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新人設(shè)計Boost電路求助

不好意思啊，小的第一次做東西，請大家?guī)蛶兔Π?，呵呵~~


工況：輸入是80-120V，輸出540V，功率1200W，20K。輸出電壓紋波不超過2%，輸入電流紋波不超過10%。


然后現(xiàn)在拿到的IGBT是1200V25A，二極管是1200V30A，驅(qū)動芯片是VLA502.驅(qū)動電源初步選定VLA106-15151（不怎么懂，所以亂選的。。。），然后控制的話是來自28335開發(fā)板。


想就下面一些方面請教一下~~

（1）就我這個工況，輸入電感和輸出電容應(yīng)該怎么設(shè)計才會比較合適呢？

（2）保護(hù)電路應(yīng)該怎么設(shè)置呢？

（3）上述工況設(shè)置以及元器件選擇是否還會帶來什么大問題呢？

（4）具體實踐中應(yīng)該另外注意些什么？


當(dāng)然，有一些相關(guān)資料的話那是最好了，謝謝高手啦?。。。?！

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ruofeng
LV.2
2
2011-03-23 16:27

升壓比例最大達(dá)6.75，建議你用交錯式的boost。驅(qū)動IC用3525即可，加圖騰驅(qū)動。否則你很難做到1200W。

 

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2011-03-23 23:02
@ruofeng
升壓比例最大達(dá)6.75，建議你用交錯式的boost。驅(qū)動IC用3525即可，加圖騰驅(qū)動。否則你很難做到1200W。[圖片] 
交錯式是個不錯的選擇
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2011-03-24 01:41

mos管選650V 30A的coolmos就行，單級boost應(yīng)該沒問題，不需要交錯……

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2011-03-24 19:56
@電子幽靈520
mos管選650V30A的coolmos就行，單級boost應(yīng)該沒問題，不需要交錯……
這么高的電壓增益，如何實現(xiàn)？
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st.you
LV.10
6
2011-03-24 20:58
@ruofeng
升壓比例最大達(dá)6.75，建議你用交錯式的boost。驅(qū)動IC用3525即可，加圖騰驅(qū)動。否則你很難做到1200W。[圖片] 

這樣子交錯，占空比最大也就50%，怎么實現(xiàn)高增益？

輸入最低電壓的時候，占空比需要0.85才能得到所需輸出電壓，已經(jīng)是有問題的了。所以，不建議用BOOST。

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2011-03-24 21:34
@心中有冰
這么高的電壓增益，如何實現(xiàn)？
APFC可以把正弦波90V電壓升高到420V，電壓增益本身就很高……現(xiàn)在電路形式一樣，怎么就不行了？
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2011-03-24 21:37
@電子幽靈520
APFC可以把正弦波90V電壓升高到420V，電壓增益本身就很高……現(xiàn)在電路形式一樣，怎么就不行了？

你計算下增益就明白了

單級的Boost實際上的電壓增益最大為4.7左右，占空比再大，電壓就要降低了，原因是電感與電容的等效電阻使然

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ruofeng
LV.2
9
2011-03-25 09:01
@st.you
這樣子交錯，占空比最大也就50%，怎么實現(xiàn)高增益？輸入最低電壓的時候，占空比需要0.85才能得到所需輸出電壓，已經(jīng)是有問題的了。所以，不建議用BOOST。

兩個Mos交錯導(dǎo)通，相位差180度，占空比各一半。為什么不能做？愿意問其祥。

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ruofeng
LV.2
10
2011-03-25 09:06
@心中有冰
你計算下增益就明白了單級的Boost實際上的電壓增益最大為4.7左右，占空比再大，電壓就要降低了，原因是電感與電容的等效電阻使然
有點不明白，請詳解，曾做12V升壓到60V以上的LED背光電源, 增益到5,未曾出現(xiàn)電壓下降現(xiàn)象。
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2011-03-25 09:07
@ruofeng
兩個Mos交錯導(dǎo)通，相位差180度，占空比各一半。為什么不能做？愿意問其祥。

可以采用帶抽頭電感的boost來實現(xiàn)高升壓比。

另外，交錯不是占空比各占一半，D是可以大于0.5的。

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ruofeng
LV.2
12
2011-03-25 09:30
@高等數(shù)學(xué)
可以采用帶抽頭電感的boost來實現(xiàn)高升壓比。另外，交錯不是占空比各占一半，D是可以大于0.5的。

呵呵，我的表述不清楚。各占一半并不等于總的占空比為1.可以大于1. 用兩個獨立的電感就可以了。

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2011-03-25 09:49
@ruofeng
呵呵，我的表述不清楚。各占一半并不等于總的占空比為1.可以大于1.用兩個獨立的電感就可以了。
總的占空比可以大于1，不敢贊同這樣的說法（雖然知道你的意思）。
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st.you
LV.10
14
2011-03-25 10:14
@ruofeng
兩個Mos交錯導(dǎo)通，相位差180度，占空比各一半。為什么不能做？愿意問其祥。

這樣連接，還是等效為兩個電壓源并聯(lián)，增益跟單路，50%占空比的一樣。

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2011-03-25 10:19
@st.you
這樣連接，還是等效為兩個電壓源并聯(lián)，增益跟單路，50%占空比的一樣。
這樣連接占空比可以大于0.5，增益如你所說，與單路是一樣的。
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2011-03-25 18:15
@ruofeng
有點不明白，請詳解，曾做12V升壓到60V以上的LED背光電源,增益到5,未曾出現(xiàn)電壓下降現(xiàn)象。
小功率電路的電流小，受電感與電容等效電阻影響小，你再增大點試試？
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2011-03-28 00:05
@心中有冰
小功率電路的電流小，受電感與電容等效電阻影響小，你再增大點試試？
大功率更有資本做寄生電容小的電感啊……
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lovewhowho
LV.1
18
2011-04-03 13:35
@ruofeng
升壓比例最大達(dá)6.75，建議你用交錯式的boost。驅(qū)動IC用3525即可，加圖騰驅(qū)動。否則你很難做到1200W。[圖片] 
謝謝?。。?！我再研究一下下?。?！
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lovewhowho
LV.1
19
2011-04-03 13:36
@電子幽靈520
大功率更有資本做寄生電容小的電感啊……
大俠 們的討論很贊！！我在一邊默默記下了??！
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lovewhowho
LV.1
20
2011-04-03 13:37
@電子幽靈520
mos管選650V30A的coolmos就行，單級boost應(yīng)該沒問題，不需要交錯……
嗯，主要我不是做產(chǎn)品的，只是做一個實驗，我個人覺得100V-540V這個提升其實還是挺嚇人的，怕到時候做實驗炸東西什么的。。。。
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