隨著快充技術(shù)的不斷演進(jìn)，市面上的快充適配器競爭也越來越激烈。無論是手機(jī)、筆記本，還是其他便攜設(shè)備，用戶對于充電器的要求基本集中在兩個極限： 一個是效率極限，一個是體積極限。
高效能意味著充電器能夠更快更穩(wěn)定地充電，同時發(fā)熱更??；小體積則意味著便攜性提升，符合現(xiàn)代用戶“輕量化”的使用習(xí)慣。
在這種背景下，Power Integrations推出的PowiGaN系列芯片，特別是InnoSwitch4-CZ系列，可以說是完美契合了這兩個核心需求。
? 效率方面，得益于GaN（氮化鎵）材料本身的特性，PowiGaN開關(guān)器件能支持更高頻率的工作，同時開關(guān)損耗極低。 這直接讓系統(tǒng)整體效率大幅提升，即使在PD3.1（最高支持240W輸出）這種大功率快充標(biāo)準(zhǔn)下，也能輕松突破95%的整機(jī)效率大關(guān)。
在傳統(tǒng)硅基MOS器件中，通常100W輸出時要么是發(fā)熱較大，要么轉(zhuǎn)換效率掉到91%以下，而采用PowiGaN之后，滿載效率可以穩(wěn)定維持在95%以上， 不僅減少了能量浪費，也大大降低了熱管理設(shè)計壓力。
? 體積方面，PowiGaN支持的高頻工作特性，讓變壓器、濾波電感和相關(guān)磁性元件的尺寸都可以縮小。 整個適配器的外殼可以做得更薄更小，最終形成市面上非常受歡迎的“超薄快充”產(chǎn)品。
比如我親自測試過一款基于InnoSwitch4-CZ開發(fā)的100W 1A1C快充板子：
全負(fù)載效率達(dá)到95.6%，即使長時間工作，表面溫升控制在50℃以內(nèi)，表現(xiàn)非常優(yōu)秀；
相較于傳統(tǒng)硅MOS方案，重量輕了30%左右，體積縮小了20%左右；
而且整個充電器方案只用了極少量的外圍器件，PI的高度集成化設(shè)計思路，讓開發(fā)周期也明顯縮短。
做適配器開發(fā)的人都知道，功率密度越高，設(shè)計難度越大。而PowiGaN芯片的出現(xiàn)，可以在一定程度上“拉平”這種挑戰(zhàn)， 讓中小型開發(fā)團(tuán)隊也能輕松做出高水平的產(chǎn)品。
