關(guān)于Vcc繞法的問題?請教大家?

反激式的變壓器,請問Vcc繞組繞在最里面合理嗎?
我聽別人說Vcc繞組不能繞在最里面?放在最里面會出現(xiàn)什么問題?請問大家有沒有這樣做過?
我試了,有的行,但是有的又不行,空載就不穩(wěn)了,要把這兩個腳調(diào)換過來輸出才正常,但是一帶一點負載VCC電壓就很高了?并且效率有點低.
請教大家?這是怎么回事?急!

全部回復(12)

只看樓主

正序查看

倒序查看

fkmyy1931627

LV.4

2009-06-12 17:59

首先你給的資訊不全啊,是用什么做反激啊(IC的嗎)
個人認為你的反饋控制系統(tǒng)有問題也有可能你的同名端是否搞錯或者是匝比搞錯
還是自己檢查一下電路正確性與否

回復

pads2007layout

LV.7

2009-06-12 19:20

@fkmyy1931627

首先你給的資訊不全啊,是用什么做反激啊(IC的嗎)個人認為你的反饋控制系統(tǒng)有問題也有可能你的同名端是否搞錯或者是匝比搞錯還是自己檢查一下電路正確性與否

用的是PWM, 其它沒有什么錯的

回復

wyzlsq

LV.6

2009-06-13 16:46

不考慮輸出短路和過流,VCC放里面和外面上沒有太大的區(qū)別.“放在最里面有的行,但是有的又不行,空載就不穩(wěn)了,要把這兩個腳調(diào)換過來輸出才正常,但是一帶一點負載VCC電壓就很高”是因為你把相位接錯了的原因(同名端).VCC放在輸出繞組的最外面好處是輸出短路時vcc因能量不夠可以實現(xiàn)IC 的欠壓保護.

回復

pads2007layout

LV.7

2009-06-13 20:10

@wyzlsq

相位100%沒有稿錯

回復

e3c.tw

LV.2

2009-06-15 16:27

@wyzlsq

據(jù)實際應用得知,
Vcc 繞外層,也就是 P-shield-S-shield-P-Vcc,RFI 效應會比 P-Vcc-shield-S-shield-P 好.這是因為高 di/dt 的 p 端,可以將雜訊以最短距離耦合到 shield 到地.但是相對的 EMI 20M 之後會變高.

另外 Vcc 讓外層效率有可能比較好(不確定是不是錯覺!)

回復