最新材料造就最新技術(shù)-----SiC(碳化硅)零恢復(fù)整流管
美國(guó)CREE利用其先進(jìn)技術(shù)將碳和硅化合在一起,制成SiC(碳化硅),其硬度和導(dǎo)熱性都僅次于鉆石.后來(lái)他們將此技術(shù)應(yīng)用于整流管和MOS,從而引領(lǐng)了半導(dǎo)體的一場(chǎng)革命:正反向恢復(fù)時(shí)間都為零,其耐壓是同類(lèi)型的Si(硅)的10倍;另外還有一特點(diǎn)是特性(正向壓降和電阻)不受溫度影響.它帶來(lái)的好處是:1、可做成高電壓大電流的肖特基整流管(電流可達(dá)20A,電壓可達(dá)2400V),用MOS管可以代替IGBT;2、沒(méi)有噪聲功耗,大大提高效率,減少散熱片.3、可通過(guò)提高電路的頻率而減少磁性材料的大小,減少PCB的大小.
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