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最新材料造就最新技術(shù)-----SiC(碳化硅)零恢復(fù)整流管

美國(guó)CREE利用其先進(jìn)技術(shù)將碳和硅化合在一起,制成SiC(碳化硅),其硬度和導(dǎo)熱性都僅次于鉆石.后來(lái)他們將此技術(shù)應(yīng)用于整流管和MOS,從而引領(lǐng)了半導(dǎo)體的一場(chǎng)革命:正反向恢復(fù)時(shí)間都為零,其耐壓是同類(lèi)型的Si(硅)的10倍;另外還有一特點(diǎn)是特性(正向壓降和電阻)不受溫度影響.它帶來(lái)的好處是:1、可做成高電壓大電流的肖特基整流管(電流可達(dá)20A,電壓可達(dá)2400V),用MOS管可以代替IGBT;2、沒(méi)有噪聲功耗,大大提高效率,減少散熱片.3、可通過(guò)提高電路的頻率而減少磁性材料的大小,減少PCB的大小.
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2005-11-25 09:34
現(xiàn)有量產(chǎn)嗎?價(jià)格看來(lái)不底吧!
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2005-11-25 09:35
@*無(wú)為*
現(xiàn)有量產(chǎn)嗎?價(jià)格看來(lái)不底吧!
發(fā)點(diǎn)資料看看!
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hintman
LV.5
4
2005-11-25 21:40
SiC并不是最新的技術(shù)吧.

ST的TANDEM二極管也不錯(cuò)啊,反向恢復(fù)時(shí)間也很快.價(jià)格肯定比SiC的便宜.
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孤燈下
LV.7
5
2005-11-26 08:07
盼望早日大量應(yīng)用!
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jacki_wang
LV.11
6
2005-11-26 08:53
為什麼沒(méi)有提到正向壓降大和價(jià)格超貴這兩個(gè)特點(diǎn)啊?當(dāng)正向壓降能夠降下來(lái)跟普通超快速管相比而價(jià)格也能降到現(xiàn)在的1/8的時(shí)候我相信在電源行業(yè)大量應(yīng)用就指日可待了.
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hotsps
LV.7
7
2005-11-26 08:57
@jacki_wang
為什麼沒(méi)有提到正向壓降大和價(jià)格超貴這兩個(gè)特點(diǎn)啊?當(dāng)正向壓降能夠降下來(lái)跟普通超快速管相比而價(jià)格也能降到現(xiàn)在的1/8的時(shí)候我相信在電源行業(yè)大量應(yīng)用就指日可待了.
有利必有弊,好處都讓他占盡了,怎麼可能
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jurda
LV.6
8
2005-11-26 23:21
@孤燈下
盼望早日大量應(yīng)用!
碳化硅二極管,出了比較舊了,英飛鈴,APT都出了.

效果還不錯(cuò),反向恢復(fù)明顯減低.
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eversir
LV.4
9
2005-11-28 12:59
@*無(wú)為*
發(fā)點(diǎn)資料看看!
我們已經(jīng)在走貨了.請(qǐng)問(wèn)怎么跟您聯(lián)系?
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eversir
LV.4
10
2005-11-28 13:02
@jurda
碳化硅二極管,出了比較舊了,英飛鈴,APT都出了.效果還不錯(cuò),反向恢復(fù)明顯減低.
對(duì)了,他們都是從CREE那買(mǎi)專(zhuān)利的
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eversir
LV.4
11
2005-11-28 13:11
@hotsps
有利必有弊,好處都讓他占盡了,怎麼可能
其實(shí)貴不貴是看你選擇什么樣的型號(hào).如果能正確選擇型號(hào)的話,不會(huì)增加成本,反而可以降低成本,要不然精明的臺(tái)灣人也不會(huì)用這個(gè)東西了.現(xiàn)在這顆料在臺(tái)灣用得很火.
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frank.lin
LV.4
12
2005-11-28 14:30
@eversir
對(duì)了,他們都是從CREE那買(mǎi)專(zhuān)利的
這個(gè)專(zhuān)利是INFINEON的恥辱
原本是INFINEON發(fā)明的
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eversir
LV.4
13
2005-12-04 16:56
@frank.lin
這個(gè)專(zhuān)利是INFINEON的恥辱原本是INFINEON發(fā)明的
?
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fyjstar
LV.4
14
2005-12-11 23:59
@eversir
其實(shí)貴不貴是看你選擇什么樣的型號(hào).如果能正確選擇型號(hào)的話,不會(huì)增加成本,反而可以降低成本,要不然精明的臺(tái)灣人也不會(huì)用這個(gè)東西了.現(xiàn)在這顆料在臺(tái)灣用得很火.
說(shuō)說(shuō)你的聯(lián)系方法!
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wjjzqy
LV.6
15
2005-12-12 09:27
麻煩發(fā)一份給我,wjjzqy@163.com
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2005-12-12 10:06
能否傳幾個(gè)型號(hào)上來(lái)看看.
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eversir
LV.4
17
2005-12-12 12:24
@斯文敗類(lèi)
能否傳幾個(gè)型號(hào)上來(lái)看看.
CSD01060A---------1A/600V
CSD02060A---------2A/600V
CSD04060A---------4A/600V
CSD06060A---------6A/600V
CSD10060A---------10A/600V
0
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eversir
LV.4
18
2005-12-12 12:25
@fyjstar
說(shuō)說(shuō)你的聯(lián)系方法!
可以把您的需求告訴我嗎?
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fyjstar
LV.4
19
2005-12-12 19:34
@eversir
可以把您的需求告訴我嗎?
我們現(xiàn)在需要高壓管,要1500V以上.你那里有沒(méi)有?
0
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eversir
LV.4
20
2005-12-13 22:13
@fyjstar
我們現(xiàn)在需要高壓管,要1500V以上.你那里有沒(méi)有?
方便把您的聯(lián)系方式發(fā)到我的郵箱嗎?另外,所需高壓管的電流電壓要求?我可以幫您選型.
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mouldking
LV.4
21
2005-12-14 14:00
@eversir
CSD01060A---------1A/600VCSD02060A---------2A/600VCSD04060A---------4A/600VCSD06060A---------6A/600VCSD10060A---------10A/600V
1A,1600V的有嗎?
0
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2005-12-15 09:42
@eversir
CSD01060A---------1A/600VCSD02060A---------2A/600VCSD04060A---------4A/600VCSD06060A---------6A/600VCSD10060A---------10A/600V
有電流更大一些的嗎?
15A600V???

