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MOS管VDS電壓高，怎樣減下來(lái)？？？

  經(jīng)此一事，痛定思痛！以后做電源，變壓器必須自己設(shè)計(jì)！要不然，自己吹虧還不知道！

言歸正傳：現(xiàn)在這款電源，實(shí)測(cè)最大VDS高達(dá)580V。選用的MOS是8N60的，耐壓600V。這樣的情況肯定不行！目前的變壓器匝數(shù)是：初級(jí)30匝，次級(jí)4匝。寬電壓輸入、輸出12V/5A，初級(jí)電感480UH，吸收電路R：62K，電容10nf.初級(jí)漏感12UH左右。繞法是三明治繞法！磁芯是：PQ2620的。

在不更換MOS型號(hào)的條件下，怎樣通過(guò)變壓器設(shè)計(jì)的改動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)把VDS降下來(lái)？

有意朋友建議我：減小圈數(shù)，擴(kuò)大匝比！但是我很懷疑：用公式Vds max=Vin max + (Vo/Vd)/(N2/N1)。倘若把匝比擴(kuò)大，VDS兩端電壓會(huì)更高！和變壓器廠的工程師溝通了也是這個(gè)結(jié)果！

俺現(xiàn)在還不精于變壓器設(shè)計(jì)！請(qǐng)路過(guò)的朋友幫忙出招！

謝謝！

全部回復(fù)(203)
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pangjihao
LV.10
2
2010-09-20 21:43
你要告訴大家輸出電壓是多少伏，大家才能幫你參考！吸收電路的電容電阻是多少，還有一點(diǎn)是變壓器用的是什么繞法，電感量是多少，漏感是多少。大家才好幫你！輸出電壓可以換算出反射電壓，繞法，電感量，漏感可以知道變壓器的質(zhì)量，吸收電路的處理也會(huì)影響到電壓的高低。
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jepsun
LV.9
3
2010-09-20 21:48
@pangjihao
你要告訴大家輸出電壓是多少伏，大家才能幫你參考！吸收電路的電容電阻是多少，還有一點(diǎn)是變壓器用的是什么繞法，電感量是多少，漏感是多少。大家才好幫你！輸出電壓可以換算出反射電壓，繞法，電感量，漏感可以知道變壓器的質(zhì)量，吸收電路的處理也會(huì)影響到電壓的高低。

不好意思，樓上朋友，對(duì)不住了！因?yàn)槲业牟粚I(yè)，耽誤了您的時(shí)間，真是不好意思！

輸出12V/5A，初級(jí)電感480UH，吸收電路R：62K，電容10nf.初級(jí)漏感12UH左右。繞法是三明治繞法！

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2010-09-20 22:46
@jepsun
不好意思，樓上朋友，對(duì)不住了！因?yàn)槲业牟粚I(yè)，耽誤了您的時(shí)間，真是不好意思！輸出12V/5A，初級(jí)電感480UH，吸收電路R：62K，電容10nf.初級(jí)漏感12UH左右。繞法是三明治繞法！

不知道你用什么變壓器，所以變壓器參數(shù)不好判斷是否合適

不過(guò)有一點(diǎn)可以肯定的是，只要將變壓器次級(jí)加一匝，初級(jí)的MOS管的VDS電壓立馬可以降下來(lái)，但次級(jí)的整流二極管反向耐壓更高了

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jepsun
LV.9
5
2010-09-20 23:02
@心中有冰
不知道你用什么變壓器，所以變壓器參數(shù)不好判斷是否合適不過(guò)有一點(diǎn)可以肯定的是，只要將變壓器次級(jí)加一匝，初級(jí)的MOS管的VDS電壓立馬可以降下來(lái)，但次級(jí)的整流二極管反向耐壓更高了

好版主，磁芯是PQ2620的。

是啊，加一匝，MOS的耐壓會(huì)降下來(lái)，但是肖特基的上來(lái)了。并且加一匝，也不知道好不好繞？

好版主，按你的經(jīng)驗(yàn)，加一匝，肖特基的會(huì)上升多少呢？

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pangjihao
LV.10
6
2010-09-21 09:07
@jepsun
不好意思，樓上朋友，對(duì)不住了！因?yàn)槲业牟粚I(yè)，耽誤了您的時(shí)間，真是不好意思！輸出12V/5A，初級(jí)電感480UH，吸收電路R：62K，電容10nf.初級(jí)漏感12UH左右。繞法是三明治繞法！
 變壓器的漏感做的有點(diǎn)偏大，你可以考慮重新設(shè)計(jì)一下變壓器?；蛘哂?50V的MOS管。
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2010-09-21 09:07
@jepsun
好版主，磁芯是PQ2620的。是啊，加一匝，MOS的耐壓會(huì)降下來(lái)，但是肖特基的上來(lái)了。并且加一匝，也不知道好不好繞？好版主，按你的經(jīng)驗(yàn)，加一匝，肖特基的會(huì)上升多少呢？

