開關(guān)電源設(shè)計實例
第一次正兒八勁的設(shè)計開關(guān)電源,是ST公司的VIPER12A,5W輸出.一次性過EMI,高興的快要飛起來.現(xiàn)把我的方案拿出來與大家共享.本來想把它設(shè)計成無Y方案,但因時間和成本等等因素還有自己也是第一次設(shè)計,遂就放手.不知哪位大俠能講講自己的心得.
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OUT 5V 1A,Dmax=0.46 TON=7.666
1. Pout=Vout*Iout*1.1=5.5W
2. Iin=5.5/0.7/100=0.07857 IPK=Iin*2/Dmax=0.341614
3. LP=Vinmin*Ton/IPK=2244.2=2244
4. n=(VF+Vout)*(1-D)/Vinmin*D=(5.7*0.54)/(100*0.46)=0.0669
5. 磁芯采用EI 19,Ae=24mm^2 BOBBIN用EE19
6. Ns=n*LP*IPK/(24*0.3)=7.1=7
7. NP=7/0.0669=104.6=105
8. VCC設(shè)為18V 5.7/18=Ns/NB NB=22.1=22
變壓器構(gòu)造
1. 屏蔽接初級電源
2. 初級35匝,線徑0.2mm,繞一層,包一層膠紙,再繞一層35匝,
3. 三層膠紙,次級0.4*2繞7匝,
4. 三層膠紙,初級35匝
5. 屏蔽接初級電源
6. 膠紙
7. VCC 22匝密繞.
1. Pout=Vout*Iout*1.1=5.5W
2. Iin=5.5/0.7/100=0.07857 IPK=Iin*2/Dmax=0.341614
3. LP=Vinmin*Ton/IPK=2244.2=2244
4. n=(VF+Vout)*(1-D)/Vinmin*D=(5.7*0.54)/(100*0.46)=0.0669
5. 磁芯采用EI 19,Ae=24mm^2 BOBBIN用EE19
6. Ns=n*LP*IPK/(24*0.3)=7.1=7
7. NP=7/0.0669=104.6=105
8. VCC設(shè)為18V 5.7/18=Ns/NB NB=22.1=22
變壓器構(gòu)造
1. 屏蔽接初級電源
2. 初級35匝,線徑0.2mm,繞一層,包一層膠紙,再繞一層35匝,
3. 三層膠紙,次級0.4*2繞7匝,
4. 三層膠紙,初級35匝
5. 屏蔽接初級電源
6. 膠紙
7. VCC 22匝密繞.
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@xiaodong
OUT5V1A,Dmax=0.46TON=7.6661.Pout=Vout*Iout*1.1=5.5W2.Iin=5.5/0.7/100=0.07857 IPK=Iin*2/Dmax=0.3416143.LP=Vinmin*Ton/IPK=2244.2=22444.n=(VF+Vout)*(1-D)/Vinmin*D=(5.7*0.54)/(100*0.46)=0.06695.磁芯采用EI19,Ae=24mm^2BOBBIN用EE196.Ns=n*LP*IPK/(24*0.3)=7.1=77.NP=7/0.0669=104.6=1058.VCC設(shè)為18V 5.7/18=Ns/NB NB=22.1=22變壓器構(gòu)造1.屏蔽接初級電源2.初級35匝,線徑0.2mm,繞一層,包一層膠紙,再繞一層35匝,3.三層膠紙,次級0.4*2繞7匝,4.三層膠紙,初級35匝5.屏蔽接初級電源6.膠紙7.VCC22匝密繞.
2項表達(dá)有缺陷,很容易讓人誤解!
這么小的變壓器加了兩個內(nèi)屏蔽,恐怖!
不過這兩個屏蔽的位置為何不加在初級和次級之間呢?這樣效果不是更好?
這么小的變壓器加了兩個內(nèi)屏蔽,恐怖!
不過這兩個屏蔽的位置為何不加在初級和次級之間呢?這樣效果不是更好?
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@七年之癢
2項表達(dá)有缺陷,很容易讓人誤解!這么小的變壓器加了兩個內(nèi)屏蔽,恐怖!不過這兩個屏蔽的位置為何不加在初級和次級之間呢?這樣效果不是更好?
呵呵,謝謝七年兄的指導(dǎo).
關(guān)于第二項,不好意思,為了趕時間而沒有作修飾.不過我想只要有心都知道是105匝分3次繞完.對待技術(shù)如果走馬觀花那是不會有長進(jìn)的,你說,是不?
第一次設(shè)計,為了保險起見,老板又猛催,俗語說,油多不壞菜.沒來得及多想,EMI OK,就加上去了.本來還想再作進(jìn)一步的優(yōu)化的,無奈老板認(rèn)為可以.我只能尊旨行事.
變壓器的饒法有很多人反映VCC 次級 屏蔽 初級 屏蔽 次級 效果不錯,不過我認(rèn)為這樣繞線包定會很大,仁者見仁,智者見智.關(guān)鍵的是要多去試驗.下次我按照你接屏蔽的方法試一下,看看效果如何.另,開始我想在最底層加一層屏蔽,然后在最外層加一層屏蔽,不知這樣效果會如何?
關(guān)于第二項,不好意思,為了趕時間而沒有作修飾.不過我想只要有心都知道是105匝分3次繞完.對待技術(shù)如果走馬觀花那是不會有長進(jìn)的,你說,是不?
第一次設(shè)計,為了保險起見,老板又猛催,俗語說,油多不壞菜.沒來得及多想,EMI OK,就加上去了.本來還想再作進(jìn)一步的優(yōu)化的,無奈老板認(rèn)為可以.我只能尊旨行事.
