看來好心人還是少..

MOSFET是電壓性驅(qū)動(dòng)元件, 不需要大電流驅(qū)動(dòng),但由于存在結(jié)電容, 每個(gè)開關(guān)周期都需要對(duì)結(jié)電容Ciss,Cgd充放電, 串聯(lián)在柵極的電阻大小, 就決定了對(duì)結(jié)電容充和放電速度. 電阻小的話,就充放電峰值電流大, 開關(guān)速度快. MOSFET的開關(guān)損耗小. 但是EMI一般會(huì)變差. 同時(shí)要注意驅(qū)動(dòng)電路元件的電流使用率會(huì)高. 反之亦然.

所以這個(gè)串聯(lián)電阻跟驅(qū)動(dòng)電壓, 結(jié)電容, 驅(qū)動(dòng)電路元件載流能力是相關(guān)的, 一般取4.7-100ohm.

至于, G和S間的并聯(lián)電阻, 是針對(duì)MOSFET的G和S間的高輸入阻抗而加的, 因?yàn)楦咦杩瓜鄬?duì)于空間寄生電容來說, 也可能藕合到足夠高的NOISE信號(hào)在G和S上.這個(gè)NOISE信號(hào)有可能異常開通MOSFET. 假如驅(qū)動(dòng)電路在關(guān)斷的時(shí)候不能保證把G用低阻抗拉到S, 就需要這個(gè)電阻了. 另外, 這個(gè)電阻也可以防止靜態(tài)不通電時(shí)的ESD損壞. 這個(gè)電阻一般取10K-100Kohm.

其實(shí),這些是基礎(chǔ)的知識(shí), 你可以再看下<<模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)>>這本書.

1：“緩沖”電阻，2個(gè)作用，減緩驅(qū)動(dòng)器的電流上升速率和減慢MOS的開通時(shí)間，這2件事都是為了減低EMI（對(duì)于硬開關(guān)而言）,但代價(jià)是減低了效率，顯然電阻也越大該環(huán)節(jié)的EMC越好，損耗也越大，掂量著用就是了，一般在數(shù)Ω到數(shù)十歐姆選用（很多情況下在電阻2端并一個(gè)反向二極管以加速M(fèi)OS的關(guān)斷）。選用低Qg的MOS可以減少這個(gè)電阻的困擾。

2：放電電阻，保證MOS在工作之前柵極的靜電被泄放，以避免上電時(shí)MOS因靜電處于導(dǎo)通（非控制的）狀態(tài)而帶來災(zāi)禍（炸機(jī)），這個(gè)電阻萬萬不可忽視，一般在10k-100k選用。

其他樓下補(bǔ)充

學(xué)習(xí)了.謝謝

謝謝了，，以前只知道選用，不知道作用是什么?，F(xiàn)在知道了。謝謝

謝謝，

以前只知道選用多大的。而不知道作用，謝謝！

其實(shí),這些是基礎(chǔ)的知識(shí), 你可以再看下<<模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)>>這本書.

這本書上沒有這些吧。。。。。。。。。。

給你參考下。

關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇

等效驅(qū)動(dòng)電路：

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。

Rg為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，設(shè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為12V峰值的方波。

Cgs為MOSFET柵源極電容，不同的管子及不同的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)會(huì)不一樣，這兒取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

令驅(qū)動(dòng)電流

得到關(guān)于Cgs上的驅(qū)動(dòng)電壓微分方程：

用拉普拉斯變換得到變換函數(shù)：

這是個(gè)3階系統(tǒng)，當(dāng)其極點(diǎn)為3個(gè)不同實(shí)根時(shí)是個(gè)過阻尼震蕩，有兩個(gè)相同實(shí)根時(shí)是臨界阻尼震蕩，當(dāng)有虛根時(shí)是欠阻尼震蕩，此時(shí)會(huì)在MOSFET柵極產(chǎn)生上下震蕩的波形，這是我們不希望看到的，因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態(tài)，考慮到參數(shù)誤差實(shí)際上都是工作在過阻尼狀態(tài)。

根據(jù)以上得到 ，因此根據(jù)走線長度可以得到Rg最小取值范圍。

分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH，L70=80nH， 則Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω，

以下分別是電壓電流波形：

驅(qū)動(dòng)電壓：

驅(qū)動(dòng)電流：

可以看到當(dāng)Rg比較小時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓上沖會(huì)比較高，震蕩比較多，L越大越明顯，此時(shí)會(huì)對(duì)MOSFET及其他器件性能產(chǎn)生影響。但是阻值過大時(shí)驅(qū)動(dòng)波形上升比較慢，當(dāng)MOSFET有較大電流通過時(shí)會(huì)有不利影響。

此外也要看到，當(dāng)L比較小時(shí)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的峰值比較大，而一般IC的驅(qū)動(dòng)電流輸出能力都是有一定限制的，當(dāng)實(shí)際驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到IC輸出的最大值時(shí)，此時(shí)IC輸出相當(dāng)于一個(gè)恒流源，對(duì)Cgs線性充電，驅(qū)動(dòng)電壓波形的上升率會(huì)變慢。電流曲線就可能如左圖所示（此時(shí)由于電流不變，電感不起作用）。這樣可能會(huì)對(duì)IC的可靠性產(chǎn)生影響，電壓波形上升段可能會(huì)產(chǎn)生一個(gè)小的臺(tái)階或毛刺。

       一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示，內(nèi)部集成了限流電阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅(qū)動(dòng)輸出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右。

       由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線，感量可能會(huì)更大，并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制?？紤]到走線分布電容的影響，這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。

關(guān)于Rg、L對(duì)于上升時(shí)間的影響：(Cgs=1nF，VCgs=0.9*Vdrive)

可以看到L對(duì)上升時(shí)間的影響比較小，主要還是Rg影響比較大。上升時(shí)間可以用2*Rg*Cgs來近似估算，通常上升時(shí)間小于導(dǎo)通時(shí)間的二十分之一時(shí)，MOSFET開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗不致于會(huì)太大造成發(fā)熱問題，因此當(dāng)MOSFET的最小導(dǎo)通時(shí)間確定后Rg最大值也就確定了 ，一般Rg在取值范圍內(nèi)越小越好，但是考慮EMI的話可以適當(dāng)取大。

       以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放，此時(shí)阻值要盡量小，這也是Rsink的原因。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振（因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻），但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通，此時(shí)Rg又參與反向諧振回路，因此可以抑制反向諧振的尖峰。這個(gè)二極管通常使用高頻小信號(hào)管1N4148。

實(shí)際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個(gè)電容Cgd的影響，MOSFET ON時(shí)Rg還要對(duì)Cgd充電，會(huì)改變電壓上升斜率，OFF時(shí)VCC會(huì)通過Cgd向Cgs充電，此時(shí)必須保證Cgs上的電荷快速放掉，否則會(huì)導(dǎo)致MOSFET的異常導(dǎo)通。

說的不錯(cuò)，學(xué)習(xí)了。

驅(qū)動(dòng)信號(hào)到G之間有個(gè)引線電感，和GS之間的電容之間形成LC震蕩，所以要加R來阻尼這個(gè)震蕩

謝謝分享。