最新材料造就最新技術-----SiC(碳化硅)零恢復整流管
美國CREE利用其先進技術將碳和硅化合在一起,制成SiC(碳化硅),其硬度和導熱性都僅次于鉆石.后來他們將此技術應用于整流管和MOS,從而引領了半導體的一場革命:正反向恢復時間都為零,其耐壓是同類型的Si(硅)的10倍;另外還有一特點是特性(正向壓降和電阻)不受溫度影響.它帶來的好處是:1、可做成高電壓大電流的肖特基整流管(電流可達20A,電壓可達2400V),用MOS管可以代替IGBT;2、沒有噪聲功耗,大大提高效率,減少散熱片.3、可通過提高電路的頻率而減少磁性材料的大小,減少PCB的大小.
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