在量產(chǎn)過程中,看到經(jīng)常有全橋MOS管損害的現(xiàn)象,管子用的是ST的5N50.大家有碰到過類似的問題嗎?請問是什么原因.
另外,展日款HID全橋上面有并聯(lián)2個(gè)1.5KE91和4.7UF電解電容的保護(hù)電路,這條電路我已經(jīng)拿掉了,是不是跟這個(gè)有關(guān)系?但好像其他方案的都沒有這條保護(hù)電路.求高手解答.謝謝.
展日hid全橋MOS容易壞,何解?
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技術(shù)方面不太懂,不知橋MOS管容易損壞是否與橋MOS管的耐壓和RSD(ON)有一定的關(guān)系;另外推薦給大家兩款不錯(cuò)的MOS管;英飛凌的COOLMOS:SPD04N60C3,SPD07N60C3;同樣是DPAK(TO252)封裝,更高的耐壓,只有普通MOS管一半左右的導(dǎo)通電阻值.降低整機(jī)的損耗!
SPD07N60C3:
518961242356735.pdf
SPD04N60C3:
518961242357058.pdf
SPD07N60C3:
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1.5ke91是瞬態(tài)抑制二極管,和4.7uF電解共同起到吸收高壓包\變壓器所產(chǎn)生的電壓尖峰的作用.所以去掉肯定會(huì)有影響,但也不是絕對(duì),現(xiàn)在很多工廠為降成本改為用壓敏電阻,調(diào)節(jié)得當(dāng)也能把返修率控制得很低.
燒全橋管MOS和高壓包\變壓器匝數(shù)比,漏感,MOS驅(qū)動(dòng)電路,保護(hù)電路都可能有關(guān)系,要具體問題具體分析.
HID全橋MOS的工作條件和一般開關(guān)電源不同,選擇也有技巧,不能只看標(biāo)稱耐壓和電流,DV/DT,DI/DT能力很重要,同時(shí)也要關(guān)心是哪種工藝制造的MOS,并不是用了大牌子的就好,大牌子也有不同的工藝,是分別對(duì)應(yīng)不同的應(yīng)用條件優(yōu)化的.
我公司是專業(yè)的HID行業(yè)MOSFET供應(yīng)商,在HID行業(yè)有近50%的市場占有率,歡迎有興趣者來電交流心得,互通有無.同時(shí)無償提供全數(shù)字單芯片HID方案(9V-32V輸入,效率85%以上,成本50元以下).
廣州友尚電子有限公司
譚振興
020-87677406,87760793
13352856348
TANZHENXING@VIP.163.COM
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HID全橋MOS的工作條件和一般開關(guān)電源不同,選擇也有技巧,不能只看標(biāo)稱耐壓和電流,DV/DT,DI/DT能力很重要,同時(shí)也要關(guān)心是哪種工藝制造的MOS,并不是用了大牌子的就好,大牌子也有不同的工藝,是分別對(duì)應(yīng)不同的應(yīng)用條件優(yōu)化的.
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