輸出整流 在LNK3209GQ 的導(dǎo)通時間內(nèi)，由于L1的作用，電流呈斜坡上升并同時輸送至負(fù)載。在關(guān)斷時間，高壓電源被切斷，電感電流通過由續(xù)流二極管D1和D2提供的路徑斜坡下降，并輸送至負(fù)載。由于MCM操作和高環(huán)境溫度要求，二極管D1和D2選擇為超快恢復(fù)二極管（建議tRR為35納秒或更低）。 具有高阻斷電壓和低tRR的二極管不常見，因此采用兩個二極管串聯(lián)的方式，以滿足二極管70%的重復(fù)峰值反向電壓降額要求。電容C5的選擇是為了滿足輸出電壓紋波要求。其他考慮因素包括電容器的預(yù)期最小壽命為40,000小時以及足夠的電容器紋波電流額定值。電容C6進(jìn)一步過濾高頻輸出電壓紋波。.
在LNK3209GQ 的關(guān)斷時間，電容C4通過二極管D3充電至輸出電壓。這個電壓通過由電阻R1和R2形成的分壓器提供給IC作為反饋?？刂破髟诿總€開關(guān)周期對FEEDBACK（FB）引腳進(jìn)行采樣。進(jìn)入FB引腳的電流大于49 µA將抑制內(nèi)部功率MOSFET的開關(guān)，而低于此電流則允許開關(guān)周期發(fā)生。 由于輸入電壓與輸出電壓之間的差異較大，IC1的導(dǎo)通時間變得非常短。由于操作是開關(guān)式的并且高度依賴于C4上的電壓，反饋響應(yīng)可能非常激進(jìn)，導(dǎo)致脈沖聚束和更高的輸出紋波。為了緩解這種情況，一個電阻R4與C4串聯(lián)放置。電阻R4降低了反饋靈敏度并穩(wěn)定了控制環(huán)路，從而使得開關(guān)脈沖分布更加均勻。
