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SiC MOS串聯(lián)反激應(yīng)用滿載啟動上管柵極頻繁擊穿損壞

各位電源界的老師好!

最近一個產(chǎn)品項目上需要一款電源,輸出兩組電源,一組24V/4A,一組220V/1A(瞬時,負載28000uF電容)。電源輸入直流電壓范圍500V-1500V,均可滿載工作。我采用兩只SiC MOS串聯(lián)(1700V*2),在應(yīng)用中出現(xiàn)多次上管MOS柵極擊穿,都是在輸出220V帶載28000uF條件下,上電啟動開始充電時損壞。有時更換后也能正常工作,但不是很穩(wěn)定。

主電路原理圖如下: 請老師們幫忙分析一下,是不是設(shè)計有問題?

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2022-06-02 17:38

tp34對地加個緩沖電容試試

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08-16 16:25

你好·,這個問題您解決了嗎?怎么解決的?

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08-17 09:07

上管驅(qū)動的供電源是什么情況?有沒檢測?

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08-18 13:36

SIC的MOSFET在使用時,必須在GS之間并聯(lián)一個容量102至222的電容,以防柵極擊穿。這與是否串聯(lián)無關(guān)。該電容應(yīng)該放在靠近MOSFET引腳處

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