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MOSFET并聯(lián)，驅動線優(yōu)先考慮等長還是盡量短？

我們用在電機驅動里邊的一個驅動板，同事基于等長的考慮，設計成圖示的樣子。

MOSFET開關頻率最高20kHz，電流50A，電壓60V，這種情況下，是優(yōu)先考慮等長，還是優(yōu)先考慮驅動線盡量短。

謝謝。

 

 

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2010-08-04 12:09
等長的前提下盡量短。
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debugwd
LV.5
3
2010-08-04 12:40
@讓你記得我的好
等長的前提下盡量短。

那就是等長更重要了。

現(xiàn)在驅動線（包括驅動+回流地線）長度300mm，如果從計算延時的角度考慮，即便兩個MOSFET的驅動線路長度差也是300mm，延時也只是ns級。而ns級的延時，對50us的開關周期的功率管來說，重要嗎？

 

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2010-08-04 12:42
@debugwd
那就是等長更重要了?，F(xiàn)在驅動線（包括驅動+回流地線）長度300mm，如果從計算延時的角度考慮，即便兩個MOSFET的驅動線路長度差也是300mm，延時也只是ns級。而ns級的延時，對50us的開關周期的功率管來說，重要嗎？ 

不重要。

但是我很擔心線路太長會有振蕩。

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張高琨
LV.8
5
2010-08-04 13:04
@讓你記得我的好
不重要。但是我很擔心線路太長會有振蕩。

其實.如果擔心此問題,

1.線夠粗,就不必擔心了.

2.干擾問題,旁邊再鋪上地.相信干擾會好很多.

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debugwd
LV.5
6
2010-08-04 19:44
@張高琨
其實.如果擔心此問題,1.線夠粗,就不必擔心了.2.干擾問題,旁邊再鋪上地.相信干擾會好很多.

謝謝，振蕩的問題之前確實沒有考慮到。

驅動線比較粗，電路板是四層板，驅動線下方有回流地線層。

 

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2010-08-04 21:23

以個人經驗來說

主功率電路盡量等長，以避免主MOS管的發(fā)熱不均

驅動電路線長點倒不是什么大問題，關鍵是驅動電阻要盡量靠近MOS管，以將線路的驅動振蕩衰減

大電流電路的路徑拐彎時的角度不要太小，否則會有比較麻煩的EMI問題

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張高琨
LV.8
8
2010-08-04 22:32
@debugwd
謝謝，振蕩的問題之前確實沒有考慮到。驅動線比較粗，電路板是四層板，驅動線下方有回流地線層。 
有回流地.也不怕..足夠地.夠粗.銅不要太簿的...盡量避免內阻太小..
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meistar
LV.2
9
2010-08-05 16:07

關鍵是要讓MOS同步，不然的放，先開通的就發(fā)熱，很快就壞了。再可以GE之間加個小電容，不能太大

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debugwd
LV.5
10
2010-08-05 19:31
@心中有冰
以個人經驗來說主功率電路盡量等長，以避免主MOS管的發(fā)熱不均驅動電路線長點倒不是什么大問題，關鍵是驅動電阻要盡量靠近MOS管，以將線路的驅動振蕩衰減大電流電路的路徑拐彎時的角度不要太小，否則會有比較麻煩的EMI問題

老兄您好。

請問這樣的電路板功率管怎么散熱比較合適？ 我們現(xiàn)在是MOS管下邊加絕緣墊片，然后用螺釘固定，但這樣工藝性太差。有沒有比較好的散熱的方式推薦？

謝謝。

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水蜘蛛
LV.8
11
2010-08-05 21:24

才20K50A60V！居然搞的如此復雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！

現(xiàn)在單個TO-220的FET就能搞定了！

看看這個：irfs4010-7ppbf 

直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！

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2010-08-06 08:52
@水蜘蛛
才20K50A60V！[圖片]居然搞的如此復雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！現(xiàn)在單個TO-220的FET就能搞定了！看看這個：[圖片]irfs4010-7ppbf 直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！
頂一把
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debugwd
LV.5
13
2010-08-06 09:37
@水蜘蛛
才20K50A60V！[圖片]居然搞的如此復雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！現(xiàn)在單個TO-220的FET就能搞定了！看看這個：[圖片]irfs4010-7ppbf 直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！

