為了活躍本板快的技術(shù)學(xué)習(xí)氛圍 本人征得陽剛大師興許 對(duì)答對(duì)者的前十名 將贈(zèng)送600W數(shù)顯混頻機(jī) 以鼓勵(lì)參與者
注 ： 必須是物理方式和化學(xué)方式兩種答案
鍺二極管和硅二極管的正向壓降為什么分別是0。3V 和 0。7V
全部回復(fù)(30)
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還有一個(gè)原因是有人在它的兩端接了電壓表造成的
我是答對(duì)問題的第0.5名，所以樓主已經(jīng)把特獎(jiǎng)給我了，剩下的只有小獎(jiǎng)了……@wang640909-1
留個(gè)空位看看！[圖片][圖片][圖片]
首先對(duì)樓主提問指出幾點(diǎn)自己的看法：
（1）除了樓主的說明剛陽大師應(yīng)該出面再發(fā)個(gè)前言帖！另外機(jī)子的外形，內(nèi)部圖片也得讓大家看看，以確認(rèn)獎(jiǎng)品是那種具體種類！得獎(jiǎng)?wù)呤蒸~機(jī)細(xì)節(jié)的郵費(fèi)誰出？機(jī)子難免在使用中出問題，應(yīng)給圖紙以便使用者維修等這些細(xì)節(jié)扼要說明。
（2）嚴(yán)格說這個(gè)問法很不準(zhǔn)確，因?yàn)槠胀ǘO管即使正向?qū)ㄟ@個(gè)端電壓只是近似的常溫狀況幾乎工作于線性區(qū)域時(shí)的導(dǎo)通電壓，而二級(jí)管這個(gè)所說的0.3V和0.7V電壓即和材料有關(guān)又和溫度，電流有關(guān)，當(dāng)這些參數(shù)不同時(shí)它本身就是變動(dòng)的，U本身是溫度，參雜濃度，電流的綜合函數(shù)。
（3）應(yīng)書名常溫，普通二極管情況。因?yàn)槎O管的類型很多，不僅僅是整流檢波類等，還有比如壓敏磁敏等元器件，所以必須特別說明常溫條件（即大約300K）普通使用的硅，鍺二極管。
(4)必須有時(shí)間限制幾月幾號(hào)到幾月幾號(hào)。
（5）如果只有三個(gè)人得，是不是每人平均三臺(tái)？
樓主莫怪真誠指出，錯(cuò)誤請(qǐng)批評(píng)。先說到這。
<一>要講清楚這個(gè)問題只能簡略的做一描述，
要說的很詳細(xì)上面問題雖然簡單但需要的篇幅較長才能說得很清楚，但也沒必要，所以下面解說部分我做了較大幅度的刪減！要弄清楚這個(gè)問題首先要明白以下幾個(gè)感念性的東西：
（1）半導(dǎo)體，導(dǎo)體，絕緣體
主要說一下半導(dǎo)體，半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力處于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)，通常電阻率在（10-3 ---109 ）歐姆*厘米
我們?cè)诖怂f的半導(dǎo)體主要指化學(xué)周期表中中間豎列的硅鍺系及其處于上面電阻之間的相關(guān)半導(dǎo)體化合物。
（2）多晶，單晶
經(jīng)過提純的硅鍺晶體局部雖然為規(guī)則排列，但整塊取向雜亂該類為多晶體；
經(jīng)工藝加工晶粒取向一致整塊晶體院子按一定規(guī)則整齊排列即成為單晶體
（3）化學(xué)鍵，載流子，能量，電離能
硅系原子核外電子排列按一定軌道有秩序的排列，硅為14序列號(hào)，按排列規(guī)則最內(nèi)層兩個(gè)，次軌道8個(gè)，都為最穩(wěn)定的排列結(jié)構(gòu)，內(nèi)部10個(gè)一般不參加化學(xué)反應(yīng)，為飽和相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)，最外層剩余4個(gè)為不飽和相對(duì)不穩(wěn)定的機(jī)構(gòu)，可與外來元素組成相對(duì)穩(wěn)定的最低數(shù)量的化學(xué)鍵（力?。鑶尉w里面的每個(gè)原子分別與相鄰的四個(gè)硅原子公用四個(gè)電子個(gè)字組成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的立體網(wǎng)狀力結(jié)構(gòu)形成整體.物質(zhì)內(nèi)部能運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子，沒有任何外界能量介入的情況下，公電子對(duì)是不能掙脫化學(xué)鍵的收縮力的，只有當(dāng)外界能量輸入，比如關(guān)照，磁場等條件時(shí)滿足統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律的高能電子才可能首先成為可以參與導(dǎo)電的載流子常溫時(shí)硅晶體中的價(jià)電子必須獲得E=1.1eV，鍺必須獲得EG=0.72eV外界能量才能擺脫原子收縮成為參與導(dǎo)電的粒子。
（4）本征半導(dǎo)體
（5）參雜
（6）P性半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體
(抽時(shí)間再說)
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回復(fù)
物質(zhì)導(dǎo)電能不同,物質(zhì)內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)和能夠運(yùn)載電荷粒子有關(guān)。物質(zhì)內(nèi)部載流子愈多導(dǎo)電愈強(qiáng)。
二極管的工作原理
晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。
當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。
當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。
當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。
二極管的導(dǎo)電特性
二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入，負(fù)極流出。下面通過簡單的實(shí)驗(yàn)說明二極管的正向特性和反向特性。
正向特性
在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。
硅二極管的反向漏電流比鍺二極管小得多.