變壓器的饒法有很多人反映VCC 次級 屏蔽 初級 屏蔽 次級 效果不錯,不過我認(rèn)為這樣繞線包定會很大,仁者見仁,智者見智.關(guān)鍵的是要多去試驗.下次我按照你接屏蔽的方法試一下,看看效果如何.另,開始我想在最底層加一層屏蔽,然后在最外層加一層屏蔽,不知這樣效果會如何?
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@xiaodong
OUT5V1A,Dmax=0.46TON=7.6661.Pout=Vout*Iout*1.1=5.5W2.Iin=5.5/0.7/100=0.07857 IPK=Iin*2/Dmax=0.3416143.LP=Vinmin*Ton/IPK=2244.2=22444.n=(VF+Vout)*(1-D)/Vinmin*D=(5.7*0.54)/(100*0.46)=0.06695.磁芯采用EI19,Ae=24mm^2BOBBIN用EE196.Ns=n*LP*IPK/(24*0.3)=7.1=77.NP=7/0.0669=104.6=1058.VCC設(shè)為18V 5.7/18=Ns/NB NB=22.1=22變壓器構(gòu)造1.屏蔽接初級電源2.初級35匝,線徑0.2mm,繞一層,包一層膠紙,再繞一層35匝,3.三層膠紙,次級0.4*2繞7匝,4.三層膠紙,初級35匝5.屏蔽接初級電源6.膠紙7.VCC22匝密繞.
電感的檢測條件是1V 1KHZ.氣隙0.15MM,磨中柱,與計算的相差無幾.
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@七年之癢
2項表達(dá)有缺陷,很容易讓人誤解!這么小的變壓器加了兩個內(nèi)屏蔽,恐怖!不過這兩個屏蔽的位置為何不加在初級和次級之間呢?這樣效果不是更好?
我還繞了一個CCM模式的變壓器,同樣的磁芯和BOBBIN,和你那貼再論變壓器的初級繞組的確定方法里的計算不是相差很大.起始電流為I1b,鋒值電流為I1p.I1b/I1p=K K=0.5 NP=187,NS=16,NB=53.匝數(shù)較多
不過工作很穩(wěn)定,IC發(fā)熱量特小.
個人認(rèn)為在設(shè)計時還是有很多問題沒有考慮到,一個產(chǎn)品的最優(yōu)化設(shè)計,怎么樣才能達(dá)到最佳性價比,縮短設(shè)計周期.而不是盲目的照搬照抄別人的電路.希望大家盡情發(fā)言.
不過工作很穩(wěn)定,IC發(fā)熱量特小.
個人認(rèn)為在設(shè)計時還是有很多問題沒有考慮到,一個產(chǎn)品的最優(yōu)化設(shè)計,怎么樣才能達(dá)到最佳性價比,縮短設(shè)計周期.而不是盲目的照搬照抄別人的電路.希望大家盡情發(fā)言.
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@xiaodong
呵呵,謝謝七年兄的指導(dǎo).關(guān)于第二項,不好意思,為了趕時間而沒有作修飾.不過我想只要有心都知道是105匝分3次繞完.對待技術(shù)如果走馬觀花那是不會有長進(jìn)的,你說,是不?第一次設(shè)計,為了保險起見,老板又猛催,俗語說,油多不壞菜.沒來得及多想,EMIOK,就加上去了.本來還想再作進(jìn)一步的優(yōu)化的,無奈老板認(rèn)為可以.我只能尊旨行事.變壓器的饒法有很多人反映VCC次級屏蔽初級屏蔽次級效果不錯,不過我認(rèn)為這樣繞線包定會很大,仁者見仁,智者見智.關(guān)鍵的是要多去試驗.下次我按照你接屏蔽的方法試一下,看看效果如何.另,開始我想在最底層加一層屏蔽,然后在最外層加一層屏蔽,不知這樣效果會如何?
最好的屏蔽是五層屏蔽,即屏蔽--1/2初級--屏蔽---1/2次級---屏蔽---1/2初級---屏蔽----1/2次級---屏蔽----VCC.不過很少人采用,工藝太復(fù)雜了.呵呵!
最常用的是兩層屏蔽1/2初級---屏蔽---次級---屏蔽---1/2初級---VCC
最常用的是兩層屏蔽1/2初級---屏蔽---次級---屏蔽---1/2初級---VCC
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@七年之癢
最好的屏蔽是五層屏蔽,即屏蔽--1/2初級--屏蔽---1/2次級---屏蔽---1/2初級---屏蔽----1/2次級---屏蔽----VCC.不過很少人采用,工藝太復(fù)雜了.呵呵!最常用的是兩層屏蔽1/2初級---屏蔽---次級---屏蔽---1/2初級---VCC
謝謝你的指導(dǎo)!
有個疑問,1/2初級---屏蔽---次級---屏蔽---1/2初級---VCC 和 屏蔽---1/2初級---次級---1/2初級---VCC ---屏蔽 這兩種加屏蔽的方法不知哪一種要好?按照理論而且大家常用的好像都是前一種要好.但我想后一種也應(yīng)該不差吧?沒做過實驗,只是猜測.
我現(xiàn)在還有一種想法,如果不是要求一定要用無Y方案,可以采用順序繞法過EMI應(yīng)該不是問題.
有個疑問,1/2初級---屏蔽---次級---屏蔽---1/2初級---VCC 和 屏蔽---1/2初級---次級---1/2初級---VCC ---屏蔽 這兩種加屏蔽的方法不知哪一種要好?按照理論而且大家常用的好像都是前一種要好.但我想后一種也應(yīng)該不差吧?沒做過實驗,只是猜測.
我現(xiàn)在還有一種想法,如果不是要求一定要用無Y方案,可以采用順序繞法過EMI應(yīng)該不是問題.
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