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我最近剛剛接觸這個(gè)，也很迷茫，MOSFET和IGBT的這個(gè)飽和區(qū)一直不能理解，究竟什么是飽和？只要正偏反偏滿足就可以達(dá)到了嗎？？說(shuō)靠近縱坐標(biāo)或者橫坐標(biāo)，但是MOSFET和IGBT的飽和區(qū)恰恰相反的。哪位能夠白話文一下。