計(jì)算是這么計(jì)算，只是做個(gè)參考，以實(shí)際測(cè)量值為準(zhǔn)。

至于計(jì)算值為什么和測(cè)試值不相符，個(gè)人認(rèn)為是電路實(shí)際的寄生參數(shù)，器件誤差引起的，這些公式是在理想條件下得出的，所以會(huì)出現(xiàn)這些現(xiàn)象！

其實(shí)很簡(jiǎn)單，MOS管的耐壓85%減去最高輸入電壓再減去個(gè)30的振鈴電壓除以你的輸出電壓加二極管電壓就是N

不需要過度吹毛求疵

,我也是這樣估算。

但繞組的卷線狀態(tài)一定要好，盡量三明治。否則30的尖峰都不止。

實(shí)際運(yùn)用中，AC-DC的尖峰比DC-DC的更難搞。

依據(jù)你這種算法,應(yīng)該得出的是最大匝比吧.

相對(duì)于效率來(lái)說(shuō),是匝比大效率高還是匝比小效率高呢?

這個(gè)不能一概而論，還要看其他的一些條件的限制情況

一般來(lái)說(shuō)D大，效率高的說(shuō)法是正確的

但我從公式推導(dǎo)和實(shí)際對(duì)比測(cè)試,卻發(fā)現(xiàn)是占空比小的效率高呢.

如占空比小,其匝數(shù)比就小.匝比小,相對(duì)來(lái)說(shuō)變壓器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收電路和肖特基RC吸收電路的損耗相對(duì)來(lái)說(shuō)就要小.

同時(shí),占空比小,MOS管的Vds電壓低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值電流和有效值電流相對(duì)較小.這就明顯的降低了肖特基的損耗.  電路的損耗主要來(lái)自于變壓器;MOS管,肖特基和吸收電路.從以上分析,占空比小對(duì)MOS管,肖特基和吸收電路都有利.

對(duì)于反激電路來(lái)說(shuō),占空比大效率較高的說(shuō)法,是怎么得出的呢?有沒有較詳細(xì)的解說(shuō),這個(gè)問題一直困擾著我.

這個(gè)問題要詳細(xì)分析的話，比較復(fù)雜，要假設(shè)的量實(shí)在太多

但從峰值電流這個(gè)角度分析，D大的話，效率確實(shí)要高，而且實(shí)際測(cè)試也是這樣的

這個(gè)公式成立的前提是在CCM或CRM工作模式下。

不清楚你的電源是否是這個(gè)狀態(tài)。另外，反射電壓高，和你的變壓器的漏感以及RCD吸收電路的參數(shù)取值有一定的關(guān)系。

就是一句，具體問題具體分析

對(duì)的。

任何現(xiàn)象的背后，都有其物理的必然。我們要做的就是去找出表面現(xiàn)象背后的本質(zhì)。

公式只不過是對(duì)一些定律的總結(jié)，工程計(jì)算中的公式，有很多是對(duì)模型或計(jì)算作了簡(jiǎn)化處理的。如果搞的太細(xì)，會(huì)遇到很多困難的。

RCD吸收電路的參數(shù)取值合理不？RCD吸收電路的參數(shù)取值不合理的話，你測(cè)量的Vor就不能真正反映變壓器匝比n

實(shí)測(cè)波形很重要，但也不要總認(rèn)為側(cè)出來(lái)的就都是真理。也要看所測(cè)電路是否合理

D大的話，效率確實(shí)要高

能不能從公式上或其它方面說(shuō)明這個(gè)問題呢?為什么D大,效率高?

RCD電路對(duì)Vor有影響嗎?RCD只是對(duì)因漏感產(chǎn)生的尖峰電壓的大小有影響吧

有影響的，RCD的C和R不合理的話，他會(huì)消耗掉部分Vor；當(dāng)然也可以不能消耗全部的漏感能量，讓你誤以為Vor大

這個(gè)應(yīng)該看開關(guān)頻率以及所選的mos管

開關(guān)頻率高M(jìn)os內(nèi)阻低，開關(guān)損耗占大頭那么Vor小點(diǎn)效率會(huì)高些。

但是一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于100k以內(nèi)的開關(guān)頻率而且使用一般的mos管，其導(dǎo)通損耗還是占大頭，就是說(shuō)Vor大些其占空比大些初級(jí)電流有效值低些效率就高些。

請(qǐng)問V-DCMIN一般是如何確定的?