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關(guān)于MOSFET的發(fā)熱

是來自于導(dǎo)通損耗,還是開關(guān)損耗?

如果都導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗都引起發(fā)熱,那么,哪個(gè)方面引起的發(fā)熱是主要的?

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2011-05-22 00:05

都有。

頻率很高的時(shí)候，開關(guān)損耗大。電流很大的時(shí)候，導(dǎo)通損耗大。

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jepsun
LV.9
3
2011-05-22 21:05
@讓你記得我的好
都有。頻率很高的時(shí)候，開關(guān)損耗大。電流很大的時(shí)候，導(dǎo)通損耗大。
兩個(gè)不同的方面，看你具體針對(duì)的哪個(gè)。如好版主分析的。
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LV.1
4
2011-05-22 22:32
@jepsun
兩個(gè)不同的方面，看你具體針對(duì)的哪個(gè)。如好版主分析的。
頂好版。。。
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2011-05-23 08:26

如果是0電壓導(dǎo)通 0電流關(guān)斷 開關(guān)損耗就是0

就剩導(dǎo)通損耗了

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2011-05-23 12:56

導(dǎo)通損耗是純粹的歐姆損耗

而開關(guān)損耗則跟很多因素有關(guān)了，比如頻率，驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力，MOSFET的結(jié)電容，驅(qū)動(dòng)波形的上升與下降沿的時(shí)間，還有電路的分布參數(shù)等

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2011-05-23 13:29
@心中有冰
導(dǎo)通損耗是純粹的歐姆損耗而開關(guān)損耗則跟很多因素有關(guān)了，比如頻率，驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力，MOSFET的結(jié)電容，驅(qū)動(dòng)波形的上升與下降沿的時(shí)間，還有電路的分布參數(shù)等
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