那就是等長更重要了。

現(xiàn)在驅(qū)動線（包括驅(qū)動+回流地線）長度300mm，如果從計算延時的角度考慮，即便兩個MOSFET的驅(qū)動線路長度差也是300mm，延時也只是ns級。而ns級的延時，對50us的開關(guān)周期的功率管來說，重要嗎？

不重要。

但是我很擔心線路太長會有振蕩。

其實.如果擔心此問題,

1.線夠粗,就不必擔心了.

2.干擾問題,旁邊再鋪上地.相信干擾會好很多.

謝謝，振蕩的問題之前確實沒有考慮到。

驅(qū)動線比較粗，電路板是四層板，驅(qū)動線下方有回流地線層。

以個人經(jīng)驗來說

主功率電路盡量等長，以避免主MOS管的發(fā)熱不均

驅(qū)動電路線長點倒不是什么大問題，關(guān)鍵是驅(qū)動電阻要盡量靠近MOS管，以將線路的驅(qū)動振蕩衰減

大電流電路的路徑拐彎時的角度不要太小，否則會有比較麻煩的EMI問題

關(guān)鍵是要讓MOS同步，不然的放，先開通的就發(fā)熱，很快就壞了。再可以GE之間加個小電容，不能太大

老兄您好。

請問這樣的電路板功率管怎么散熱比較合適？ 我們現(xiàn)在是MOS管下邊加絕緣墊片，然后用螺釘固定，但這樣工藝性太差。有沒有比較好的散熱的方式推薦？

謝謝。

才20K50A60V！居然搞的如此復雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！

現(xiàn)在單個TO-220的FET就能搞定了！

看看這個：irfs4010-7ppbf 

直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！

50A 是當前的使用需求，受限于功率端子等因素，將來希望擴展到150Arms。

我考慮過 IPB027N10N3 G，英飛凌的管子，2.7mohm的導通電阻，封裝跟您推薦的一樣。

但他們推薦做成鋁基板，暫時沒想動。

不是CoolMOS，CoolMOS是英飛凌的高壓產(chǎn)品。

100V的是OptiMOS

兄弟您可IR的大功率MOS管做過并聯(lián)設計，是采用鋁基板嗎？困擾我的是如何進行功率部分的連接。

兄弟，請看120A以上電流的布線

老兄，能不能給我一個實物看看，看圖看不太清楚。

我的郵箱：c166.org@gmail.com, 謝謝了。

只是這個圖不清楚。

我倒沒覺得這些東西是核心技術(shù)，我們自己的圖片就發(fā)了一些。我們核心的還是控制參數(shù)和軟件算法。

這個不是和50us來比的，對于導通損耗來說，先導通，后導通，差的就是那么一點點，微不足道。關(guān)鍵是開關(guān)損耗，先開通的管子要承受開通損耗，后關(guān)斷的管子要承受關(guān)斷損耗。

老兄，您的120A是有效值嗎？

郁悶了，50A剛剛好，現(xiàn)在客戶又要求搞個1000Arms的MOSFET并聯(lián)方案。

接插件部分就找不到北了。