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mosfet的驅(qū)動(dòng)電流和柵極電阻Rg的選擇問題大家可以討論一下嗎?

在一篇資料(MICROCHIP的)上看到了這個(gè)計(jì)算公式它還否定了以前我們常用的計(jì)算公式(switch power design上的公式),我按照他說的計(jì)算了一下,可和switch power design上的公式有明顯的差別而且還比較懸殊．

IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=86+16=102ns  QG=140nc
則IG = QG/t導(dǎo)通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驅(qū)動(dòng)存在問題.
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=125+18=144ns  QG=79nc(TYPE)
則IG = QG/t導(dǎo)通=79/144=0.55A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=180+30=210ns  QG=120nc(MAX)
則IG = QG/t導(dǎo)通=120/210=0.57A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=105+20=125ns  QG=55nc(min)(IR公司的)
數(shù)據(jù)不全
IG = QG/t導(dǎo)通   t導(dǎo)通=190+35=225ns  QG=155nc(max)(IR公司的)
則IG = QG/t導(dǎo)通=60/125=0.69A(2N6766)


如果按照輸入電容的公式進(jìn)行計(jì)算是這樣的,差別很大
全部回復(fù)(15)
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lzgjxh
LV.7
2
2005-08-09 13:11
現(xiàn)在我真的想知道到底哪個(gè)公式比較合理,差別接近3倍的關(guān)系.還有就是這個(gè)電流和電阻Rg的選擇到底有什么樣的關(guān)系,如何計(jì)算出來的.
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lzgjxh
LV.7
3
2005-08-09 13:31
@lzgjxh
現(xiàn)在我真的想知道到底哪個(gè)公式比較合理,差別接近3倍的關(guān)系.還有就是這個(gè)電流和電阻Rg的選擇到底有什么樣的關(guān)系,如何計(jì)算出來的.
高手出出手,兄弟我再線等.
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shs6319
LV.4
4
2006-04-27 20:13
頂
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yuuchuang
LV.2
5
2007-01-07 00:40
這個(gè)問題應(yīng)該頂,高手出來解釋解釋啊!最近我也在研究MOFET的損耗問題!
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洪七公
LV.9
6
2007-01-07 13:16
@yuuchuang
這個(gè)問題應(yīng)該頂,高手出來解釋解釋啊!最近我也在研究MOFET的損耗問題!
頂,望知道的兄弟請回答.Ig和Mosfet的開關(guān)損耗究竟如何計(jì)算?
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xiaodong
LV.9
7
2007-01-07 14:56
先頂一下
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kugen
LV.1
8
2007-01-07 17:03
個(gè)人認(rèn)為,不同的驅(qū)動(dòng)方式,采用不同的公式.Rg影響MOSFET的上升時(shí)間和下降時(shí)間
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洪七公
LV.9
9
2007-01-07 18:58
@洪七公
頂,望知道的兄弟請回答.Ig和Mosfet的開關(guān)損耗究竟如何計(jì)算?
不過有一點(diǎn)不明,驅(qū)動(dòng)mosfet要這么大驅(qū)動(dòng)電流嗎?那開關(guān)在Mosfet GS上消耗功率不是很驚人?
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wjoyn
LV.6
10
2007-01-07 19:09
考慮的角度不同
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hong_t
LV.6
11
2008-01-19 21:31
@wjoyn
考慮的角度不同
這么久也沒人出來給個(gè)說法? 我也看過這個(gè)算法, 但第一個(gè)公式應(yīng)是還有一個(gè)系數(shù)0.5
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coolday186
LV.3
12
2008-03-28 15:31
Qg與CISS有關(guān),但不是直接關(guān)系.你這樣算不準(zhǔn)
直接找資料上Qg的值 1798931206689506.pdf
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strike
LV.4
13
2010-05-12 00:29
對(duì)不對(duì)啊？這么大的驅(qū)動(dòng)電流，Rg的功率要多大??？
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braverider
LV.4
14
2010-05-12 20:19
@strike
對(duì)不對(duì)??？這么大的驅(qū)動(dòng)電流，Rg的功率要多大啊？
這計(jì)算的是門極最大驅(qū)動(dòng)電流,對(duì)一個(gè)MOSFET來說,只有導(dǎo)通瞬間會(huì)達(dá)到最大電流,所以對(duì)于門極電阻來說,只有一個(gè)和PWM頻率相同的脈沖串通過門極電阻.因此門極電阻的功率不需要很大.一般0805的貼片電阻即可.
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落木源
LV.8
15
2010-08-09 16:40

關(guān)于柵極電阻Rg的選取，這其實(shí)是一個(gè)綜合考慮統(tǒng)籌規(guī)劃的問題，有一些建議的參考值，請見附件PDF。柵極電阻的選取 

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2012-11-17 10:55
@落木源
關(guān)于柵極電阻Rg的選取，這其實(shí)是一個(gè)綜合考慮統(tǒng)籌規(guī)劃的問題，有一些建議的參考值，請見附件PDF。[圖片]柵極電阻的選取 
正在使用落木源的962驅(qū)動(dòng)板，感覺不錯(cuò)，有個(gè)問題想請教一下，MOS管柵極電阻的選擇和IGBT有什么不同嗎 有什么資料可以參考一下嗎
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