留意

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2010-09-21 09:30
@jepsun
好版主，磁芯是PQ2620的。是啊，加一匝，MOS的耐壓會(huì)降下來(lái)，但是肖特基的上來(lái)了。并且加一匝，也不知道好不好繞？好版主，按你的經(jīng)驗(yàn)，加一匝，肖特基的會(huì)上升多少呢？

好版主？是不是想好版了。

增加的電壓不是靠經(jīng)驗(yàn)的，有計(jì)算公式：

Udf=Uo+Uinmax*N

Udf:次級(jí)整流管的反壓

Uo：次級(jí)輸出電壓

Uinmax：初級(jí)最高輸入電壓（直流）

N：匝比

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水蜘蛛
LV.8
9
2010-09-21 10:02
4匝二次繞組是咋繞的？
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jepsun
LV.9
10
2010-09-21 11:15
@水蜘蛛
4匝二次繞組是咋繞的？

 先看看我自己畫(huà)的變壓器的結(jié)構(gòu)圖，不要見(jiàn)笑！

1/2/3為初級(jí)主功率繞組：1和2為15圈；2和3為15圈；利用一個(gè)引腳連接兩個(gè)繞組。

6/7；8/9為輸出繞組：6/7為一個(gè)繞組，4圈；8/9為一個(gè)繞組，4圈。

輸出按這樣的接法，那么次級(jí)繞組為4匝！

是這樣嗎？還是我愚鈍，理解錯(cuò)了！

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jyh1017
LV.4
11
2010-09-21 11:18

鉗位電路可以把漏極的電壓限制在一定范圍內(nèi)，漏極電壓高也不是一點(diǎn)好處也沒(méi)有，至少他可以把功率強(qiáng)制性輸出到副邊，你可以試下把電壓限的很低，你的副邊根本輸不出功率來(lái)，當(dāng)然這要看的電路決定

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jepsun
LV.9
12
2010-09-21 11:19
@心中有冰
好版主？是不是想好版了。增加的電壓不是靠經(jīng)驗(yàn)的，有計(jì)算公式：Udf=Uo+Uinmax*NUdf:次級(jí)整流管的反壓Uo：次級(jí)輸出電壓Uinmax：初級(jí)最高輸入電壓（直流）N：匝比

是??！這個(gè)公式我都記得的！哎，我有時(shí)候會(huì)有惰性，不好意思！

但是我發(fā)現(xiàn)計(jì)算的和實(shí)測(cè)的誤差很大！我計(jì)算出肖特基反壓為56V，實(shí)測(cè)峰峰最大值為72V；MOS的VDS也是一樣，計(jì)算的是460V，實(shí)測(cè)的將近580V。

不過(guò)這個(gè)電壓都是峰峰值里面的最大值！差別之大，另我恍惚！?。?img src="http://www.e-ticket.cn/statics/js/kindeditor/plugins/emoticons/images/27.gif" />

論壇有好版、冰版、pangjihao、水蜘蛛等等大師坐鎮(zhèn)！真乃我等福音！

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jepsun
LV.9
13
2010-09-21 11:21
@pangjihao
 變壓器的漏感做的有點(diǎn)偏大，你可以考慮重新設(shè)計(jì)一下變壓器?；蛘哂?50V的MOS管。

650V的管子自然呢，可以解決辦法！但是我覺(jué)得不是最好的！

最好的是通過(guò)調(diào)節(jié)變壓器及RCD吸收來(lái)解決！我是感覺(jué)RCD可以矯正的余地很小！想把次級(jí)加一匝，但是怕不好繞，用的線更細(xì)，估計(jì)效率會(huì)受影響!

