有關(guān)MOSFET的溫升問題

我用3842做了一個單端反激24V/5A,Imax=2.7A,開關(guān)管選用IRFPF40,4.3A/900V/Rds=2.5ohm,滿載很燙,現(xiàn)在是冬天,問題不大,怕到了夏天會掛掉.改用K2611,9A/900V/Rds=1.3ohm,還是很燙,用手摸感覺溫度和以前差不多.對不起大家,這個是小日本的,只是做實驗用,大家一定原諒啊!
我覺得有點奇怪,大家以為?還有,輸出整流管用16A燙手,3倍裕量還不夠嗎?

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智慧大頭

LV.8

2005-12-17 14:47

效率?

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hulx

LV.5

2006-02-07 14:48

@智慧大頭

效率?

限于條件,側(cè)不了效率啊!
拜請各位前輩指點!

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小林子

LV.2

2006-02-07 15:23

120W用反激可要下功夫啊.

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superpowersupply

LV.6

2006-02-07 15:50

It must be overheat,but I have designed 135W power supply it is not overheat.Because of your mosfet ON-resistance too high---2.5OHM/1.3ohm.Did you calculate on-state heat?I think you can use the mosfet 20N60C3 instead your past used.But you should carefully design the snub circuit,the 20n60c3 VDS break down voltage is 600v ONLY.But it is possible.

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hulx

LV.5

2006-02-08 10:07

@小林子

120W用反激可要下功夫啊.

說得對

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superpowersupply

LV.6

2006-02-08 10:16

@小林子

120W用反激可要下功夫啊.

I don't think so,I designed 45V3A OUTPUT,universal input lead acid charger,it is works well.And it is not overheat.

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hulx

LV.5

2006-02-08 10:32

@superpowersupply

Itmustbeoverheat,butIhavedesigned135Wpowersupplyitisnotoverheat.BecauseofyourmosfetON-resistancetoohigh---2.5OHM/1.3ohm.Didyoucalculateon-stateheat?Ithinkyoucanusethemosfet20N60C3insteadyourpastused.Butyoushouldcarefullydesignthesnubcircuit,the20n60c3VDSbreakdownvoltageis600vONLY.Butitispossible.

看一下英飛凌的手冊,20N60C3的Rds是很小,還是TO220封裝.只是使用20A的管子會不會很浪費?誰會提供參考價?

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hulx

LV.5

2006-02-08 10:34

@superpowersupply

Idon'tthinkso,Idesigned45V3AOUTPUT,universalinputleadacidcharger,itisworkswell.Anditisnotoverheat.

說說你的產(chǎn)品的散熱器尺寸可否?多謝你的回復.

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superpowersupply

LV.6

2006-02-08 10:49

@hulx

看一下英飛凌的手冊,20N60C3的Rds是很小,還是TO220封裝.只是使用20A的管子會不會很浪費?誰會提供參考價?

I think rmb 5-8 Dollars?

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superpowersupply

LV.6

2006-02-08 11:06

@hulx

說說你的產(chǎn)品的散熱器尺寸可否?多謝你的回復.

about L100*H30*3mm

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sunnytong

LV.4

2006-02-08 11:13

你可以算一下MOS上面的損耗就知道為何很燙了.

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cf100

LV.7

2006-02-08 11:27

MOSFET發(fā)熱原因很多,大多是電路結(jié)構(gòu)上的問題.

比如,頻率過高,電路自激,上升下降沿過緩.

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sunnytong

LV.4

2006-02-08 13:57

@superpowersupply

Itmustbeoverheat,butIhavedesigned135Wpowersupplyitisnotoverheat.BecauseofyourmosfetON-resistancetoohigh---2.5OHM/1.3ohm.Didyoucalculateon-stateheat?Ithinkyoucanusethemosfet20N60C3insteadyourpastused.Butyoushouldcarefullydesignthesnubcircuit,the20n60c3VDSbreakdownvoltageis600vONLY.Butitispossible.

20n60c3的VDS break down voltage 不一定是600V 這要看尖峰維持時間,如果小於0.2uS電流小于3A是時 bread down voltage is 700V.請查證

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cf100

LV.7

2006-02-08 14:24

用6N60做200W以下的反激,在現(xiàn)在的溫度,溫升不會超過40度.所以不是元件的問題.

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hulx

LV.5

2006-02-08 14:39

@superpowersupply

Ithinkrmb5-8Dollars?

￥5-8還是$5-8?悄悄問一聲:你用英文方便?

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hulx

LV.5

2006-02-08 14:41

@sunnytong

20n60c3的VDSbreakdownvoltage不一定是600V這要看尖峰維持時間,如果小於0.2uS電流小于3A是時breaddownvoltageis700V.請查證

這個問題不是很大.
1139380842.pdf

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hulx

LV.5

2006-02-08 14:46

@cf100

MOSFET發(fā)熱原因很多,大多是電路結(jié)構(gòu)上的問題.比如,頻率過高,電路自激,上升下降沿過緩.

頻率55K,edge還可以,自激就不好說,不知道什么樣的波形算好,書上資料里面的都是理想狀態(tài)波形.如果哪位方便上一個實際的波形看看?不知道可以不?

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fish@mouse

LV.3

2006-02-08 15:43

你這個很燙,是多少度呀?

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shine_sky

LV.2

2006-02-08 15:45

老兄,最好能把原理圖發(fā)出來大家一起看一下,這樣討論起來方便些.
或者用IRFPF50,6.7A/900V/Rdson=1.6ohm.不過輸入結(jié)電容比IRFPF40大一些可能要注意一下驅(qū)動.

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superpowersupply

LV.6

2006-02-08 16:55

@hulx

￥5-8還是$5-8?悄悄問一聲:你用英文方便?

RMB

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lwp1975

LV.7

2006-02-08 22:09

我想應該是頻率的問題,可適當?shù)亟档皖l率試試,減少器件的損耗,說不定有意外的收獲,純屬個人意見,見笑了!哈哈...

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hulx

LV.5

2006-02-09 23:28

@fish@mouse

你這個很燙,是多少度呀?

手可以受得了,能有70-80度的樣子?

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fish@mouse

LV.3

2006-02-10 09:55

@hulx

手可以受得了,能有70-80度的樣子?

70,80度手還能受得了!你的散熱器多大,怎么連接,冷卻方式,還有磁芯型號?

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superpowersupply

LV.6

2006-02-10 10:05

@sunnytong

20n60c3的VDSbreakdownvoltage不一定是600V這要看尖峰維持時間,如果小於0.2uS電流小于3A是時breaddownvoltageis700V.請查證

Thank you,but I failed to browse the 20N60C3 specification,But in my memory the VDS bread down voltage will be 600V MAX,would you please upload it?
Thank you evry much.

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