殘荷聽雨：
針對(duì)你那個(gè)措施1，就算增加Cgs是不可能消除米勒效應(yīng)的，因?yàn)殚_關(guān)導(dǎo)通分四個(gè)階段（你可以查資料，這里不多說(shuō)）第一階段是VGS電壓從零上升到VTH，此階段就是一個(gè)RC充電過(guò)程；第二階段是VGS電壓從VTH上升到VTH+IO/g，此階段就是電流開始增加，和MOS的跨導(dǎo)相關(guān)，VDS電壓不變；第三階段是VGS電壓為VTH+IO/g恒定不變，VGD的電壓由（VTH+IO/g-VIN）變成VTH+IO/g，這個(gè)階段才是米勒效應(yīng)階段，其米勒電容（Cgd）的一個(gè)放充電過(guò)程，米勒電容的充放電只有2個(gè)路徑，一個(gè)是Cgd——地——Cgs——Cgd，另外一個(gè)路徑就是Cgd——地——Rdrve——Cgd，但Vgs電壓不變，因此，只能通過(guò)Cgd——地——Rdrve——Cgd路徑放充電，而米勒效應(yīng)完全由Cgd與Rdrve決定，和Cgs電容沒(méi)有關(guān)系，增加它是不能消除米勒效應(yīng)的。針對(duì)措施3，前半句沒(méi)毛病，后半句不準(zhǔn)確，可以參考上面解釋。