關(guān)于墻壁插座的USB PD快充應(yīng)用，PI可提供成熟的技術(shù)方案供客戶選擇。墻壁插座盒內(nèi)部空間受限，充電器的體積也要做的很小。同時(shí)插座盒內(nèi)部沒(méi)有高效的熱量散發(fā)路徑，極高的效率和高熱穩(wěn)定性則成為必須。PI采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3系列高集成芯片非常適合在墻壁插座內(nèi)部使用，其所支持的獨(dú)特均流架構(gòu)亦適用于多口方案。PowiGaN氮化鎵技術(shù)可以降低初級(jí)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

         電源使用INN3270C PowiGaN開(kāi)關(guān)芯片，支持5-20V輸出，輸出功率為60W，支持5V6.5A、9V5A、15V3A、20V3A輸出，滿載輸出效率高于94%，通過(guò)變壓器設(shè)計(jì)以及選擇合適的有源器件和偏置電壓來(lái)優(yōu)化效率，在50℃環(huán)境溫度下器件溫度低于100℃，待機(jī)功率小于40mW，TYPE-C接口，具備過(guò)流、過(guò)壓和過(guò)熱保護(hù)功能等。額外增加的與SR MOSFET并聯(lián)的肖特基二極管可以略微提高效率。在次級(jí)MOSFET導(dǎo)通開(kāi)始期間以及次級(jí)電流達(dá)到零或次級(jí)MOSFET關(guān)斷之前，該二極管導(dǎo)通而不是MOSFET體二極管導(dǎo)通。這些轉(zhuǎn)換延遲是有必要的，因?yàn)榭梢员苊馀c初級(jí)MOSFET的交叉導(dǎo)通。