場效應管和三極管基本參數(shù)中都有標明散耗功率！這個能代表什么呢？和額定電流有什么關系呢？例如一個管標100V 10A 150W 我用50V10A留過此管！那按三級管算CE飽和壓降是0.7！按道理這個管在路的損耗應該是70W才對！和這個150W有什么關系呢？這正是我想問的標稱功率是指什么！有什么實際意義！
第二在做逆變時用三極管好還是用場管好！按一電路電流是20A計算！先不算開關損耗！用三極管壓降是0.7（有資料寫VCES是1.幾的?。┌催@個算浪費在三極管上的功率是20X0.7=14！按一個Ron是0.5歐！這個散耗功率就是200W了！如果是0.05歐都有20W了！那場效應管的優(yōu)勢何在》？？三極管容易選擇電壓高！場管做到0.05歐的一般都只有30-100V左右！當然以上的計算可能是錯的！就是不能理解！請賜教！
按這個算浪費在三極管上的功率是20X0.7=14！按一個Ron是0.5歐！這個散耗功率就是200W了！如果是0.05歐都有20W了！那場效應管的優(yōu)勢何在》？？
20A電流，按這個算浪費在三極管上的功率是20X0.7=14W
3205=8/1000歐=0.008歐，20*0.008=0.16V，0.16V*20=3.2W
到底那個大？
你要用3205比那就是少！但這就是出現(xiàn)我想問的問題了！那資料標稱的功率是指什么呢？？標的ID 110A和PD 200W是什么關系呢？0.008X110=0.88V 0.88X110=96.8W那這個不就是最大功耗嗎？？？標出的200W意義何在？
一個實際又不是很敢相信的問題 ！3205的額定電流是110A！那我用于純直流電路做開關功能！那正的就能長時間通110A的電流嗎？！就是能通60A的電流 那也是很了不起的問題吧！那小小的引腳能不能流過這么大的電流?。〔粫鄦?？我沒做過這么大電流！·在用一些駁腳的正品3205！有時就是燒斷腳！因為這些駁的腳很薄！但原裝腳也沒多大的！TOP220的腳能有這么大的電流嗎？？？
１：你不懂三極管，Ｖce是0.7V，是在它的特定條件下才是這個參數(shù)，就是驅動電流是極電流的1/5-10條件下測的。如果驅動電流小，它的Vce是非常大的！
所以，你說一個管只能流１０Ａ但能消耗１５０Ｗ熱能不可能，你是錯的。另外，一般的大功率三極管很難做到０.７Ｖ以下的，特別是高耐壓的管，都在１-２Ｖ。３ＤＤ１５滿載時也很難低于１Ｖ的。
２：你也不懂ＭＯＳ，你的假設沒有意義！如果有個ＭＯＳ的內(nèi)阻有０.５歐，你讓它流２０Ａ，的確是Ｉ*Ｉ*Ｒ＝２００Ｗ，而且，你這個只能假設，因為ＭＯＳ的溫度高后，它的內(nèi)阻會更大！這樣的結果有２個，如果有大散熱片把熱能散發(fā)，溫度不會一直升高，會達到一個極限。如果散熱不好，管子就壞了。
特別提醒一些朋友，關于“溫度”和“熱能”是２個不同的物理量。功率是在單位時間發(fā)出的能量，如果不消耗，它的溫度會一直升高
在這說場效應管，150W是無限的散熱條件下的最大允許功耗。
實際功耗是70W，你就不能用最大功耗低于這個值的管，比如，IRF3205，你總不能用一個2N7002來代替吧？有些管子，標稱的參數(shù)電壓，電流都差不多，就是耗散功率有差別，這個跟管芯工藝，和封裝都有關系的。
至于用什么管好，我個人覺得，用場效應管會好很多，一來是電壓驅動，電流再大，驅動的電流也為零（至少直流來說是這樣，高頻的另算）二來導通時候的電阻很低（低壓管），損耗算起來，會非常的低，最后就是安全工作區(qū)很寬，比三極管寬很多，也就是安全很多。場效應輸入輸出特性，從工作模式來看，是一種很理想的器件了。
我就想問一個200W的逆變要用多大散耗功率的管??！是怎樣推算的！
還有一個現(xiàn)象現(xiàn)在現(xiàn)在的產(chǎn)品中很大量使用了全塑封的管了！電流一樣的管現(xiàn)在怎么全用了散耗功率小一半的了！是省本錢還是什么呢？如果換成電流一樣的大散耗功率是不是會余量大呢？還是說大散耗功率的效率不好！同樣電流工作會浪費更多電能和熱量?。磕鞘遣皇且郧暗蔫F頭半塑封的太浪費??！我個人總感覺現(xiàn)在不是全塑封的都很少用了！
