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輸出電容主要看規(guī)格中的輸出電流以及Vripple！ESR以及流經(jīng)電容的Irms決定Vripple，輸出電流決定電容該用的電容rating！其餘的在考慮溫度rating以及Life。一般會把點(diǎn)電容擺大的原因之一主要是因?yàn)镋SR變?。?

目前ICDriver的能力，即使電阻擺到200ohm對效率的影響也不會很大，是會有些微影響！Driver改大，理論上dv/dt,di/dt變小，對EMC本來就會有幫助！

我也不認(rèn)為有問題，但是我老闆說Aux放在內(nèi)側(cè)耦合會比較好，所以雷擊會有比較大的影響！但是一般我們會把接Mos那一端的pin繞在內(nèi)側(cè)，BulkCAP的那一pin繞在外側(cè)，這樣雷擊打下來，BulkCAP那一pin首當(dāng)其衝，所以Aux繞在外側(cè)，不就是更糟？？我們team已經(jīng)有很多實(shí)驗(yàn)Aux繞在內(nèi)側(cè)雷擊會比較差！但是沒一個(gè)理論基礎(chǔ)！只知道Aux繞在內(nèi)側(cè)對EMI會比較好！

Thermalcamera量測到的溫度與本體的輻射量有關(guān)！所以量測到的本體（黑色）溫度本就會比較高！量測到pin腳（金屬）的溫度本來就會比較低！建議還是用Thermalcouples量測吧！

一次側(cè)的snubber為何只放RC,而不是RCD?R1~R4阻值放太小,改為總值百K級的試試.

感量是0.9mH還是0.9uH啊?如果是0.9mH,那應(yīng)該是在CCM吧?越CCM銅損會越低,所以問題就在鐵損,感量再放低,讓銅損與鐵損能獲得最家的平衡.

1.Vcc的Diode用慢速的!2.Vcc的Diode併100p~1000P電容.以上對效率都會有影響,請注意.

Vcc繞在裡面耦合會比較好,輕重載切換,電壓飄動幅度比較低.

Sorry沒標(biāo)示清楚,一般一次側(cè)就是Np,二次側(cè)就是Ns,n就是圈數(shù)比.

訂出你要的臨界電流(選擇要在多少%負(fù)載時(shí)進(jìn)入CCM)IOB然後計(jì)算副邊峰值電流ΔISB  =2IOB  /(1-Dmax)再來計(jì)算次級電感Ls=(Vo+Vf)(1-Dmax)*Ts/ΔISB換成原邊電感Lp=n2Ls如果不想設(shè)計(jì)在CCM,IOB則選擇100%以上.基本上,重載在CCM時(shí),測試低壓全載的溫度會比較低.越DCM鐵損會越高.