MOSFET和IGBT是當前變流器中應用最廣泛，最重要的兩類核心器件。MOSFET主要應用在低壓和中壓（中小功率），IGBT主要應用在高壓和中壓（大功率）領域。
關于MOSFET已經(jīng)有很充分的精辟的論述，在此不再重復，只對個別問題作一點補充。IGBT的討論還較少，因此，是本帖的主要討論對象。
首先來說MOSFET
提一個基礎性問題：驅(qū)動MOSFET導通的最佳柵電壓是多少伏？
絕大多數(shù)人的回答是：15V。這個答案不能說錯，但是，這活干得太粗。
MOSFET的導通電阻是隨柵電壓的提高而下降，當柵電壓達到一定值時，導通電阻就基本不會再降了，暫且稱之為“充分導通”，一般認為這個電壓是低于15V的。
實際上，不同耐壓的MOSFET達到充分導通的柵電壓是不同的?；疽?guī)律是：耐壓越高的MOSFET，達到充分導通的柵電壓越低；耐壓越低的MOSFET，達到充分導通的柵電壓越高。我查閱了各種耐壓MOSFET的VGS－RDS曲線，得到的結論是：耐壓200V的MOSFET達到充分導通的柵電壓＞16V；耐壓500V的MOSFET達到充分導通的柵電壓＞12V；耐壓1000V的MOSFET達到充分導通的柵電壓＞8V。因此，建議：耐壓200V及以下的MOSFET柵驅(qū)動電壓＝17－18V；耐壓500V的MOSFET柵驅(qū)動電壓＝15V；耐壓1000V的MOSFET柵驅(qū)動電壓＝12V。
