可能原因如下:
1,MOSFET的型號(hào)有差異,
2,PCBlayout時(shí)銅箔走線長(zhǎng)短有差異,導(dǎo)致這個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)要提前動(dòng)作,當(dāng)帶載時(shí)其沖擊電流很大,很容易燒壞,
3.散熱器和附近元器件的干擾很大,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)信號(hào)有比較大的干擾!

謝謝你ZHANG FEI,我按照你的見意一一去實(shí)驗(yàn)一下.MOS是同一型號(hào)的,你說的2.3兩種情況有可以造成.有可能是干擾造成,我已經(jīng)在MOS的G,D,S都分別加了磁環(huán).還在實(shí)驗(yàn)中.
  祝你在新的一年里:
             工作順利,步步高升.
             財(cái)運(yùn)古滾滾來,彩標(biāo)中500萬(wàn).

MOS管和IGBT都可以并聯(lián)使用,但是并聯(lián)使用要求電流可以均衡這點(diǎn)是個(gè)問題,因?yàn)殡m然型號(hào)一樣,但每項(xiàng)參數(shù)要求誤差都在5%,如果一個(gè)是+5%,一個(gè)是-5%,那么差異就大了,這個(gè)時(shí)候可能導(dǎo)致并聯(lián)中的某一只MOS管先行燒掉,然后剩下的MOS就要承擔(dān)更大的電流,那就更容易燒掉了,所以在做大功率電源的時(shí)候,不建議用MOS管并聯(lián),可以采用電流大但管 那樣可靠多了,我以前許多客戶也是用好多MOS并聯(lián),到后來全是換成了大電流的單管,你可以把你的電壓和電流參數(shù)給我,我這里有電流大的單管MOS,絕對(duì)不會(huì)讓你再為了要并聯(lián)N多MOS而頭疼.當(dāng)然產(chǎn)品也會(huì)更可靠了,產(chǎn)品的可靠性是和產(chǎn)品上所用器件的多少有關(guān)系的,器件越多就越不可靠.我聯(lián)系方式:013156438032 朱工
                             QQ:570572820