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聊聊反激電源的這個尖峰電壓如何抑制

在PI手冊里看到這樣一個波形，和實際電路測出來的波形也很一致。下面主要來看看這個應(yīng)力尖峰如何消除。

這是反激電源原邊MOS的應(yīng)力波形，很經(jīng)典的一幅圖。簡單來說就是在反激電路中，MOS管關(guān)斷之后變壓器會將原邊的能量轉(zhuǎn)移到副邊。但漏感中的能量卻無法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴。

MOS在關(guān)斷后，其兩端電壓由三部分組成，輸入電壓最大值Vinmax，副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產(chǎn)生的尖峰電壓Vspike。

MOS尖峰必須得到抑制，不能很容易出問題，RCD吸收電路是比較簡單有效，經(jīng)濟(jì)的方案。

MOS開通時刻，能量存儲在勵磁電感Lm和漏感Ls中，當(dāng)MOS關(guān)斷時候，Lm中能量會傳到副邊，但漏感中能量卻不會。

這時候漏感會釋能，D1導(dǎo)通給C1充電，當(dāng)充電電壓到達(dá)Vclamp時，D1截止，C1通過R1放電。因此電阻R需要耗散能量，其封裝選型和Layout應(yīng)滿足散熱設(shè)計。

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天晴朗
LV.6
2
2022-11-12 19:34

漏感中的能量無法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴

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2022-11-18 13:49

這種尖峰電壓無法消除，只能通過電路板布局優(yōu)化，降低它到一個比較合理的范圍內(nèi)就行了 。

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svs101
LV.8
4
2022-11-22 14:48
@方笑塵MK
這種尖峰電壓無法消除，只能通過電路板布局優(yōu)化，降低它到一個比較合理的范圍內(nèi)就行了。

需要電路增加吸收元件，降低尖峰脈沖電壓，保護(hù)芯片工作正常。

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tanb006
LV.10
5
2022-11-24 22:23

用高耐壓的管子就好啊?？梢詼p小RCD的功耗。用管子的實力硬剛尖峰。

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hjk23
LV.2
6
2022-11-25 14:53

想辦法減小變壓器原邊繞組分布電流

0
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2022-11-25 15:42

RCD可以吸收掉，不過會影響效率的，所以要取一個平衡點

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2022-11-25 17:35

這個RCD還得靠測試不停的調(diào)節(jié)，純理論出來的還是有差異。

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2022-11-25 18:01

RCD吸收電路參數(shù)如何來選擇？

 

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dbg_ux
LV.9
10
2022-11-25 20:52
@方笑塵MK
這種尖峰電壓無法消除，只能通過電路板布局優(yōu)化，降低它到一個比較合理的范圍內(nèi)就行了。

尖峰太大跟你變壓器整流輸出整個回路的分布電感有很大關(guān)系

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dbg_ux
LV.9
11
2022-11-25 20:53
@svs101
需要電路增加吸收元件，降低尖峰脈沖電壓，保護(hù)芯片工作正常。

如果你目前沒有別的改善方法而且原邊可以承受的話，我建議將原邊MOS管的開通速度降低一些，這樣對于副邊二極管尖峰電壓也有改善。

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
12
dy-7yarl3tv
LV.3
13
2022-11-25 22:00

RCD吸收是很經(jīng)典，但RCD分為RCD吸收和RCD鉗位沒有講清楚

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海怒
LV.2
14
2022-11-25 22:22

除了rcd還有別的辦法么？

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dy-StTIVH1p
LV.8
15
2022-11-25 23:12

尖峰電壓工作時的輸出功率呈現(xiàn)哪些變化

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聽聽1234
LV.5
16
2022-11-25 23:39

MOS在關(guān)斷后，其兩端電壓由三部分組成，輸入電壓最大值Vinmax，副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產(chǎn)生的尖峰電壓Vspike。

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liweicheng
LV.7
17
2022-11-25 23:51
@天晴朗
漏感中的能量無法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴

雜散電容指哪一部分?層與層還是線與線之間的寄生電容?

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
18
#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
19
#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
20
liweicheng
LV.7
21
2022-11-25 23:58
@lijian_power
RCD可以吸收掉，不過會影響效率的，所以要取一個平衡點

RCD可以有源嵌入位，D可以用MOS替代，也可以用瞬態(tài)二極管，還有變壓器輔助繞組吸收漏感

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
23
#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
24
p537312
LV.4
25
2022-11-26 08:06
@tanb006
用高耐壓的管子就好啊?？梢詼p小RCD的功耗。用管子的實力硬剛尖峰。

耐壓越高的管子價格越高，成本就越高，適可而止為好

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
26
不可說
LV.5
27
2022-11-26 21:56

方法：提前預(yù)防是減小漏感，設(shè)計時用RCD吸收壓制尖峰，調(diào)試時改變開關(guān)頻率/驅(qū)動電阻等壓制

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不可說
LV.5
28
2022-11-26 21:57

還有一點，需要PCB優(yōu)化設(shè)計，減少環(huán)路面積，降低寄生電感和寄生電容

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hellbaron
LV.6
29
2022-11-26 22:21

反激電路吸收一般都是Rcd,我也沒用過別的吸收

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2022-12-23 20:11

記錄一下，以后用的到，感謝分享

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dy-KNLyiTzn
LV.4
31
2022-12-24 13:15

尖峰太高對于CMI處理也是一個難題呀

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