最近剛剛接觸saber,試著做了一些仿真,今天仿真圖騰柱的時候,不知道怎么回事,波形一直不對,所以請高手來指點一下,看看是不是什么地方弄錯了。先謝謝了!
波形圖中,第一個波形為mos管柵極g驅動電壓波形;第二個波形為輸入波形pulse。圖中上管NPN集電極所加電壓為15V,如果仿真沒有問題,第一個波形應該為峰值為15V左右脈沖波啊,但為什么脈沖電壓那么低呢?
最近剛剛接觸saber,試著做了一些仿真,今天仿真圖騰柱的時候,不知道怎么回事,波形一直不對,所以請高手來指點一下,看看是不是什么地方弄錯了。先謝謝了!
波形圖中,第一個波形為mos管柵極g驅動電壓波形;第二個波形為輸入波形pulse。圖中上管NPN集電極所加電壓為15V,如果仿真沒有問題,第一個波形應該為峰值為15V左右脈沖波啊,但為什么脈沖電壓那么低呢?
回答您的問題:
圖騰柱應工作在飽和區(qū)和截止區(qū),那么讓您提高驅動電壓(就是pulse電壓)的目的就是為了讓NPN導通,而NPN導通的條件就是要都是正偏,所以pulse電壓應高于VCC1電壓,這樣才可以讓NPN飽和導通
另,你說的Mos的驅動電壓與pulse電壓只差0.7V左右,那是對的,因為你的pulse電壓時直接接在圖騰柱上,所以當然是差了個0.7V點be電壓,把你的仿真圖修改一下
將pulse電壓設在15V,VCC1電壓設在12V,然后在pulse和圖騰柱之間加個10kohm的電阻,這樣子你再仿真一下,你就會發(fā)現(xiàn)是你想要的結果了
en ,是得到了我要的結果,謝謝你。
我問下:在pulse和圖騰柱之間加個10kohm的電阻作用是什么?取值范圍一般來說多少合適?我試驗了500、1k、5k、10k的好像似乎影響不大啊