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如果推挽電路因?yàn)槠艑?dǎo)致炸MOS管,應(yīng)從那些角度處理呢?

怎樣做是有效的辦法?
比如加強(qiáng)軟起動(dòng)電路設(shè)計(jì),減小磁心工作磁密,適當(dāng)增加氣息等等!請(qǐng)大家提點(diǎn)高見.
全部回復(fù)(9)
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2004-06-07 22:26
最有效的方法就是電流型控制了,加強(qiáng)軟啟動(dòng)電路只對(duì)開機(jī)的時(shí)候有效,
減小工作磁密,和加一點(diǎn)氣隙只會(huì)起一點(diǎn)點(diǎn)的作用,最多延緩磁通飽和的出現(xiàn),無法解決根本問題,是屬于得不償失得辦法.
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2004-06-08 12:42
@sometimes
最有效的方法就是電流型控制了,加強(qiáng)軟啟動(dòng)電路只對(duì)開機(jī)的時(shí)候有效,減小工作磁密,和加一點(diǎn)氣隙只會(huì)起一點(diǎn)點(diǎn)的作用,最多延緩磁通飽和的出現(xiàn),無法解決根本問題,是屬于得不償失得辦法.
那電壓型開機(jī)因偏磁炸機(jī)有什么有效的辦法呢?
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alice
LV.3
4
2004-06-08 14:07
@chenqq2000
那電壓型開機(jī)因偏磁炸機(jī)有什么有效的辦法呢?
和變壓器繞制工藝也有關(guān)系
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2004-06-08 14:11
@sometimes
最有效的方法就是電流型控制了,加強(qiáng)軟啟動(dòng)電路只對(duì)開機(jī)的時(shí)候有效,減小工作磁密,和加一點(diǎn)氣隙只會(huì)起一點(diǎn)點(diǎn)的作用,最多延緩磁通飽和的出現(xiàn),無法解決根本問題,是屬于得不償失得辦法.
請(qǐng)問sometimes,對(duì)于半橋電路,電壓型控制和電流型控制,那一種更容易出現(xiàn)偏磁,假設(shè)其他條件都一樣.
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xijun888
LV.2
6
2007-09-11 11:50
@chenairmoon
請(qǐng)問sometimes,對(duì)于半橋電路,電壓型控制和電流型控制,那一種更容易出現(xiàn)偏磁,假設(shè)其他條件都一樣.
管他那種,加一個(gè)隔離電容全解決!
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2010-04-04 09:44
@xijun888
管他那種,加一個(gè)隔離電容全解決!
你好，怎么加隔離電容，加到那個(gè)地方，用多大的電容
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2010-08-16 10:55
@wushangjun
你好，怎么加隔離電容，加到那個(gè)地方，用多大的電容

推挽的應(yīng)該無法加隔直電容吧

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2010-08-16 11:12
@xijun888
管他那種,加一個(gè)隔離電容全解決!
加隔直電容，在開機(jī)瞬間同樣存在偏磁的可能
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2010-08-16 11:28
@心中有冰
加隔直電容，在開機(jī)瞬間同樣存在偏磁的可能

開機(jī)瞬間都是可以加長(zhǎng)軟啟動(dòng)時(shí)間來緩解  我在很多地方說加隔直電容  我不知道大家的隔直電容是怎么加的  那位兄弟能否傳個(gè)圖上來.

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