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水蜘蛛老師的帖子，我向來是邊看，邊想，邊記筆記的。期待繼續(xù)。[圖片]

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單限比較器，上電瞬間狀態(tài)不定，窗口比較器有點麻煩。不知道在各反相端并一個百皮法的電容會怎么樣？

能否貼出后面的波形。另外，實際電路用的時NMOS還是PMOS？應該是PMOS吧，否則漏極怎么可能會在Vgs為0時還會這么大。

這里所說的是指初級傳遞到次級時的漏感，如果N1與N3并繞，保證良好的耦合，那傳遞不到次級的漏感將傳遞到N3并返回輸入電容。

儲能電感的電流如果是連續(xù)的，占空比不會變，變化的是電流階梯波形。不連續(xù)時，占空比隨負載電流增大而增大。

哦，是啊。多謝指教！[圖片]

[圖片]，明白了，定性上的理解就應該是，Bmax一定時，感量越大，Ipeak就越小，Vin不變時，功率也就越小。這和DCM還是CCM無關。不過，您的式子里PO=Y*(VIN*D)^2/(2*L*F^2),頻率應該沒有平方才是，應該是筆誤了。

Jim兄，能詳細說說么？

Mr.peterlong，您的意思是否是，初級匝數(shù)增加，感量增大，占空比也隨之加大，導致磁芯容易飽和，造成帶載能力降低？但是存儲時間降低是什么意思？如果是換為高磁導率的磁芯，應該不會使帶載能力降低吧。