現(xiàn)在低壓的場效應管，導通電阻，目前來說，可以做得很低了，況且，很少用到線性狀態(tài)，所以，用多大耗散功率的管子，就我個人來說，已經(jīng)不怎么在意了，在意的是多低的導通電阻和柵極電容。所以，怎么計算用多大耗散功率的管子，說實話，還真沒考慮過這個問題。在驅動沒有問題的前提下，沒有成本限制的話，我會用所能選用的最低導通電阻的管子，當然，實際情況會復雜一下。
由于工藝的改進，現(xiàn)代很多新出來的場效應管，同樣的耐壓，電流參數(shù)下，所用的硅片小了很多，這樣一來，成本就降低了只是最大耗散的功率也跟著降低了。我覺得，用耗散功率大一點的管子，可靠些，對短路保護電路的要求也低一些。
他還是沒懂你的意思……
我也是看R和電容 電流耐壓選管?。≈皇遣幻靼讟顺鲞@個散耗功率的具體意義！如果一個開關電源里一了一個開關管！那這個管的散耗功率和這個開關電源的輸出功率有什么關系??？我覺得很多人就以開關管的散耗功率做出開關電源的功率的！
假設個例子就3205！一個管能不能做出500W的開關電源??！那和那個200W散耗功率是什么關系??！
3205的最大功耗是200W，我能用開關串聯(lián)穩(wěn)壓方式來實現(xiàn)50V輸入25V20A也就是500W的輸出，理想狀況，管子的功耗也就20A*20A*0.008R*50%=1.6W，用線性的方式的話，25V*20A=500W 就不行，功耗超過了?？偨Y一點，就是開關方式，可以不用太在意管子的最大耗散功率，線性方式的話，這個參數(shù)就很重要。
時隔兩年，不止兄臺弄明白這個問題沒？
我的理解是這樣的：Pd是晶體管的最大耗散功率， 也就是加在管子兩端的電壓與流過的電流的乘積的最大值，超過這個值管子就會燒掉，這個值是與管子的外形，體積，管材有關。而Id是流過晶體管的最大允許電流值，與管子的內(nèi)部結構有關（比如場效應管的Id與溝道的寬長比，半導體雜質的摻雜濃度有關，比如三極管的Icmax與半導體的雜質摻雜濃度，集電極的截面積有關） 比如IRF3205的最大耗散功率是200W，如果流過最大電流110A，那么同時要滿足Ic X Vce<=Pcm(在此為200W)，那么此時加在管子兩端的電壓就要小于 200W/110A=1.82V。另一方面，即使耗散功率在最大范圍內(nèi)，電流如果超過額定值，管子內(nèi)部被擊穿，溝道遭到破壞，這時流過電流迅速增加，功耗就會超過PD，進一步燒壞管子。
對于你的另一個問題：
因為塑料的導熱性不如金屬好，所以一般相同的尺寸和其他參數(shù)下，金屬封裝的管子散熱就快，那么他的PD就大。
下一個問題：
PD不表示管子能做多大功率的逆變器，只是一般輸出功率越大，流過功率管的電流就越大，在管子上產(chǎn)生的功耗就越大，所以就需要PD大的管子了（即，散熱快的管子）。
說到這里，如果上面這些你能看明白，估計其他的問題自己也能領悟了吧！
希望能幫到你！
呵呵！今天突然又搜到自己的帖子?。?！你的回復是時隔兩年！！我現(xiàn)在的是時隔5年了！真不敢相信這樣一晃就是5年了?。。?！其實對于這個最大散耗功率現(xiàn)在只理解成管子可一承受的功率！而且現(xiàn)在的設計上基本都不怎么考慮這個因素！只考慮電流耐壓導通電阻就算了！只是搞不太懂現(xiàn)在的開關電源里基本都用上了全塑封的管了！相同電流參數(shù)基本散耗功率都小一半的！但安裝的確方便了！而且我還有一個意識！雖然是不對的！就是覺得用散耗功率小的管發(fā)熱會少點！很明顯是錯的！因為很清楚知道發(fā)熱是電流和導通電阻產(chǎn)生的！但給人的感覺就是這樣！
所以現(xiàn)在對于這個參數(shù)也不太懂！也沒必要去深入研究了！只是心里始終有條刺！?。∑鋵嵰彩抢斫饬瞬糠值?！我相信要每個工程師去系統(tǒng)解析這些關系也是說不出所以然的！