反向特性
在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)二極管中幾乎沒有電流流過，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會(huì)急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。
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回復(fù)
硅二極管比鍺二極管，耐壓高，響應(yīng)時(shí)間短，性能穩(wěn)定！在大部分電路里硅管能取代鍺管，但硅二極管的正向壓降為0.7V比鍺二極管的正向壓降0.3V要高，所以在一些特定的環(huán)境，比如小信號(hào)檢波電路中鍺管就有一定的優(yōu)勢！ 很好 謝謝 但是硅二極管的正向壓降為0.5V
鍺二極管的正向壓降0.1―0.2V 材料豐富，性能穩(wěn)定！ 還有比較便宜容易做吧. 硅是地殼中豐度居第二位的元素（氧、硅、鋁、鐵），電子遷移率較高，單晶硅的提純和加工技術(shù)比較成熟。
硅二極管比鍺二極管，耐壓高，響應(yīng)時(shí)間短，性能穩(wěn)定！在大部分電路里硅管能取代鍺管，但硅二極管的正向壓降為0.7V比鍺二極管的正向壓降0.3V要高，所以在一些特定的環(huán)境，比如小信號(hào)檢波電路中鍺管就有一定的優(yōu)勢！ 很好 謝謝 但是硅二極管的正向壓降為0.5V
鍺二極管的正向壓降0.1―0.2V 材料豐富，性能穩(wěn)定！ 還有比較便宜容易做吧. 硅是地殼中豐度居第二位的元素（氧、硅、鋁、鐵），電子遷移率較高，單晶硅的提純和加工技術(shù)比較成熟
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@振遠(yuǎn)電子
硅二極管比鍺二極管，耐壓高，響應(yīng)時(shí)間短，性能穩(wěn)定！在大部分電路里硅管能取代鍺管，但硅二極管的正向壓降為0.7V比鍺二極管的正向壓降0.3V要高，所以在一些特定的環(huán)境，比如小信號(hào)檢波電路中鍺管就有一定的優(yōu)勢！很好謝謝但是硅二極管的正向壓降為0.5V鍺二極管的正向壓降0.1―0.2V材料豐富，性能穩(wěn)定！還有比較便宜容易做吧.硅是地殼中豐度居第二位的元素（氧、硅、鋁、鐵），電子遷移率較高，單晶硅的提純和加工技術(shù)比較成熟。硅二極管比鍺二極管，耐壓高，響應(yīng)時(shí)間短，性能穩(wěn)定！在大部分電路里硅管能取代鍺管，但硅二極管的正向壓降為0.7V比鍺二極管的正向壓降0.3V要高，所以在一些特定的環(huán)境，比如小信號(hào)檢波電路中鍺管就有一定的優(yōu)勢！很好謝謝但是硅二極管的正向壓降為0.5V鍺二極管的正向壓降0.1―0.2V材料豐富，性能穩(wěn)定！還有比較便宜容易做吧.硅是地殼中豐度居第二位的元素（氧、硅、鋁、鐵），電子遷移率較高，單晶硅的提純和加工技術(shù)比較成熟
這個(gè)帖子也不見樓主了！是不是沒獎(jiǎng)品了？剛陽大師能回個(gè)話就更有力度了。
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亂說話，改了
@w-sheep
看到這么多牛頭不對(duì)馬嘴的回復(fù)，俺來挖個(gè)墳吧 這是因?yàn)楣韬玩N的禁帶寬度不同，你如果測一下砷化鎵、氮化鋁……等材料制成的二極管正向壓降會(huì)更高，這些化合物半導(dǎo)體通常用來制作發(fā)光二極管，英文簡稱LED
頂樓上，二極管正向壓降是半導(dǎo)體物理學(xué)研究的課題，與化學(xué)沒有關(guān)系，正向壓降的說法本身就不精確。二極管加上正向電壓時(shí)，P區(qū)的空穴和N區(qū)的自由電子獲得能量，穿越空間電荷區(qū)，形成電流。載流子除了從外接電源取得能量之外，還不停的進(jìn)行著布朗運(yùn)動(dòng)，只要加上電壓，就會(huì)有一部分載流子得到足夠穿越勢磊區(qū)的能量，電壓越高，參與導(dǎo)電的載流子越多，所以正向電壓很低時(shí)，也會(huì)有電流。
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