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開關電源中MOS管所承受的峰值電流

請教一下開關電源中MOS管所承受的峰值電流？比如要設計個一個12V到80的開關電源，功率在35W，如何通過計算去選擇MOS管。謝謝！
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mgt123
LV.3
2
2010-11-02 20:47

不知道你說的是什么，

這里有關于MOS的使用注意

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jepsun
LV.9
3
2010-11-02 21:32
你是說流過MOS最大電流ID的算法吧？這個和你變壓器的算法有關的。
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liuhou
LV.9
4
2010-11-03 08:42
@jepsun
你是說流過MOS最大電流ID的算法吧？這個和你變壓器的算法有關的。
這個 是由變壓器的原邊電感量來決定的。
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rdong
LV.2
5
2010-11-03 08:44
@liuhou
這個是由變壓器的原邊電感量來決定的。

希望有更清楚一點的答案

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chenzaili
LV.4
6
2010-11-03 08:49
@rdong
希望有更清楚一點的答案
是啊，希望答案能夠更完整一點。簡單的說就是開關電源中，如何選擇mos管。請教高人了。
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dolameng
LV.4
7
2010-11-03 09:03
@rdong
希望有更清楚一點的答案
這個恐怕不是那么容易說清楚的，因為這和電路結構（正激、反激等等）、CCM還是DCM、MOS的耐壓、占空比設定、效率等等因素都相關，建議按一些成熟的設計程序來選型。
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songxium
LV.7
8
2010-11-03 09:08
@chenzaili
是啊，希望答案能夠更完整一點。簡單的說就是開關電源中，如何選擇mos管。請教高人了。
首先根據(jù)你的輸出功率和輸入電壓計算出你的峰值最大電流，然后根據(jù)你的最大占空比計算出你的反射電壓，反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓。你的管子耐壓要是整個電壓（輸入加鉗位）的1.2倍，這樣你就可以選擇MOSFET了。
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songxium
LV.7
9
2010-11-03 09:08
@songxium
首先根據(jù)你的輸出功率和輸入電壓計算出你的峰值最大電流，然后根據(jù)你的最大占空比計算出你的反射電壓，反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓。你的管子耐壓要是整個電壓（輸入加鉗位）的1.2倍，這樣你就可以選擇MOSFET了。
我說的這是反激的。
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cheng111
LV.11
10
2010-11-03 14:03
@chenzaili
是啊，希望答案能夠更完整一點。簡單的說就是開關電源中，如何選擇mos管。請教高人了。

我選擇的MOS管的最大電流一般是實際流過電流平均值的8倍，各有各的不同，有時候使用的只有5倍....不過倍數(shù)越小工作起來效率就越低而且越危險

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hk2007
LV.8
11
2010-11-03 14:10
@dolameng
這個恐怕不是那么容易說清楚的，因為這和電路結構（正激、反激等等）、CCM還是DCM、MOS的耐壓、占空比設定、效率等等因素都相關，建議按一些成熟的設計程序來選型。

也想知道……

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yong168
LV.7
12
2010-11-03 14:16
@liuhou
這個是由變壓器的原邊電感量來決定的。
也不能完全說Ip峰值電流由原邊電感量決定，根據(jù)公式就知道
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yong168
LV.7
13
2010-11-03 14:18
@songxium
首先根據(jù)你的輸出功率和輸入電壓計算出你的峰值最大電流，然后根據(jù)你的最大占空比計算出你的反射電壓，反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓。你的管子耐壓要是整個電壓（輸入加鉗位）的1.2倍，這樣你就可以選擇MOSFET了。
同意這說法~！
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冰上鴨子
LV.10
14
2010-11-03 14:34
@songxium
首先根據(jù)你的輸出功率和輸入電壓計算出你的峰值最大電流，然后根據(jù)你的最大占空比計算出你的反射電壓，反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓。你的管子耐壓要是整個電壓（輸入加鉗位）的1.2倍，這樣你就可以選擇MOSFET了。

反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓

這么算是不是偏高了啊

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hlp330
LV.9
15
2010-11-03 16:45
@yong168
也不能完全說Ip峰值電流由原邊電感量決定，根據(jù)公式就知道
是的，和占空比也有很大的關系，此外還要考慮散熱，以及效率的問題。
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jepsun
LV.9
16
2010-11-03 20:52
樓主差不多理解了嗎？就是根據(jù)你計算的變壓器的原邊電流峰值來選取，當然，要比這個大。
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2011-03-16 21:47
@冰上鴨子
反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓這么算是不是偏高了啊
這個是TI的還是PI一個技術手冊中這么計算的，是認為大電壓穩(wěn)壓二極管不穩(wěn)定，有40%的差值，但是這個我覺得應該不用這么計算的。
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2011-03-16 21:56
@cheng111
我選擇的MOS管的最大電流一般是實際流過電流平均值的8倍，各有各的不同，有時候使用的只有5倍....不過倍數(shù)越小工作起來效率就越低而且越危險

