功率半導(dǎo)體中的米勒平臺(tái)（Miller Platform）是指在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的柵極驅(qū)動(dòng)過程中，柵極電壓（Vgs）在達(dá)到一定值后，即使柵極電荷繼續(xù)增加，Vgs也保持不變的一個(gè)階段。這個(gè)現(xiàn)象是由米勒效應(yīng)（Miller Effect）引起的，米勒效應(yīng)是指在MOSFET的柵源極（Cgs）和柵漏極（Cgd）之間的寄生電容在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。

米勒平臺(tái)的形成原因：

柵極充電過程：在MOSFET的開啟過程中，柵極電壓Vgs開始上升，隨著柵極電荷的增加，Vgs也隨之增加。當(dāng)Vgs增加到米勒平臺(tái)電壓Vp時(shí)，即使柵極電荷繼續(xù)增加，Vgs也保持不變，因?yàn)樵黾拥臇艠O電荷被用來給Cgd電容進(jìn)行充電。

米勒電容的作用：米勒電容（Cgd）在MOSFET導(dǎo)通時(shí)，將柵極充電電流吸收到漏極，造成Cgs充電減小，形成電壓平臺(tái)。

柵極電壓變化：在米勒平臺(tái)期間，Vds開始下降，米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間即為Vds電壓從最大值下降到最小值的時(shí)間。米勒平臺(tái)時(shí)間與電容Cgd大小成正比。

改善對(duì)策：

選擇合適的門極驅(qū)動(dòng)電阻RG：通過選擇合適的門極驅(qū)動(dòng)電阻，可以減少米勒效應(yīng)的影響。

在門極G和射極E之間增加電容：增加電容可以延長(zhǎng)米勒平臺(tái)時(shí)間，達(dá)到電壓緩啟動(dòng)的目的。

采用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)：負(fù)壓驅(qū)動(dòng)可以減少米勒效應(yīng)的影響。

門極有源鉗位：通過門極有源鉗位技術(shù)，可以抑制電壓尖峰，減少米勒效應(yīng)的影響。