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IGBT應(yīng)用的幾個(gè)問題（有圖）

 以前用IGBT只注意了一些額定常數(shù)，昨天在細(xì)看datasheet有幾個(gè)問題問下圖1是某IGBT的

輸出特性（SGP10N60RUFD），Ic最大電流16A @T=25度，看下面這個(gè)輸出特性，當(dāng)Vge=15V
時(shí)，Ic=16A還工作在線性區(qū)，這是為什么，igbt應(yīng)該工作在飽和區(qū)??？另外在實(shí)際電路中
Ic應(yīng)該由負(fù)載決定，是不是繼而Vce此時(shí)也已被確定？圖2，3是另兩款igbt為什么最大電流
都在線性區(qū)？那位可以說說在設(shè)計(jì)中Ic，Vce，Vge之間的決定關(guān)系，謝謝


 


  

全部回復(fù)(15)
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2011-07-21 12:58

工作在飽和區(qū)。IGBT在不同工作條件時(shí)，飽和壓降是不一樣的。

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weilauto
LV.1
3
2011-07-21 13:10
@世界真奇妙
工作在飽和區(qū)。IGBT在不同工作條件時(shí)，飽和壓降是不一樣的。

igbt壓控型器件，Vce隨Ic的增加而增加，難道不是線性區(qū)嗎，如何判斷的線性飽和？？

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2011-07-21 13:12
@weilauto
igbt壓控型器件，Vce隨Ic的增加而增加，難道不是線性區(qū)嗎，如何判斷的線性飽和？？
所有的半導(dǎo)體器件都是Vce隨Ic的增加而增加，包括二極管的正向壓降。
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weilauto
LV.1
5
2011-07-21 13:17
@世界真奇妙
所有的半導(dǎo)體器件都是Vce隨Ic的增加而增加，包括二極管的正向壓降。
恩？？？在飽和去，Ic不再隨Vce而變化啊 
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2011-07-21 13:21
@weilauto
恩？？？在飽和去，Ic不再隨Vce而變化啊[圖片] 
靠近縱坐標(biāo)的才是飽和區(qū)。
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weilauto
LV.1
7
2011-07-21 13:25
@世界真奇妙
靠近縱坐標(biāo)的才是飽和區(qū)。

你的意思是igbt正常情況下工作在靠近縱軸這一段？


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2011-07-21 13:32
@weilauto
你的意思是igbt正常情況下工作在靠近縱軸這一段？

IGBT導(dǎo)通必定有一定的電流，縱軸是電流，如果曲線靠近橫軸，IGBT沒有電流，IGBT是截止的

 

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weilauto
LV.1
9
2011-07-21 13:36
@世界真奇妙
IGBT導(dǎo)通必定有一定的電流，縱軸是電流，如果曲線靠近橫軸，IGBT沒有電流，IGBT是截止的 
您這一說我真不懂了，我理解的IGBT都應(yīng)工作在圖中與橫軸平行的那一段橫流區(qū)，否則在斜線那一段igbt不再是開關(guān)工作模式，而是線性工作模式？
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2011-07-21 13:41
@weilauto
您這一說我真不懂了，我理解的IGBT都應(yīng)工作在圖中與橫軸平行的那一段橫流區(qū)，否則在斜線那一段igbt不再是開關(guān)工作模式，而是線性工作模式？
好好看看書吧！
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2011-07-21 13:44
@世界真奇妙
好好看看書吧！
IGBT的工作模式與普通晶體管的工作模式?jīng)]有本質(zhì)的區(qū)別，只不過一個(gè)是電壓驅(qū)動(dòng)，一個(gè)是電流驅(qū)動(dòng)，晶體管的特性曲線明白了，IGBT的也就明白了。
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weilauto
LV.1
12
2011-07-21 13:49
@世界真奇妙
好好看看書吧！
文獻(xiàn)都是說工作在與橫軸平行的那一段橫流區(qū)（對(duì)igbt等效內(nèi)含的晶體管來說是飽和區(qū)），我在這是第一次聽到應(yīng)該工作在您說的那段靠近縱軸的區(qū)域。。。
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weilauto
LV.1
13
2011-07-21 16:19
@weilauto
文獻(xiàn)都是說工作在與橫軸平行的那一段橫流區(qū)（對(duì)igbt等效內(nèi)含的晶體管來說是飽和區(qū)），我在這是第一次聽到應(yīng)該工作在您說的那段靠近縱軸的區(qū)域。。。
大家出來說說啊
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zhouboak
LV.8
14
2011-11-04 19:13
@weilauto
大家出來說說啊[圖片]
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winddy_zeng
LV.1
15
2011-11-19 15:17
@weilauto
文獻(xiàn)都是說工作在與橫軸平行的那一段橫流區(qū)（對(duì)igbt等效內(nèi)含的晶體管來說是飽和區(qū)），我在這是第一次聽到應(yīng)該工作在您說的那段靠近縱軸的區(qū)域。。。

說實(shí)話，工作在與橫軸平行的那段橫流區(qū)是“截止區(qū)”，與縱軸平行的區(qū)域才是飽和區(qū)。

我們可以這樣理解，截止區(qū)是指無論Uce如何變化，幾乎都沒有ic，顯然這個(gè)和與橫軸平行的那段曲線相符。

同樣的道理，飽和區(qū)是指IGBT完全導(dǎo)通，呈現(xiàn)開關(guān)狀態(tài)，那么開關(guān)兩端的電壓就會(huì)接近于Uce(sat)，ic則是由負(fù)載決定的。此時(shí)，這二者的關(guān)系為一與縱軸平行的曲線。

當(dāng)然，很多書上也寫的很明確的。

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wgm107
LV.1
16
2015-11-11 11:30
@winddy_zeng
說實(shí)話，工作在與橫軸平行的那段橫流區(qū)是“截止區(qū)”，與縱軸平行的區(qū)域才是飽和區(qū)。我們可以這樣理解，截止區(qū)是指無論Uce如何變化，幾乎都沒有ic，顯然這個(gè)和與橫軸平行的那段曲線相符。同樣的道理，飽和區(qū)是指IGBT完全導(dǎo)通，呈現(xiàn)開關(guān)狀態(tài)，那么開關(guān)兩端的電壓就會(huì)接近于Uce(sat)，ic則是由負(fù)載決定的。此時(shí)，這二者的關(guān)系為一與縱軸平行的曲線。當(dāng)然，很多書上也寫的很明確的。
我最近剛剛接觸這個(gè)，也很迷茫，MOSFET和IGBT的這個(gè)飽和區(qū)一直不能理解，究竟什么是飽和？只要正偏反偏滿足就可以達(dá)到了嗎？？說靠近縱坐標(biāo)或者橫坐標(biāo)，但是MOSFET和IGBT的飽和區(qū)恰恰相反的。哪位能夠白話文一下。
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