我一直在迷惑，到底怎么選擇MOS管的電流參數(shù)，看了一些MOS官的參數(shù)定義，電流應該是從25-175度溫升過程中，在一定的散熱條件下的持續(xù)電流的大少，那么比較的話應該是用有效值的同等散熱來計算，那么我們計算出初級的電流有效值后，*3應該就是MOS管的有效值電流，而MOS管的有效值電流=1.57*ID，所以，選取ID=2*I初有效值，應該就可以了，但是計算后總感覺少，每次都是按照大家說的3倍峰值電流來選取，

覺得問題出在管子給的參數(shù)是在25-175度有150度溫升，而我們實際上基本上只有60度溫升左右。但是具體的參數(shù)不好找。。。

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st.you
LV.10
19
2011-03-16 22:07

正激？反激？直接升壓的BOOST？DCM還是CCM模式？

拓撲不一樣，同樣的輸入，輸出，電流也不一樣，差很多倍都有。

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2011-03-16 22:08
@chenfeng821121
我一直在迷惑，到底怎么選擇MOS管的電流參數(shù)，看了一些MOS官的參數(shù)定義，電流應該是從25-175度溫升過程中，在一定的散熱條件下的持續(xù)電流的大少，那么比較的話應該是用有效值的同等散熱來計算，那么我們計算出初級的電流有效值后，*3應該就是MOS管的有效值電流，而MOS管的有效值電流=1.57*ID，所以，選取ID=2*I初有效值，應該就可以了，但是計算后總感覺少，每次都是按照大家說的3倍峰值電流來選取，覺得問題出在管子給的參數(shù)是在25-175度有150度溫升，而我們實際上基本上只有60度溫升左右。但是具體的參數(shù)不好找。。。
看了下，如果以MOS參數(shù)中100度或110度的ID>2*I初有效值，來進行選型還是可以的。當然這個是我自認為的，不知道各位高手怎么看。。
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cheng111
LV.11
21
2011-03-16 22:53
@chenfeng821121
看了下，如果以MOS參數(shù)中100度或110度的ID>2*I初有效值，來進行選型還是可以的。當然這個是我自認為的，不知道各位高手怎么看。。
有時候還是最好計算一下MOS管的溫升，這個參數(shù)也都很重要，特別是在大功率的場合。我做小功率的也只有選了兩倍電流關系的。
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2011-03-21 11:33
@dolameng
這個恐怕不是那么容易說清楚的，因為這和電路結構（正激、反激等等）、CCM還是DCM、MOS的耐壓、占空比設定、效率等等因素都相關，建議按一些成熟的設計程序來選型。

就是  不同的電路結構，你所計算的公式也是有差異的，最好是說你下你用的是什么電路結構

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chenzaili
LV.4
23
2011-04-28 13:16
@chenfeng821121
看了下，如果以MOS參數(shù)中100度或110度的ID>2*I初有效值，來進行選型還是可以的。當然這個是我自認為的，不知道各位高手怎么看。。
mos的電流能力是隨著溫度的上升會有所下降，所以要考慮溫度的影響，所以就與散熱等等都有關系了，我還是同意你的說法的。請教了！謝謝
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chenzaili
LV.4
24
2011-04-28 13:17
@jepsun
樓主差不多理解了嗎？就是根據(jù)你計算的變壓器的原邊電流峰值來選取，當然，要比這個大。
謝謝樓上的！經(jīng)過大家這么一討論，我已經(jīng)有所理解了！謝謝！
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chenzaili
LV.4
25
2011-04-28 13:20
@st.you
正激？反激？直接升壓的BOOST？DCM還是CCM模式？拓撲不一樣，同樣的輸入，輸出，電流也不一樣，差很多倍都有。

樓上的，好像很有經(jīng)驗，具體的計算我不太清楚，但是經(jīng)過大家這么一說我還是理解了一些。至于你提出的正激反激等實際情況，只有在后面的實際工作中去了解了。。謝謝！是否能加你QQ什么的，以后有什么問題，好向你請教。

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