低功率輸出的時候沒有

這是變壓器飽和了！

這個該怎么改善呢，原理是啥

保護電路很靈敏啊，是飽和了，變壓器的氣隙不夠，或者磁芯規(guī)格太小了

http://www.e-ticket.cn/bbs/2462355.html

自己先好好看看帖子吧！

我這個電流波形是不是不太對??，每個周期后面都有個臺階，是不是開關(guān)管打開時機的原因

是挺古怪的，難道是驅(qū)動關(guān)斷了，MOS管沒有完關(guān)斷？又不像是電流拖尾，你最好把圖貼出來，不然不好分析。

而且我的上管用的是驅(qū)動芯片2EDL05I06BF的自舉電路來驅(qū)動的，覺得不靠譜，聽說變壓器驅(qū)動最好，該怎么接呢

通道2，3是上管源極和下管漏極電壓，1通道是PWM信號，4通道是初級側(cè)電流信息，感謝！

想起來了??是我加到CS端的偏置電壓，用來禁掉跳周期模式的，抱歉

http://www.e-ticket.cn/bbs/1489741.html這個帖子里面有，他山之石可以攻玉，多看看他的帖子，對你有很大的幫助。

十分感謝

柵極驅(qū)動芯片用在雙管正激上面沒有問題么？我沒有實際在雙管用上，理論上好像是不行的，自舉電容C7沒有回路給它充電，，像半橋、全橋類的拓?fù)?，自舉電容是通過下管導(dǎo)通電源通過D4給C7充電的。你的電路哪怕Q2導(dǎo)通，這時Q2的S極也是Vbus電壓呀，比電源電壓還高，怎么給C7充電呢？

那個帖子看原理可以，計算還差點，他那變壓器之所以發(fā)燙就是計算錯了

可以的，C7下端連接到初級側(cè)的上端，開關(guān)閉合的時候初級側(cè)的上端被拉到地電位，驅(qū)動芯片通過內(nèi)部二極管向C7充電到15V(就像R9,D4回路)，開關(guān)再打開時HO輸出就會比初級側(cè)的上端即上管的源極高15V

你這示波器不便宜啊

你上管關(guān)斷，下管也關(guān)斷呀，怎么把初級測上端拉到地電位的？

都關(guān)斷的時候初級電感沒了供電，電流減小，電感會產(chǎn)生反向電動勢來阻礙電流減小，就是上負(fù)下正

你好好考慮吧，我不認(rèn)為你說的是對的。

https://bbs.21dianyuan.com/thread-313336-1-1.html這是其他網(wǎng)站的帖子，自己研究研究吧

http://www.e-ticket.cn/bbs/2445343.html這是他們本網(wǎng)站的帖子

這個很明顯是飽和了，估計是匝數(shù)太少了吧！發(fā)一下變壓器計算過程及圖紙幫你核算一下，反正我用EC42做360W一點問題沒有，從來沒有歸到過飽和過。

ETD39,初級側(cè)66匝電感3mH,次級18匝200uH，開過氣隙，三明治繞法，很細(xì)的多股線，感謝，你也是雙管正激嗎

你對自舉驅(qū)動的理解是錯誤的，雙管正激，雙開關(guān)閉合的時候你的自舉電容負(fù)極根本不是低電位，而是300V電位，懂了嗎？原因就是上管的S極和下管的D極之間是變壓器初級電感。

而半橋的上管S極和下管D極是接在一起，所以半橋適合自舉（下管導(dǎo)通的時候自舉電容充電）。

首先來分析半橋電路用自舉，半橋下管導(dǎo)通時，自舉二極管對自舉電容充電，自舉電容儲存電荷；在半橋下管關(guān)斷時，上管導(dǎo)通，自舉電容儲存的電荷對上管進行放電驅(qū)動。雙管正激下管導(dǎo)通，上管同時導(dǎo)通，自舉電容如何能儲存電荷？儲存那么一點點電荷是不能驅(qū)動上管的，現(xiàn)在問題是，要么你換變壓器驅(qū)動，要么把上管改成輔助供電，個人認(rèn)為變壓器驅(qū)動更簡單可靠穩(wěn)定。

雙開關(guān)關(guān)閉的時候自舉電容負(fù)極是低電位,因為磁心要復(fù)位，D6、D9存在的原因就是提供復(fù)位回路，同時把上管S鉗位于地電位，下管D級鉗位于Vbus，參考我在11樓回復(fù)的圖片，是實測，磁心復(fù)位以后上管S和下管D才恢復(fù)到0.5倍Vbus，不過我的變壓器飽和可能確實與自舉驅(qū)動有關(guān)，我在考慮換變壓器驅(qū)動，您很有經(jīng)驗，可以給我分享個參考嗎

你輸出是多少功率？我用我的12V的換成了這個變壓器計算了一下，匝數(shù)完全沒問題，實際上40多匝就可以，不過我是計算的220V單電壓的，你這個輸出電壓是24V嗎？我根據(jù)24V可以計算出一個參數(shù)為65：16匝，初級勵磁電感2.5mH，你那個應(yīng)該是沒有問題的。下圖是我前段時間調(diào)試完成的，輸出為15V 20A，變壓器EC42  45:8匝，2.4mH,電感用的是36uH，測量的照片沒有拍照。

閉合就是開通，上面我已經(jīng)跟你指出雙管開通時自舉電容的負(fù)極是+300V電位。你到現(xiàn)在還要說雙管同時開通時，自舉電容負(fù)極是低電位？

上管開通時，上管的D和S是通的，上管的D是300V，自舉電容的負(fù)極是接在上管的S極，上管開通時自舉電容負(fù)極是不是+300V電位？

上管和下管之間有變壓器初級電感，上管永遠不可能低電位，要想上管舉起來，要很多個周期之后。

口誤，已更正，我看成你說關(guān)斷的時候了，你可以再看看，導(dǎo)通的時候也是一樣的，因為在關(guān)斷的時候已經(jīng)電容兩端已經(jīng)是15V了，驅(qū)動芯片的高側(cè)浮動地，連接著你說的300V，打開時HO輸出比VS高的電壓，從而打開MOS，從圖里可以看到，但是這都不是重點，關(guān)鍵是我這變壓器飽和是不是由于自舉的關(guān)系