。

無(wú)論初級(jí)電感是多大,漏感是不會(huì)有多大變化的,主動(dòng)鉗位可能是高頻下的標(biāo)配電路了。

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2022-06-24 09:22

目標(biāo)是支持 USB PD 市場(chǎng)的這種變化,除了高效率外,還需要小尺寸。

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