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水蜘蛛
LV.8
14
2010-09-21 11:21
@jepsun
[圖片] 先看看我自己畫(huà)的變壓器的結(jié)構(gòu)圖，不要見(jiàn)笑！1/2/3為初級(jí)主功率繞組：1和2為15圈；2和3為15圈；利用一個(gè)引腳連接兩個(gè)繞組。6/7；8/9為輸出繞組：6/7為一個(gè)繞組，4圈；8/9為一個(gè)繞組，4圈。輸出按這樣的接法，那么次級(jí)繞組為4匝！是這樣嗎？還是我愚鈍，理解錯(cuò)了！

KAO！哪頭X設(shè)計(jì)的變壓器呀！這樣干?。〔还饴└写?；損耗還大！

建議6-7/8-9串起來(lái)！每層三匝；共六匝。二次線加粗；三匝將一層繞滿！

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水蜘蛛
LV.8
15
2010-09-21 11:23
@jepsun
650V的管子自然呢，可以解決辦法！但是我覺(jué)得不是最好的！最好的是通過(guò)調(diào)節(jié)變壓器及RCD吸收來(lái)解決！我是感覺(jué)RCD可以矯正的余地很??！想把次級(jí)加一匝，但是怕不好繞，用的線更細(xì)，估計(jì)效率會(huì)受影響!

是變壓器設(shè)計(jì)錯(cuò)誤！

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jepsun
LV.9
16
2010-09-21 11:24
@冰上鴨子
留意
留意啥??？給點(diǎn)意見(jiàn)！哥們！
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jepsun
LV.9
17
2010-09-21 11:26
@水蜘蛛
KAO！哪頭X設(shè)計(jì)的變壓器呀！這樣干啊！不光漏感大；損耗還大！建議6-7/8-9串起來(lái)！每層三匝；共六匝。二次線加粗；三匝將一層繞滿！

 

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jepsun
LV.9
18
2010-09-21 11:28
@水蜘蛛
是變壓器設(shè)計(jì)錯(cuò)誤！

感謝水大人指教！感謝！

我會(huì)潛心潛心考量的！謝謝！

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水蜘蛛
LV.8
19
2010-09-21 11:31
@jepsun
 

不好意思；有點(diǎn)。。。

主要是犯了原則錯(cuò)誤。不同位置的繞組并，是有強(qiáng)環(huán)流的，會(huì)直接導(dǎo)致漏感增加。另一方面；變壓器一/二次偶合電容大了，開(kāi)關(guān)損耗和EMI噪音都起來(lái)了。

實(shí)在是很糟糕的設(shè)計(jì)！根本就沒(méi)搞懂疊層繞的意思。

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jepsun
LV.9
20
2010-09-21 11:54
@水蜘蛛
不好意思；有點(diǎn)。。。主要是犯了原則錯(cuò)誤。不同位置的繞組并，是有強(qiáng)環(huán)流的，會(huì)直接導(dǎo)致漏感增加。另一方面；變壓器一/二次偶合電容大了，開(kāi)關(guān)損耗和EMI噪音都起來(lái)了。實(shí)在是很糟糕的設(shè)計(jì)！根本就沒(méi)搞懂疊層繞的意思。

沒(méi)關(guān)系的餓！

大家都是做技術(shù)的，見(jiàn)了糟糕的設(shè)計(jì)，都會(huì)情不自禁的上脾氣！可以理解！

呵呵，對(duì)你，抱有感激之情！

謝謝！

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hlp330
LV.9
21
2010-09-21 12:00
@jyh1017
鉗位電路可以把漏極的電壓限制在一定范圍內(nèi)，漏極電壓高也不是一點(diǎn)好處也沒(méi)有，至少他可以把功率強(qiáng)制性輸出到副邊，你可以試下把電壓限的很低，你的副邊根本輸不出功率來(lái)，當(dāng)然這要看的電路決定

一般來(lái)說(shuō)，漏極電壓只要不超過(guò)MOSFET的耐壓值就沒(méi)有什么特別大的問(wèn)題。樓主的余量為580/600=96.7%.只是稍微有一點(diǎn)偏高。

如果可以修改變壓器的話，建議次級(jí)使用一個(gè)繞組，不要兩繞組并聯(lián)了?？梢栽鰪?qiáng)耦合，減少漏感。

如果不能修改變壓器的話，就直接修改VDs的吸收電路了，但是看你的參數(shù)已經(jīng)取的很猛了，效率影響很大的。

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2010-09-21 12:03
@jepsun
[圖片] 先看看我自己畫(huà)的變壓器的結(jié)構(gòu)圖，不要見(jiàn)笑！1/2/3為初級(jí)主功率繞組：1和2為15圈；2和3為15圈；利用一個(gè)引腳連接兩個(gè)繞組。6/7；8/9為輸出繞組：6/7為一個(gè)繞組，4圈；8/9為一個(gè)繞組，4圈。輸出按這樣的接法，那么次級(jí)繞組為4匝！是這樣嗎？還是我愚鈍，理解錯(cuò)了！

