mosfet的驅(qū)動(dòng)電流和柵極電阻Rg的選擇問(wèn)題大家可以討論一下嗎?

在一篇資料(MICROCHIP的)上看到了這個(gè)計(jì)算公式它還否定了以前我們常用的計(jì)算公式(switch power design上的公式),我按照他說(shuō)的計(jì)算了一下,可和switch power design上的公式有明顯的差別而且還比較懸殊．

IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=86+16=102ns  QG=140nc
則IG = QG/t導(dǎo)通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驅(qū)動(dòng)存在問(wèn)題.
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=125+18=144ns  QG=79nc(TYPE)
則IG = QG/t導(dǎo)通=79/144=0.55A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=180+30=210ns  QG=120nc(MAX)
則IG = QG/t導(dǎo)通=120/210=0.57A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=105+20=125ns  QG=55nc(min)(IR公司的)
數(shù)據(jù)不全
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=190+35=225ns  QG=155nc(max)(IR公司的)
則IG = QG/t導(dǎo)通=60/125=0.69A(2N6766)

如果按照輸入電容的公式進(jìn)行計(jì)算是這樣的,差別很大

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lzgjxh

LV.7

2005-08-09 13:11

現(xiàn)在我真的想知道到底哪個(gè)公式比較合理,差別接近3倍的關(guān)系.還有就是這個(gè)電流和電阻Rg的選擇到底有什么樣的關(guān)系,如何計(jì)算出來(lái)的.

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lzgjxh

LV.7

2005-08-09 13:31

@lzgjxh

高手出出手,兄弟我再線等.

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shs6319

LV.4

2006-04-27 20:13

頂

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yuuchuang

LV.2

2007-01-07 00:40

這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該頂,高手出來(lái)解釋解釋啊!最近我也在研究MOFET的損耗問(wèn)題!

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洪七公

LV.9

2007-01-07 13:16

@yuuchuang

這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該頂,高手出來(lái)解釋解釋啊!最近我也在研究MOFET的損耗問(wèn)題!

頂,望知道的兄弟請(qǐng)回答.Ig和Mosfet的開(kāi)關(guān)損耗究竟如何計(jì)算?

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xiaodong

LV.9

2007-01-07 14:56

先頂一下

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kugen

LV.1

2007-01-07 17:03

個(gè)人認(rèn)為,不同的驅(qū)動(dòng)方式,采用不同的公式.Rg影響MOSFET的上升時(shí)間和下降時(shí)間

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洪七公

LV.9

2007-01-07 18:58

@洪七公

頂,望知道的兄弟請(qǐng)回答.Ig和Mosfet的開(kāi)關(guān)損耗究竟如何計(jì)算?

不過(guò)有一點(diǎn)不明,驅(qū)動(dòng)mosfet要這么大驅(qū)動(dòng)電流嗎?那開(kāi)關(guān)在Mosfet GS上消耗功率不是很驚人?

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wjoyn

LV.6

2007-01-07 19:09

考慮的角度不同

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hong_t

LV.6

2008-01-19 21:31

@wjoyn

考慮的角度不同

這么久也沒(méi)人出來(lái)給個(gè)說(shuō)法? 我也看過(guò)這個(gè)算法, 但第一個(gè)公式應(yīng)是還有一個(gè)系數(shù)0.5

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coolday186

LV.3

2008-03-28 15:31

Qg與CISS有關(guān),但不是直接關(guān)系.你這樣算不準(zhǔn)
直接找資料上Qg的值 1798931206689506.pdf

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strike

LV.4

2010-05-12 00:29

對(duì)不對(duì)??？這么大的驅(qū)動(dòng)電流，Rg的功率要多大??？

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braverider

LV.4

2010-05-12 20:19

@strike

對(duì)不對(duì)?。窟@么大的驅(qū)動(dòng)電流，Rg的功率要多大??？

這計(jì)算的是門(mén)極最大驅(qū)動(dòng)電流,對(duì)一個(gè)MOSFET來(lái)說(shuō),只有導(dǎo)通瞬間會(huì)達(dá)到最大電流,所以對(duì)于門(mén)極電阻來(lái)說(shuō),只有一個(gè)和PWM頻率相同的脈沖串通過(guò)門(mén)極電阻.因此門(mén)極電阻的功率不需要很大.一般0805的貼片電阻即可.

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