上面是EMI濾波器的基本框圖。

C1\C2\C3\C4為Y電容，L1為共模扼流圈（共模電感）：主要針對共模噪聲。

對于Y電容，選型面Y太窄，基本是沒有選的。一般是2個(gè)或者4個(gè)。容值大小的選型也不多，主要考慮電源的漏電流，在漏電流允許的情況下越大EMI越好。

共模扼流圈：用高磁導(dǎo)率值，可以使得體積更小，圈數(shù)更少?，F(xiàn)在磁導(dǎo)率為10000的材料已經(jīng)很成熟了。這個(gè)值，取mH級別的。百瓦級別的電源，幾個(gè)mH,或者10mH左右。

共模扼流圈的取值經(jīng)驗(yàn)可以參考沙占友的書，但也只是經(jīng)驗(yàn)?！堕_關(guān)電源設(shè)計(jì)——入門與實(shí)例解析》

差模電感L2\L3：由于容易飽和，一般不使用。若使用也只是uH級別的。

X電容：一般也是選取兩個(gè)，在EMI濾波器的最前端和最后端。取值面也很窄。在實(shí)驗(yàn)室調(diào)試即可。

差模電感一般不使用，差模干擾主要還是靠X電容濾除。

共模電感經(jīng)驗(yàn)取值：與額定電流的關(guān)系。

平安夜還在加班加點(diǎn)搞總結(jié),可敬可佩!!

貌似沒總結(jié)玩????

這個(gè)是什么原理呢??為什么這么選呢??

我想是從磁芯體積和過電流能力上的考慮,

這個(gè)是什么原理呢??為什么這么選呢??

我想是從磁芯體積和過電流能力上的考慮,

針對小功率機(jī)種（比如十幾W的）：

在整流橋后可以使用CLC（兩個(gè)電解電容和一個(gè)電感）結(jié)構(gòu)，輸入端就可以不用接X電容了。 

上面就是小功率機(jī)種的EMI對策的對比，上面的是CLC模式，下面還是傳統(tǒng)的整流橋前濾波。CLC模式可以節(jié)省X電容。

大功率機(jī)種：

一般采用整流橋前濾波。如果一級EMI濾波不行可以采用二級EMI濾波。

Y電容選取主要考慮一個(gè)漏電流，漏電流I=2*3.14*F*C*Uc。F為電網(wǎng)頻率，C為Y電容容值和，Uc為Y電容上的壓降。只要安規(guī)可以過，Y電容越大EMI越好。

共模電感這里就不在重復(fù)。

變壓器的屏蔽：

變壓器有二種屏蔽：電場和磁場。

電場有分為兩種：一次屏蔽和二次屏蔽。

一般變壓器的屏蔽層都是在初級和次級繞組之間，一段漆包線焊一段銅皮，漆包線的一頭就焊在變壓器的初級地端，或叫熱地！二次屏蔽就是將屏蔽繞組接到次級的地（也稱為冷地）。

磁場屏蔽，就是在變壓器的最外加一層銅皮屏蔽。這樣可以屏蔽變壓器對外的和外面干擾對變壓器的騷擾。

在實(shí)際應(yīng)用中，我們一般使用一次屏蔽和磁場屏蔽即可，在大功率的機(jī)種中，磁場屏蔽是必須的。

驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)對EMI的影響，

先還是不知道是關(guān)斷對EMI影響大，還是導(dǎo)通對EMI影響大？

論壇大部分認(rèn)為關(guān)斷時(shí)，對EMI的影響較大；而冰版主認(rèn)為導(dǎo)通的時(shí)候?qū)MI影響大。

團(tuán)長兄你好：

      1. CLC中的前面一個(gè)C可以省掉嗎？或者假如C是兩個(gè)10UF的，可不可以只用一個(gè)22UF的放在后面呢（前面不加電容）？

      2.CLC中的L是共模電感還是兩個(gè)單獨(dú)的電感呢，還是兩種都可以？         

前面的那個(gè)C不可以省了，他是用來濾除差模，組成是π型濾波器，要比LC濾波要好很多，而其LC濾波只能減小輸入電源對開關(guān)電源的影響。

L可以是共模也可以是差模，看自己的情況而定。

可以去看上面的那個(gè)帖子，里面一般有解釋。

直流部分的GND。

那你先看上面的那個(gè)貼吧，可以學(xué)習(xí)到很多。

功率小用差模，功率偏大用共模。

那只是繞的屏蔽層繞組，不是初級繞組

是的，初級繞組是接在輸入電容高壓端和mos的D端，輔助繞組是接在VCC和地上。

所以說屏蔽層接地的話就是直接纏在輔助繞組的地上，當(dāng)然也可以接在輸入電容高壓端上。