個人認為并在開關(guān)管上面,主要是降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力,吸收關(guān)斷時的電壓尖峰.

并聯(lián)在線圈上,過高的尖峰電壓通過吸收網(wǎng)絡(luò)流向電源,能抑制電壓尖峰;
并聯(lián)在開關(guān)管上,過高的尖峰電壓通過吸收網(wǎng)絡(luò)流向地,同樣能抑制電壓尖峰.

兩種方式目的都是一樣的,都是要抑制尖峰電壓,降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力,但這二者之間有何差異?各有何利弊?

并聯(lián)在線圈上參數(shù)選擇較為容易,而且可以輕松實現(xiàn)電壓鉗位;
如果并在開關(guān)管上面,開通,關(guān)斷,RC都會損失能量,開關(guān)管容易發(fā)熱,參數(shù)選擇也要更加慎重

無論是并在線圈上,還是并在開關(guān)上,尖峰電壓的吸收電流通路不都是通過吸收回路返回到電源端或地端,并不會通過開關(guān)管,為什么并在開關(guān)管上開關(guān)管更容易發(fā)熱呢?

吸收回路無非就是RCD之類,一般情況下,并在開關(guān)管上,開通時會延長開通時間,并且有些吸收會通過開關(guān)管放電,要看具體的線路

我現(xiàn)在做的一個低壓升高亞的DC/DC,批量中發(fā)現(xiàn)并在線圈上的RCD(C并R再串D)吸收網(wǎng)絡(luò),有時反而不好,主要有時有R反而比沒有R的尖峰更高,或者初級損耗比正常狀態(tài)下嚴重偏大,導致開關(guān)管嚴重發(fā)熱損壞.實驗發(fā)現(xiàn)反而是C串D,電壓尖峰相對比較低,初級損耗更小,開關(guān)管不會發(fā)熱

如果只是C串D的話,C上的電壓沒有瀉放渠道,應(yīng)該對抑制尖峰電壓無效的阿,實驗結(jié)果反而這樣有效,而且有的時候比RCD都更有效

你這是個誤區(qū),如果沒有R,C上充的電是不能釋放的,它會把電荷積累到最高尖峰,這樣這個電路就起不到保護MOSFET的作用了,也抑制不了電壓尖峰.
輸出躁聲會增大,而且MOSFET也危險,因為你現(xiàn)在的是低壓電源,你的MOSFET已經(jīng)選了很高耐壓,所以問題沒有暴露出來
RCD之所以會造成損耗增大是因為R在消耗能量
RCD與正激的復(fù)位繞組不同,并不能把能量返回母線或者回地,它的作用就是保護MOSFET和抑制躁聲,在正激拓撲中它的另外作用是幫助磁芯復(fù)位.
接Np兩端MOSFET的電壓鉗位在2Vdc,接MOSFET鉗位低于2Vdc,前者要求MOSFET耐壓應(yīng)力更高,但是后面的情況在MOSFET要求電流應(yīng)力更大.
所以設(shè)計的時候根據(jù)不同情況選取不同電路方式.

我實際觀察尖峰電壓,確實有的時候沒有R尖峰反而更小,加上R尖峰更高,有點糊涂

可以在C上面再串一個小電阻看看效果

小電阻還沒加,先看看別的實驗結(jié)果