還有售價(jià)??
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gdlkas
LV.3
23
2005-12-15 11:17
sic最好不要用,有致命缺陷
0
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2005-12-15 11:52
@gdlkas
sic最好不要用,有致命缺陷
理由???剛剛看了它的DATASHEET,好像就是管壓降大了一點(diǎn).還有別的嗎?在10A的電流下也就是比別的大了五瓦左右的損耗!
可是它的恢復(fù)損耗比別的小好多呀!!!
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2005-12-15 13:49
@jacki_wang
為什麼沒(méi)有提到正向壓降大和價(jià)格超貴這兩個(gè)特點(diǎn)啊?當(dāng)正向壓降能夠降下來(lái)跟普通超快速管相比而價(jià)格也能降到現(xiàn)在的1/8的時(shí)候我相信在電源行業(yè)大量應(yīng)用就指日可待了.
王兄所言極是!
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gdlkas
LV.3
26
2005-12-15 17:56
@早安豬八戒
理由???剛剛看了它的DATASHEET,好像就是管壓降大了一點(diǎn).還有別的嗎?在10A的電流下也就是比別的大了五瓦左右的損耗!可是它的恢復(fù)損耗比別的小好多呀!!!
雅達(dá)曾經(jīng)因?yàn)檫@個(gè)向英飛凌索賠50W美金
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2005-12-16 08:40
@gdlkas
雅達(dá)曾經(jīng)因?yàn)檫@個(gè)向英飛凌索賠50W美金
???我也想索賠啊!!!
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eversir
LV.4
28
2005-12-16 21:38
@gdlkas
雅達(dá)曾經(jīng)因?yàn)檫@個(gè)向英飛凌索賠50W美金
但現(xiàn)在雅達(dá)一個(gè)月用多少SiC?你知道嗎?
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eversir
LV.4
29
2005-12-16 21:44
@早安豬八戒
有電流更大一些的嗎?15A600V???還有售價(jià)??
有,但是一般都不會(huì)用那麼大.如果做3KW的電源的話可以攷慮用這些.
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fyjstar
LV.4
30
2005-12-18 12:23
@eversir
方便把您的聯(lián)系方式發(fā)到我的郵箱嗎?另外,所需高壓管的電流電壓要求?我可以幫您選型.
我的郵箱是:fyj-2002@163.com.
     我們現(xiàn)在需要1500伏1安的高壓管.
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timhoo
LV.2
31
2005-12-20 17:50
@gdlkas
sic最好不要用,有致命缺陷
不是說(shuō)SiC有缺陷,是現(xiàn)在的制造工藝還沒(méi)有達(dá)到那境界.其實(shí)肖特基二級(jí)管是第一個(gè)由碳化硅制成在商業(yè)上應(yīng)用的器件.碳化硅發(fā)展由襯底的質(zhì)量決定,目前的工藝限制,制造襯底的昂貴的升華方法和相關(guān)的密度缺陷(微管道或者錯(cuò)位)使得難于提高晶元的直徑.同時(shí),襯底的連續(xù)高密度還不夠好,也限制了器件進(jìn)入經(jīng)濟(jì)實(shí)用的范圍.
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