這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術(shù)，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓800V，導(dǎo)通內(nèi)阻110mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關(guān)速度快，損耗低，可以大大提高系統(tǒng)能效。

CE65H110DNDI的柵極驅(qū)動電壓范圍±20V，大大提高了系統(tǒng)可靠性，兼容傳統(tǒng)硅MOS驅(qū)動器，簡化電路設(shè)計(jì)，采用DFN8*8封裝。

Corenergy GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的開關(guān)速度和更低的動態(tài)導(dǎo)通電阻提供了更好的效率，與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比具有顯著的優(yōu)勢。

應(yīng)用：適配器，電子電信和數(shù)據(jù)通信，伺服電動機(jī)，汽車。

一般特性：易于驅(qū)動，與標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動器兼容，低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

好處：通過快速切換提高效率，功率密度增加。

提供樣品，技術(shù)支持。---13416384212賴