反激電源如果不追求效率，特別是小功率電源，需要優(yōu)化成本時(shí)一般都選擇次級(jí)二極管整流，簡(jiǎn)單可靠。但對(duì)于大電流的反激電源，雖然使用簡(jiǎn)單的二極管整流器和濾波器足以滿足輸出的需要，但二極管整流的劣勢(shì)會(huì)體現(xiàn)出來(lái)，如果使用SR FET能顯著提高工作效率，進(jìn)而滿足歐洲CoC和美國(guó)能源部(DoE)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。

FET設(shè)計(jì)與選型注意事項(xiàng)：

SR FET柵極應(yīng)直接連接至這款控制器的同步整流管驅(qū)動(dòng)引腳，不在SR FET柵極電路連接任何額外的電阻。SR FET驅(qū)動(dòng)器使用次級(jí)旁路引腳作為供電端，該電壓的典型值為4.4 V。因此不太適合使用高開(kāi)通閾值電壓的MOSFET；開(kāi)通閾值電壓在1.5 V至2.5 V之間的MOSFET較為適合。RDS(ON)一般是 8 mOhm~18mOhm用的比較多。

反激周期開(kāi)始與SR FET導(dǎo)通之間稍微有一點(diǎn)延遲。在此期間， SR FET的體二極管傳導(dǎo)電流。如果使用外部并聯(lián)肖特基二極管，該電流大部分都流經(jīng)肖特基二極管。主要是體二極管壓降一般比肖特基二極管大一些。

InnoSwitch3-CP IC檢測(cè)到反激周期結(jié)束時(shí)， SR FETRDS(ON)兩端電壓達(dá)到0 V，反激周期的剩余部分期間電流將換向至SR FET的體二極管或外部并聯(lián)肖特基二極管。使用與SR FET并聯(lián)的肖特基二極管可以提供更高效率，通常一個(gè)1 A表面貼裝肖特基二極管已足夠滿足使用需要。

 輸出繞組的漏感與SR FET電容(COSS)之間的相互作用會(huì)在繞組的電壓反向（由于初級(jí)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通）時(shí)電壓波形出現(xiàn)振蕩。這種振蕩可通過(guò)使用連接于SR FET兩端的RC緩沖器進(jìn)行抑制。緩沖器電阻阻值范圍介于10 W至47 W之間（較高的電阻值會(huì)導(dǎo)致比較明顯的效率下降）。大部分設(shè)計(jì)當(dāng)中均可采用1 nF至2.2 nF的電容值。