次級(jí)非得要這樣搞的話，整流之后再并聯(lián)，有助于減少環(huán)流

最好的辦法是將線絞合，改成直接并繞

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水蜘蛛
LV.8
23
2010-09-21 12:06
@心中有冰
次級(jí)非得要這樣搞的話，整流之后再并聯(lián)，有助于減少環(huán)流最好的辦法是將線絞合，改成直接并繞
這樣做；出力會(huì)不勻，實(shí)質(zhì)上還是有環(huán)流。只是空/輕載環(huán)流沒(méi)了而已。
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pangjihao
LV.10
24
2010-09-21 12:17
@jepsun
是??！這個(gè)公式我都記得的！哎，我有時(shí)候會(huì)有惰性，不好意思！但是我發(fā)現(xiàn)計(jì)算的和實(shí)測(cè)的誤差很大！我計(jì)算出肖特基反壓為56V，實(shí)測(cè)峰峰最大值為72V；MOS的VDS也是一樣，計(jì)算的是460V，實(shí)測(cè)的將近580V。不過(guò)這個(gè)電壓都是峰峰值里面的最大值！差別之大，另我恍惚！?。圖片][圖片]論壇有好版、冰版、pangjihao、水蜘蛛等等大師坐鎮(zhèn)！真乃我等福音！
 呵呵！我一直都是游過(guò)，沒(méi)坐過(guò)的！
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hlp330
LV.9
25
2010-09-21 12:22
@水蜘蛛
這樣做；出力會(huì)不勻，實(shí)質(zhì)上還是有環(huán)流。只是空/輕載環(huán)流沒(méi)了而已。

5A的電流。65K的頻率，在保證穿透深度的情況下，可以試一試一個(gè)繞組，效果要好很多的。

如果太熱的話，就只能用多股線了。

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jepsun
LV.9
26
2010-09-21 12:22
@hlp330
一般來(lái)說(shuō)，漏極電壓只要不超過(guò)MOSFET的耐壓值就沒(méi)有什么特別大的問(wèn)題。樓主的余量為580/600=96.7%.只是稍微有一點(diǎn)偏高。如果可以修改變壓器的話，建議次級(jí)使用一個(gè)繞組，不要兩繞組并聯(lián)了?？梢栽鰪?qiáng)耦合，減少漏感。如果不能修改變壓器的話，就直接修改VDs的吸收電路了，但是看你的參數(shù)已經(jīng)取的很猛了，效率影響很大的。

是啊！

我也感覺(jué)RCD吸收改動(dòng)的地方不大了！

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jepsun
LV.9
27
2010-09-21 12:53
@pangjihao
[圖片] 呵呵！我一直都是游過(guò)，沒(méi)坐過(guò)的！

不錯(cuò)不錯(cuò)！

改天我也去領(lǐng)一個(gè)！

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jim li
LV.8
28
2010-09-21 12:56
@水蜘蛛
不好意思；有點(diǎn)。。。主要是犯了原則錯(cuò)誤。不同位置的繞組并，是有強(qiáng)環(huán)流的，會(huì)直接導(dǎo)致漏感增加。另一方面；變壓器一/二次偶合電容大了，開(kāi)關(guān)損耗和EMI噪音都起來(lái)了。實(shí)在是很糟糕的設(shè)計(jì)！根本就沒(méi)搞懂疊層繞的意思。
估計(jì)漏感會(huì)更大.
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2010-09-21 13:30
@水蜘蛛
這樣做；出力會(huì)不勻，實(shí)質(zhì)上還是有環(huán)流。只是空/輕載環(huán)流沒(méi)了而已。

請(qǐng)看仔細(xì)我說(shuō)的話！

在沒(méi)辦法改變壓器的情況下，這個(gè)是減少環(huán)流的辦法

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liuhou
LV.9
30
2010-09-23 11:09
@jepsun
是?。∥乙哺杏X(jué)RCD吸收改動(dòng)的地方不大了！
MOSFET的應(yīng)力是允許超一些的，因本身廠家在做的時(shí)候就留出了余量的。
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2010-09-23 11:21
@liuhou
MOSFET的應(yīng)力是允許超一些的，因本身廠家在做的時(shí)候就留出了余量的。

兄弟，這個(gè)不是應(yīng)力是否允許超額使用的問(wèn)題了，而是關(guān)系到產(chǎn)品可靠性的問(wèn)題了！

 

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