耗散功率，我在做電子負載或者線性電源的時候才考慮。其次耗散功率，其實跟安全工作區(qū)有關，也就是，即便是同樣耐壓電阻的MOS，耗散功率大的，安全工作區(qū)比耗散功率小的要大，更耐電流沖擊，尤其是短路保護不靈敏的時候，最能體現(xiàn)出差異來。呵呵！今天突然又搜到自己的帖子?。。∧愕幕貜褪菚r隔兩年?。∥椰F(xiàn)在的是時隔5年了！真不敢相信這樣一晃就是5年了！?。?！其實對于這個最大散耗功率現(xiàn)在只理解成管子可一承受的功率！而且現(xiàn)在的設計上基本都不怎么考慮這個因素！只考慮電流耐壓導通電阻就算了！只是搞不太懂現(xiàn)在的開關電源里基本都用上了全塑封的管了！相同電流參數(shù)基本散耗功率都小一半的！但安裝的確方便了！而且我還有一個意識！雖然是不對的！就是覺得用散耗功率小的管發(fā)熱會少點！很明顯是錯的！因為很清楚知道發(fā)熱是電流和導通電阻產(chǎn)生的！但給人的感覺就是這樣！
所以現(xiàn)在對于這個參數(shù)也不太懂！也沒必要去深入研究了！只是心里始終有條刺?。。∑鋵嵰彩抢斫饬瞬糠值?！我相信要每個工程師去系統(tǒng)解析這些關系也是說不出所以然的！
不是人家說不出個所以然，是人家不想說。
塑封與金封，本質上是一樣的，就是把晶片放到一片散熱性能良好的金屬板上，然后，金封的給他蓋個帽，塑封的給它來團塑料壓著。很明顯，金封的基板面積都會大于塑封的。
再說散耗功率。它是指在散熱條件極佳時（某貼說的無散熱片時的功耗是完全錯的），該管能消耗的功率。想知道它的值很容易，串聯(lián)型穩(wěn)壓電源的調(diào)整管，或者電子負載，都能測算出來。
一直靠自學去了解一些問題！的確需要花更多時間和精力！看更多資料！我發(fā)現(xiàn)百度出來的很多技術性話題都是出自這個電源網(wǎng)??！這里真是高手云集的地方！但最近時間好像少見高手級發(fā)言?。〔恢鞘裁丛?！好像沒以前那么活躍了！可能是把基本的問題都解決了吧1都能搜出滿意的答案！
其實我覺得要較好推動場效應管其中還是有很多需要計算和經(jīng)驗的！其實很多人一直在做3525推3205的逆變！但我想很多人都沒實測過驅動波形！如果能用示波器直觀看到在不同頻率！不同場效應管Ciss?。▓鲂艿腉S電容）這個電容高壓和低壓管相差巨大！很多初學的根本不看這參數(shù)！看完這些波形就會知道為什么場效應管發(fā)熱不正常了！調(diào)整RG！取公認的4.7--10歐！這個換不同阻值對不同Ciss的管！波形也大有不同！這是我最近才領悟！不能笑我太差！因為斷續(xù)學習！
所以有些圖紙3525直推4對或更多的！如果是在20K以下就可能行！其實沒看過我上面說的波形！那些人空想出來的原理圖在實際上是用不了的！或者說勉強能用！但絕對不是最好的驅動！其實我在另一貼中都提過！3525當初設計的初衷應該是高變低的電源用的！現(xiàn)在我們是利用在逆變上是有點驅動不足的！所以我勸部分新手做逆變必須加圖騰！和調(diào)整好RG！或加二極管和放電電阻！反正目的是讓波形正常！我開始就是覺得3525驅動輸出有200/400MA就很高！其實這標準驅動2對3205在40K下都很勉強了！所以我個人最多建議在40K一下推1對3205就最高了！我測試過超過100K以上推1對3205都嚴重變形了！加了圖騰就變回方波或矩形波！
我說那么多是想表達一下做逆變3525加圖騰是必須的！?。∫郧笆翘嘈?525的驅動電流了！如果加了圖騰就不用管它是水貨假貨KA3525還是正品UC3525了！只要有波形輸出！驅動都交給圖騰處理了！這樣會得到做電源一直想要的低溫效果！
想當年開始玩3525G與494時吃了不少這樣的虧，工頻時3525直推扒4對管甚至更多都沒問題。但做高頻JJ時直推3對60N06或是75N75由于欠驅燒了不少管。后來只敢上兩對，才勉強行。但還是在沒有做保護上面燒了些管子。其實當時，條件差了沒示波器。但用萬用表我也發(fā)現(xiàn)了一個問題，用于12V工頻時，3525輸出是9V-10.5V。但在高頻時輸出僅為4-6V甚至更低。
可以的，只要你散熱夠好，要讓管子不要超過25攝氏度。
3205的管腳厚度0.5mm，寬度1.2mm大約0.6mm2,長度1cm。
銅的電阻率p=0.01751 Ω·mm2/m按這個算下來管腳電阻0.0003歐姆樣子。通110A的電流光管腳大概消耗3瓦多功率。
但是你不可能能保證25度以下溫度，IGBT使用額定電流的一半，場管百分20電流是可靠的
