最近在搞一款2KW 12V輸入的逆變

全橋輸出，驅(qū)動(dòng)使用國(guó)產(chǎn)芯片，具體哪家的不方便說(shuō)，免得說(shuō)我打廣告或者污蔑芯片廠家。

使用中發(fā)現(xiàn)如下問(wèn)題，想問(wèn)問(wèn)各位，有用過(guò)PI的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片的給個(gè)意見(jiàn)，看看怎么選型好。

下面我把問(wèn)題具體描述下：

12V經(jīng)過(guò)全橋變壓器后，形成320---450V直流電，然后經(jīng)過(guò)兩組IGBT組成全橋結(jié)構(gòu)，輸出220VAC。

現(xiàn)在的問(wèn)題是要提高后級(jí)全橋的效率，就使勁壓迫IGBT的死區(qū)。

國(guó)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)芯片沒(méi)死區(qū)設(shè)置，只能在驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出之前由專(zhuān)用芯片固定死區(qū)。

然而固定死區(qū)是有劣勢(shì)的。在輕載時(shí)，完全可以減小死區(qū)，因?yàn)殡娏魍衔铂F(xiàn)象并不嚴(yán)重。

在重載的時(shí)候則需要增加死區(qū)時(shí)間，以防止拖尾造成的共通。

國(guó)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)芯片是有檢測(cè)電流的功能，但線(xiàn)路復(fù)雜，而且是用二極管檢測(cè)IGBT管壓降的方式。

二極管的溫漂很大，這給設(shè)計(jì)帶來(lái)了很多不確定性。測(cè)試了很久，始終不能完美準(zhǔn)確的在過(guò)流或者即將共通的時(shí)候關(guān)閉驅(qū)動(dòng)輸出。

不知道PI有沒(méi)有一種驅(qū)動(dòng)芯片，可以根據(jù)輸出功率的大小，主動(dòng)調(diào)整死區(qū)時(shí)間的？

這樣可以壓榨IGBT最后一丟丟性能，使低壓逆變器具有更高的效率。

上圖是書(shū)上截取的一段波形。電流的拖尾時(shí)間確實(shí)與電流有關(guān)，也與DV/DT有關(guān)。

我測(cè)試到的電流波形沒(méi)有這么完美，總有毛刺，所以拿書(shū)上的圖來(lái)借用一下。

現(xiàn)在就是想把這個(gè)電流拖尾給干掉。如果不用IGBT，使用MOS做后級(jí)橋，是不是能避免拖尾炸管的問(wèn)題？

同時(shí)也能解決效率問(wèn)題？有用過(guò)MOS代替后級(jí)橋的朋友嗎？說(shuō)說(shuō)你們的經(jīng)驗(yàn)吧