InnoSwitch3-EP在一個(gè)表面貼裝封裝內(nèi)集成了初級(jí)電路、次級(jí)電路和反饋電路。在一些器件中，氮化鎵開(kāi)關(guān)替換了IC初級(jí)的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動(dòng)期間的傳導(dǎo)損耗，并極大降低工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP－24D封裝提供更大的輸出功率。 這些器件集成了多種保護(hù)功能，包括線路過(guò)壓和欠壓保護(hù)、輸出過(guò)壓和過(guò)流限制以及過(guò)溫關(guān)斷?，F(xiàn)有器件提供標(biāo)準(zhǔn)和峰值功率輸出選項(xiàng)，以及常用的自動(dòng)重啟保護(hù)功能。

     電源為一款17W單路輸出電源設(shè)計(jì)方案，其采用InnoSwitch3-EP系列INN3694C電源芯片，能夠?qū)崿F(xiàn)寬范圍輸入（90Vac-265 Vac）和雙路輸出12V1A和5V1A），其滿載時(shí)效率大于85％，空載功耗非常低，具備出色的CV/CC精度，且不受外部組件參數(shù)誤差的影響?？赏ㄟ^(guò)調(diào)整外部電流檢測(cè)電阻的數(shù)值來(lái)調(diào)整整個(gè)電源的輸出過(guò)載保護(hù)點(diǎn)。如果采用其獨(dú)特的1250V PowiGaN技術(shù)帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗僅為同等硅器件的三分之一，且空載功耗低于30毫瓦。這一特性使得InnoSwitch3-EP在更高輸入母線電壓的應(yīng)用當(dāng)中，仍然能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)93%的變換效率。而且即使在高達(dá)85W的輸出功率情況下也無(wú)需散熱片。另外在設(shè)計(jì)時(shí)要注意用3694C做反激電源設(shè)計(jì)時(shí)，一定要確保BPP的引腳電壓在6V左右，同時(shí)在芯片沒(méi)有正常工作時(shí)也可以看下是否是BPP的供電電壓太低造成的。