 

50A 是當前的使用需求，受限于功率端子等因素，將來希望擴展到150Arms。

 

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debugwd
LV.5
14
2010-08-06 09:39
@水蜘蛛
才20K50A60V！[圖片]居然搞的如此復雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！現(xiàn)在單個TO-220的FET就能搞定了！看看這個：[圖片]irfs4010-7ppbf 直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！

我考慮過 IPB027N10N3 G，英飛凌的管子，2.7mohm的導通電阻，封裝跟您推薦的一樣。

但他們推薦做成鋁基板，暫時沒想動。

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水蜘蛛
LV.8
15
2010-08-06 14:42
@debugwd
我考慮過IPB027N10N3G，英飛凌的管子，2.7mohm的導通電阻，封裝跟您推薦的一樣。但他們推薦做成鋁基板，暫時沒想動。
COOLMOS請慎用！那東東過載能力齊差！
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debugwd
LV.5
16
2010-08-06 20:37
@水蜘蛛
COOLMOS請慎用！那東東過載能力齊差！

不是CoolMOS，CoolMOS是英飛凌的高壓產品。

100V的是OptiMOS

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debugwd
LV.5
17
2010-08-07 10:03
@水蜘蛛
COOLMOS請慎用！那東東過載能力齊差！

兄弟您可IR的大功率MOS管做過并聯(lián)設計，是采用鋁基板嗎？困擾我的是如何進行功率部分的連接。

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2010-08-07 12:57
@debugwd
兄弟您可IR的大功率MOS管做過并聯(lián)設計，是采用鋁基板嗎？困擾我的是如何進行功率部分的連接。

 

兄弟，請看120A以上電流的布線

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debugwd
LV.5
19
2010-08-07 15:53
@心中有冰
[圖片] 兄弟，請看120A以上電流的布線

老兄，能不能給我一個實物看看，看圖看不太清楚。

我的郵箱：c166.org@gmail.com, 謝謝了。

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2010-08-07 16:03
@debugwd
老兄，能不能給我一個實物看看，看圖看不太清楚。我的郵箱：c166.org@gmail.com,謝謝了。
兄弟，圖片只能給你提供思路的指引。明白人一看就懂，否則拿實物給你也毫無用處。
實物肯定不能發(fā)，我不能做有違職業(yè)道德的事情，請見諒
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debugwd
LV.5
21
2010-08-07 23:12
@心中有冰
兄弟，圖片只能給你提供思路的指引。明白人一看就懂，否則拿實物給你也毫無用處。實物肯定不能發(fā)，我不能做有違職業(yè)道德的事情，請見諒

只是這個圖不清楚。

我倒沒覺得這些東西是核心技術，我們自己的圖片就發(fā)了一些。我們核心的還是控制參數(shù)和軟件算法。

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2010-08-08 00:55
@debugwd
那就是等長更重要了?，F(xiàn)在驅動線（包括驅動+回流地線）長度300mm，如果從計算延時的角度考慮，即便兩個MOSFET的驅動線路長度差也是300mm，延時也只是ns級。而ns級的延時，對50us的開關周期的功率管來說，重要嗎？ 

這個不是和50us來比的，對于導通損耗來說，先導通，后導通，差的就是那么一點點，微不足道。關鍵是開關損耗，先開通的管子要承受開通損耗，后關斷的管子要承受關斷損耗。

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debugwd
LV.5
23
2010-08-12 09:21
@心中有冰
[圖片] 兄弟，請看120A以上電流的布線

老兄，您的120A是有效值嗎？

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2010-08-12 10:53
@debugwd
老兄，您的120A是有效值嗎？
是的
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debugwd
LV.5
25
2011-12-12 21:36
@心中有冰
是的

郁悶了，50A剛剛好，現(xiàn)在客戶又要求搞個1000Arms的MOSFET并聯(lián)方案。

接插件部分就找不到北了。

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cheng111
LV.11
26
2011-12-12 21:49
@debugwd
郁悶了，50A剛剛好，現(xiàn)在客戶又要求搞個1000Arms的MOSFET并聯(lián)方案。接插件部分就找不到北了。
哈哈，LZ加油。期待大作
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