初次聽到寬禁帶還是很陌生的，不知道是哪類產(chǎn)品，相信很多電源網(wǎng)的用戶都一樣，下面一張圖分享給大家來清晰講下這里半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體的禁帶寬度介于導(dǎo)體和絕緣體之間。寬禁帶半導(dǎo)體就是禁帶寬度大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體的一種半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

作為第三代半導(dǎo)體材料，寬禁帶半導(dǎo)體相比于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料都有哪些優(yōu)勢呢？

SiC和GaN具有更寬的禁帶寬度，從而使其擁有更高的擊穿電場強(qiáng)度，此外寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相較于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料硅（Si）擁有更高的臨界電場強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更大的飽和電子漂移速率，材料性能可以說是單方面碾壓傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅（Si）。寬禁帶半導(dǎo)體材料的這些優(yōu)異性能，使得利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作的半導(dǎo)體功率器件更能滿足現(xiàn)代工業(yè)對于高功率、高電壓、高頻率、小體積的需求。

目前PI寬禁帶產(chǎn)品有很多，技術(shù)很成熟了。GaN具有很多優(yōu)勢，導(dǎo)通損耗小，效率高，功率密度高，基本無需散熱，PI的GaN也有正壓驅(qū)動產(chǎn)品，控制變簡單了。PI產(chǎn)品可靠性很高，市場應(yīng)用比較廣泛。